Autor: Orłowski, W. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A Comparison of the Valence Band Structure of Bulk and Epitaxial GeTe-based Diluted Magnetic Semiconductors
Autorzy:: Pietrzyk, M.
Kowalski, B.
Orlowski, B.
Knoff, W.
Story, T.
Dobrowolski, W.
Slynko, V.
Slynko, E.
Johnson, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1538868.pdf
Data publikacji:: 2010-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 79.60.-i
71.20.Mq
71.20.Be
Opis:: In this work we present a comparison of the experimental results, which have been obtained by the resonant photoelectron spectroscopy for a set of selected diluted magnetic semiconductors based on GeTe, doped with manganese. The photoemission spectra are acquired for the photon energy range of 40-60 eV, corresponding to the Mn 3p → 3d resonances. The spectral features related to Mn 3d states are revealed in the emission from the valence band. The Mn 3d states contribution manifests itself in the whole valence band with a maximum at the binding energy of 3.8 eV.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 293-295
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badania właściwości fizykochemicznych odpadów wtórnych z Instalacji Termicznego Przetwarzania Odpadów Komunalnych ITPOK
Tests of physicochemical properties of secondary wastes from the Municipal Thermal Waste Treatment Plant ITPOK
Autorzy:: Wyrozębska, W.
Orłowski, B.
Czop, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/357058.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Śląska
Tematy:: spalanie
odpady wtórne
odpady komunalne
combustion
secondary wastes
municipal waste
Opis:: Przedstawiony artykuł traktuje o właściwościach fizykochemicznych odpadów wtórnych jakimi są popioły i żużle powstałe po termicznym przekształcaniu odpadów komunalnych. Omówiono problemy, obecne tendencje i oczekiwania stawiane w przyszłości gospodarce odpadami komunalnymi. Opisano także aspekty prawne i podstawy działania spalarni odpadów. Scharakteryzowano popiół pochodzący z oczyszczania gazów oraz żużel denny. Wyniki badań zestawiono tabelarycznie i porównano ich wielkości do obecnie obowiązujących norm oraz rozporządzeń. Przedstawiono wykorzystywane na świecie sposoby zagospodarowania odpadów wtórnych, a także zaproponowano konkretne rozwiązania, zgodne z ideą gospodarki o obiegu zamkniętym.
The presented article treats about the physical and chemical properties of secondary waste such as ashes and slags created after the thermal treatment of municipal waste. Problems, current trends and future expectations regarding municipal waste management are discussed. The legal aspects and the basics of the waste incineration plant are also described. Ash from gas treatment and bottom slag are characterized. The results of the research are tabulated and compared to the current standards and regulations. It presents the methods of utilizing secondary waste used in the world, as well as proposes specific solutions in line with the idea of circular economy.
Źródło:: Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska; 2018, 20, 2; 27-38
1733-4381
Pojawia się w:: Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Autorzy:: Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaP
własności elektryczne
własności optyczne
optical properties
electrical properties
Opis:: Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:: Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 10¹⁷cm^-3 do 2 x 10¹⁸cm^-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 10¹⁷cm^-3 and 2 x10¹⁸cm^-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
metoda Cz
Te
Si
Zn
koncentracja domieszek
GDMS
Cz method
doping
dopant concentration
Opis:: Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Electronic Band Structure of Cubic HgS
Autorzy:: Guziewicz, E.
Kowalski, B.
Orłowski, B. A.
Dybko, K.
Witkowska, B.
Szuszkiewicz, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1873013.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.20.Fi
Opis:: Reflectivity spectra of Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$S (x < 0.04) and HgSe$\text{}_{1-y}$S$\text{}_{y}$ (y < 0.5) mixed crystals were measured in the vacuum ultraviolet energy range from 4 to 12 eV. Information about the electronic band structure of cubic modification of HgS resulting from the above data is analyzed and discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 395-398
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Electronic Structure of the CdTe(100)-(1×1) Surface
Autorzy:: Gawlik, K.-U.
Brugmann, J.
Harm, S.
Janowitz, C.
Manzke, R.
Skibowski, M.
Solterbeck, C.-H.
Schattke, W.
Orłowski, B. A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1920920.pdf
Data publikacji:: 1992-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Et
79.60.Eq
Opis:: Unreconstructed CdTe(100) surface prepared by ion bombardment and annealing is investigated by angle-resolved photoemission. The experimental band structure E(k$\text{}_{∥}$) is determined along high-symmetry lines of the surface Brillouin zone by measuring energy-distribution curves of photoelectrons. Different criteria were applied to separate surface and bulk related spectral features, e.g. calculating the position of bulk-derived emissions in the frame of the free-electron final state approximation assuming k conservation. In this way, most dispersing features could be explained. All remaining features were compared with theoretical surface band structures for different polar surface terminations which were calculated within a layer doubling procedure on the basis of an EHT-fit to the bulk band structure. The investigated CdTe(100)-(1×1) surface could be identified as Cd terminated. Two surface bands were observed, one located above the valence-band edge and the second in the open pocket of the projected bulk band structure along the Γ̅K̅ direction. At 4.6 eV binding energy an additional weakly dispersing band was found, which contains mixed surface and bulk character. The high density of bulk states associated with this edge of the heteropolar gap is also expected to contribute to this feature.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 2; 355-361
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Endoscopic, histological and molecular markers of Aberrant Crypt Foci (ACF)
Endoskopowe, histopatologiczne i molekularne wykładniki Aberrant Crypt Foci (ACF)
Autorzy:: Kowalczyk, M.
Pesta, W.
Zinkiewicz, K.
Pedrycz, A.
Paśnik, K.
Siermontowski, P.
Orłowski, M.
Kurpiewski, W.
Juśkiewicz, W.
Kowalczyk, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/366601.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:: colorectal cancer
chromoendoscopy
ACF
rak jelita grubego
chromoendoskopia
Opis:: According to the Vogelstein theory, the carcinogenesis model in colorectal cancer is one of the best-characterized models of a multistep and multilevel process associated with the progression from normal colonocyte through aberrant crypt foci (ACF) and adenoma with dysplasia to invasive carcinoma. ACF are not visible in standard colonoscopy but are well identified with the use of highmagnification chromoendoscopy with methylene blue or indigo carmine staining. As compared with endoscopic images of normal crypts, ACF orifices appeared 2-3 times larger and had a thicker epithelial lining of a fissured and/or stellate shape, and, moreover, the mucosa staining in the ACF area was much more intense. Under a microscope ACF agglomerations were noted, consisting of several to 200 intestinal glands characterised by various types of lesions (hyperplastic or dysplastic) affecting both the cyto- and histo-architecture. The distribution of ACF correlates well with adenomas and predilection area for the occurrence of polyps, as well as colorectal cancer (CRC) localization. The epidemiologic, genetic and enzymatic chance of ACF occurrence should be similar to that of adenomas and CRC, and their presence is a good predictor of future CRC development. ACF may be precursors of adenoma and colon cancer in APC and a K-ras-dependent pathways, as well as a rare pathogenetic pathway evoked by microsatellite instability (MSI) combined with DNA hypermethylation. ACF are the first morphologically identifiable (endoscopically and microscopically) precursors of colorectal cancer.
Zgodnie z teorią Vogelsteina karcinogeneza w raku jelita grubego (RJG) jest wieloetapowym i wielopoziomowym procesem zaburzenia regulacji dojrzewania nabłonka błony śluzowej jelita, począwszy od prawidłowej komórki macierzystej tego nabłonka, przez ogniskanieprawidłowych krypt jelitowych (ACF),następnie stadium gruczolaka/dysplazji, na gruczolakoraku kończąc. ACF są niewidoczne w rutynowej kolonoskopii, natomiast dobrze identyfikowalne w kolonoskopii o wysokiej rozdzielczości, połączonej z barwieniem błony śluzowej jelita grubego, przy użyciu błękitu metylenowego lub indygokarminu. W porównaniu z obrazem endoskopowym prawidłowych krypt, w ACF ujście krypt jest 2-3x większe, szczelinowatego i/lub gwiazdkowatego kształtu, przy czym te krypty są otoczone pogrubiałym nabłonkiem a na obszarze ACF błona śluzowa jelita grubego intensywniej chłonie (ciemniejsze wybarwianie się) znacznikowy barwnik. W badaniu mikroskopowym ACF stwierdza się gniazda składające się z od kilku do 200 gruczołów jelitowych, objętych różnego typu zmianami (rozrostowymi i/lub dysplastycznymi) dotyczącymi zarówno cyto-, jak i histoarchitektoniki. Rozmieszczenie ACF w jelicie grubym dobrze koreluje z obszarem predylekcyjnym dla występowania zarówno polipów, jak i dla raka jelita grubego. Uwarunkowania epidemiologiczne, genetyczne i enzymatyczne w ACF są podobne do występujących w gruczolakach i RJG, wobec czego obecność ACF może być dobrym wskaźnikiem ryzyka wystąpienia RJG. ACF mogą być prekursorami gruczolaków i RJG powstających na dwóch szlakach patogenetycznych karcinogenezy: klasycznym szlaku związanym z mutacją genów APC i K-ras oraz z rzadszym szlakiem patogenetycznym, spowodowanym niestabilnością mikrosatelitarną (MSI), połączoną z hipermetylacją DNA. ACF są powszechnie uważane za pierwsze identyfikowalne morfologicznie (endoskopowo i mikroskopowo) prekursory raka jelita grubego.
Źródło:: Polish Hyperbaric Research; 2013, 3(44); 97-109
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:: Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Fe 3d Contribution to the Valence Band of Cubic Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$S - Resonant Photoemission Study
Autorzy:: Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Szuszkiewicz, W.
Witkowska, B.
Johnson, R. L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933837.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 79.60.-i
Opis:: Resonant photoemission spectra of cubic Ηg$\text{}_{0.94}$Fe$\text{}_{0.06}$S were measured for photon energies near to the energy of intra atomic Fe 3p$\text{}^{6}$3d$\text{}^{6}$ → 3p$\text{}^{5}$3d$\text{}^{7}$ transition. The difference between the spectra taken at resonance and antiresonance is presented as a measure of the energy distribution of Fe 3d derived states. The results obtained show that Fe 3d states contribute to the whole valence band with a distinct structure appearing at the band edge.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 791-794
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Fotogrametryczny pomiar odkształceń termicznych mostów stalowych
Photogrammetric measurements of thermal deformations of steel bridges
Autorzy:: Buczek, W.
Orłowski, P.
Preuss, R.
Sobala, D.
Zobel, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/130786.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Stowarzyszenie Geodetów Polskich
Tematy:: most stalowy
odkształcenie termiczne
pomiar odkształceń
pomiar fotogrametryczny
wiadukt kolejowy
steel bridge
thermal deformation
deformation measurement
photogrammetric measurement
railway bridge
Opis:: Interest in natural thermal phenomena, which occur in bridges, has been lasting from the thirties. However, field measurements of real objects have been performed very seldom. Therefore experimental verification of theoretical works becomes very important. An attempt concerning such investigations was performed within the Research Project KBN (the Committee of Scientific Research) no 7 T07E 012 15 "Development of methodology of determination of thermal deformations of steel bridges" at the Institute of Road and Bridges of the Warsaw University of Technology. Analysis of climatic conditions in Poland allowed to select a region characterised by the extreme distribution of annual and daily temperatures. Such requirements were met by the area of the city of Przemyśl. Two bridges were selected for measurements and tests within this area: one plate girder road object with an integrated pier of 152.9 m expansion, and the second object, a railway flyover with an ortotropowym channel cut-walk of 20 m expansion. Measurements of temperatures and spatial deformations, made by means of electronic meters, with the use of a photogrammetric method, were performed in January and July of 1999 and 2000. A concept of differential measurements was assumed as an initial method for designing photogrammetric measurements. For that purpose photographs were taken from stable positions, with repeatable external orientation photogrammetric cameras. Due to considerable time intervals of successive registration, this condition was approximately met in practice. This allowed to perform observations according to the temporary stereogramme mode, for which only changes of external orientation of photographs, resulting from the method of restoration of positions and utilisation of the (JMK-IO low stability camera, were determined. Observations were performed by means of an analytical stereo-plotter. with the use of a specialised procedure of measurements performed according to the mode of temporary stereogrammes. Each of measured objects was registered by means of a net of coherent photographs, in order to allow equal determination of co-ordinates of investigated points. In practice, photogrammetric models, which describe particular geometric features of investigated bridges, were reconstructed with the accuracy of m_{x_{= m_y = m_z = +/-2mm Values of deformations, determined by means of the photogrammetric method (with an exception of the component perpendicular to the axis of the investigated bridge) have met expectations of "road experts".}}
Źródło:: Archiwum Fotogrametrii, Kartografii i Teledetekcji; 2001, 11; 3-7-3-18
2083-2214
2391-9477
Pojawia się w:: Archiwum Fotogrametrii, Kartografii i Teledetekcji
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: High-coercivity Nd-Fe-B Powders Obtained by High-Temperature Milling
Wysokokoercyjne proszki Nd-Fe-B otrzymywane przez mielenie w wysokiej temperaturze
Autorzy:: Kaszuwara, W.
Michalski, B.
Orlowski, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/355400.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: hard magnetic materials
Nd-Fe-B
mechanical alloying
mechanical milling
twarde materiały magnetyczne
mechaniczna synteza
obróbka mechaniczna
Opis:: The possibility of employing high temperature milling (600°C) for the production of highly coercive Nd-Fe-B powders was examined. The materials were the Nd₁₂Fe₈₂B₆, alloy which was subjected to mechanical milling and the powders of the constituent elements of this alloy which were processed by mechanical alloying. The processes were conducted in the two variants: the first variant consisted of mechanical milling performed at a high temperature which was maintained during the entire process, and the other variant included preliminary milling carried out at room temperature and then the milling temperature was increased. All the processes gave nanocrystalline powders with hard magnetic properties. The powders produced by mechanical milling had better properties than those produced by mechanical] alloying as they were more homogeneous and contained smaller amounts of the α-Fe phase.
W pracy badano możliwości zastosowania procesu mielenia w wysokiej temperaturze (600°C) do otrzymywania wyso- kokoercyjnych proszków Nd-Fe-B. Mieleniu poddano stop Nd₁₂Fe₈₂B₆,. a także zastosowano metodę mechanicznej syntezy stopów tzn. mielono proszki pierwiastków składników stopu. Procesy prowadzono w dwóch wariantach: cały proces odbywał się w podwyższonej temperaturze lub stosowano wstępne mielenie w temperaturze pokojowej, a następnie mielenie w wysokiej temperaturze. We wszystkich procesach uzyskano nanokrystalicze proszki o właściwościach magnetycznie twardych Proszki uzyskane w procesie mielenia stopu miały właściwości lepsze od proszków otrzymanych w procesie mechanicznej syntezy stopów, ponieważ były bardziej jednorodne i posiadały mniejszy udział fazy α-Fe.
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 1; 47-50
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
Autorzy:: Hruban, A.
Materna, A.
Dalecki, W.
Strzelecka, G.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492965.pdf
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.10.-d
72.15.-v
72.20.-I
73.20.-r
Opis:: We studied synthesis and crystal growth of $Bi_2Te_3,$ $Bi_2Se_3$ and $Bi_2Te_2Se$ compounds by means of vertical Bridgman method. Crystals were grown from stoichiometric melts and under different molar ratio of Bi:Te, Bi:Se or Bi:Te:Se. The obtained crystals were characterized by X-ray diffraction analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the Hall effect measurements. Some of the samples demonstrated insulating bulk behavior, by means of resistivity versus temperature measurements.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 950-953
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Influence of Growth Conditions and Doping on Physical Properties of Gallium Antimonide Single Crystals
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1409657.pdf
Data publikacji:: 2012-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Ea
81.10.Fq
81.10.-h
81.10.St
72.80.Ey
71.55.Eq
61.72.uj
Opis:: Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by modified Czochralski method integrated with in situ synthesis in a flowing atmosphere of pure hydrogen. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on GaSb crystals quality was investigated. High purity undoped GaSb single crystals were grown with residual acceptors concentration < 1.4 × $10^{17} cm^{-3}$ and high mobility ≈ 690 $cm^2$/Vs (at 300 K). P-type GaSb crystals were doped with silicon (carrier concentration up to 2 × $10^{19} cm^{-3}$) and with zinc (up to 1 × $10^{19} cm^{-3}$). Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with concentration up to 2 × $10^{18} cm^{-3}$. Electrical parameters were investigated by the Hall measurements (300 K and 77 K). Temperature dependent Hall measurements (10 ÷ 300 K) were used to compare the quality of undoped GaSb (obtained from Sb of different purity). Dopant concentration was estimated by glow discharge mass spectroscopy analysis. Axial and radial distribution of carrier concentration were investigated especially for Te-doped crystals (low segregation coefficient of Te in GaSb). Great contribution of compensation and self-compensation mechanisms is shown especially for the beginning part of grown crystals and for low Te-doping level. Radial distribution of physical properties for crystals grown in 〈100〉 direction is not axisymmetrical especially for doped GaSb crystals.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1111-1114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Infrared Spectroscopy of GaAs Doped with Mn
Autorzy:: Rutkowska, A.
Wasik, D.
Witowski, A.
Sadowski, M.
Orłowski, W.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2044531.pdf
Data publikacji:: 2005-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.70.Ej
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:: We found that the fine structure related to Lyman spectra of [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] centers in GaAs was present only for samples with low Mn concentration. Such samples, at low temperature, did not show any hopping conductance within Mn impurity band. Magnetooptical measurements revealed that magnetic field induced splitting of the Lyman optical transitions was larger than Zeeman splitting observed for typical shallow acceptors in GaAs, like Be, Zn, and C. This experimental result proved that in the case of Mn acceptor impurity, the exchange coupling of a hole and the S = 5/2 Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) core could not be neglected, which was in accordance with the [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] model of the neutral Mn center in GaAs.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 845-849
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
Homogeneity of electrical parameters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Piersa, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192114.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
metoda Czochralskiego
segregacja
własności elektryczne
Czochralski method
segregation
electrical parameters
homogeneity
Opis:: Monokryształy antymonku galu (GaSb) domieszkowane tellurem prezentowane w tej pracy otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Uzyskano płytki monokrystaliczne GaSb:Te o przewodnictwie zarówno typu n jak i typu p. Płytki GaSb:Te typu n charakteryzowały się standardową koncentracją nośników ładunku (od 2 x 10¹⁷ do 2 x 10¹⁸ cm^-3) oraz poniżej 2 x 10¹⁷ cm^-3. Dla płytek monokrystalicznych GaSb:Te typu p koncentracja dziur wynosiła od 2 x 10¹⁶do 4 x 10¹⁶ cm^-3. Zbadano zarówno osiowe, jak i radialne rozkłady własności elektrycznych otrzymanych kryształów GaSb:Te. W oparciu o pomiary hallowskie w funkcji temperatury porównano własności niedomieszkowanych monokryształów otrzymanych z antymonu pochodzącego z różnych źródeł oraz kryształów domieszkowanych tellurem o typie przewodnictwa p oraz typie n.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals undoped and doped with tellurium with n-type or p-type conductivity were grown by a modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with standard carrier concentration from 2 x 10¹⁷ to 2 x 10¹⁸ cm^-3 as well as below 2 x 10¹⁷ cm^-3 for low Te-doped single crystals. Hole concentration in the cas of tellurium doped p-type GaSb wafers varied between 4 x 10¹⁶ and 2 x 10¹⁶ cm^-3. Axial and radial distribution of electrical parameters were investigated for the obtained Te-doped GaSb single crystals. A great contribution of compensation and self-compensation mechanisms was confirmed especially for low Te-doped GaSb single crystals. Temperature dependent Hall measurements were used to compare undoped GaSb crystals obtained from Sb of different purity tellurium doped GaSb with n-type or p-type conductivity.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 3-21
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Orłowski, W." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język