Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Nowicki, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 43
Tytuł:
Kinetic analysis of thermogravimetric data collected from bigger samples
Autorzy:
Nowicki, L.
Markowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/185111.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
termograwimetria
kinetyka
redukcja tlenków metali
thermogravimetry
kinetics
thermal lag
cellulose pyrolysis
metal oxide reduction
Opis:
Results for microcrystalline cellulose pyrolysis are presented, which includes thermogravimetric measurements and kinetic analysis of experimental data. The effect of sample mass size and heating rate on estimated values of activation energy and pre-exponential factor is demonstrated and a simple modification of procedure is proposed that allows for the correct values of kinetic parameters regardless of the experimental conditions. The efficiency of the proposed method is confirmed for two endothermic chemical reactions. A method of nonlinear regression is used for calculation of kinetic parameters for a single or TG curve or several curves simultaneously.
Źródło:
Chemical and Process Engineering; 2012, 33, 1; 85-94
0208-6425
2300-1925
Pojawia się w:
Chemical and Process Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Profil zmian stężenia związków węgla, azotu i fosforu w oczyszczalni ścieków komunalnych w Nowej Wsi Ełckiej
C, N AND p changes profile during municipal wastewater treatment in Elk W.W.t.p
Autorzy:
Ignatowicz, K.
Nowicki, Ł.
Puchlika, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/400293.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
oczyszczanie ścieków
osad czynny
Bardenpho
wastewater treatment
Bardenpho process
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań, na podstawie których określono profile zmian stężenia związków organicznych w ściekach, w tym ogólnego węgla organicznego oraz związków azotu i fosforu w nowoczesnej oczyszczalni ścieków pracującej w oparciu o system Bardenpho. Próbki pobierano zgodnie z przepływem wzdłuż przekroju oczyszczalni: ścieki surowe, po mechanicznym oczyszczeniu, po komorze defosfatacji, predenitryfikacji, denitryfikacji I stopnia, nitryfikacji I stopnia, denitryfikacji II stopnia, nitryfikacji II stopnia, ścieki oczyszczone. Stwierdzono, iż oczyszczalnia ścieków w Nowej wsi Ełckiej usuwa związki węgla do 99,77%, związki azotu do 92,05%, zaś fosforu do 99,45%. W znaczącym stopniu osiągane jest to dzięki defosfatacji i denitryfikacji, których to procesach bakterie akumulujące fosfor pobierają tlen z procesu redukcji azotanów (V).
The paper presents results of the researches which were base to find out profiles of organic substances changes in municipal wastewater treatment plant in Elk. The changes of organic carbon (TOC), nitrogen and phosphorus were checked during treatment in W.W.T.P. utilizing Bardenpho system. During researches samples were taken down by the wastewater treatment line: raw wastewater, after me-chanical treatment, dephosphatation, pre-denitrification, I and II step denitrification, outflow from W.W.T.P. It was found that Elk W.W.T.P. is characterized by high efficiency of carbon removal (up to 99,77%), nitrogen (up to 92,05%) and phosphorus (up to 99,45 %).It was mainly caused by the nitrification and phosphorus removal process when bacteria were intaken oxygen from nitrate V reduction process.
Źródło:
Inżynieria Ekologiczna; 2011, 24; 52-63
2081-139X
2392-0629
Pojawia się w:
Inżynieria Ekologiczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of the TG-MS system in studying sewage sludge pyrolysis and gasification
Autorzy:
Bedyk, T.
Nowicki, L.
Stolarek, P.
Ledakowicz, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778663.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
osad ściekowy
piroliza
gazyfikacja
analiza termiczna
spektrometria masowa
sewage sludge
pyrolysis
gasification
thermal analysis
mass spectrometry
Opis:
A method of monitoring sewage sludge pyrolysis and gasification was proposed. Samples of sludge were pyrolysed in Ar and gasified in CO2 in a thermobalance. The evolved gases were analysed on the calibrated MS, the samples of sludge and solid residues at different stages of the processes were subjected to elemental analysis. The identification and the quantitative characterisation of chemical reactions were performed, based on the DTG and MS profiles.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 1; 1-5
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Transformations in Ion Bombarded InGaAsP
Autorzy:
Ratajczak, R.
Turos, A.
Stonert, A.
Nowicki, L.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504046.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
Damage buildup and defect transformations at temperatures ranging from 15 K to 300 K in ion bombarded InGaAsP epitaxial layers on InP were studied by in situ Rutherford backscattering/channeling measurements using 1.4 MeV $\text{}^4He$ ions. Ion bombardment was performed using 150 keV N ions and 580 keV As ions to fluences ranging from 5 × $10^{12}$ to 6 × $10^{14}$ at./$cm^2$. Damage distributions were determined using the McChasy Monte Carlo simulation code assuming that they consist of randomly displaced lattice atoms and extended defects producing bending of atomic planes. Steep damage buildup up to amorphisation with increasing ion fluence was observed. Defect production rate increases with the ion mass and decreases with the implantation temperature. Parameters of damage buildup were evaluated in the frame of the multi-step damage accumulation model. Following ion bombardment at 15 K defect transformations upon warming up to 300 K have also been studied. Defect migration beginning above 100 K was revealed leading to a broad defect recovery stage with the activation energy of 0.1 eV for randomly displaced atoms and 0.15 eV for bent channels defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 136-139
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza odkształceń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji
Analysis of crystal lattice deformations in the vicinity of dislocations
Autorzy:
Jóźwik, P.
Turos, A.
Jagielski, J.
Natarajan, S.
Nowicki, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192188.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
analiza defektów złożonych
kanałowanie jonów
symulacje Monte Carlo
complex defect analysis
ion channeling
Monte Carlo simulations
Opis:
W pracy opisano procedury symulacji Monte Carlo procesu rozpraszania wstecznego w kryształach zawierających dyslokacje. Sigmoidalny kształt ugiętych rzędów (płaszczyzn) atomowych można przybliżyć funkcją arctan, co stanowi model dystorsji sieci krystalicznej w pobliżu półpłaszczyzny dyslokacji krawędziowej. Badania strukturalne kryształów AlGaN i SrTiO3 za pomocą HRTEM pozwoliły wyznaczyć parametry geometryczne zaburzeń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji (kąt ugięcia w punkcie przegięcia funkcji arctan oraz odległość między jej asymptotami). Zależność każdego z tych parametrów od odległości od krawędzi dyslokacji można przybliżyć funkcją ekspotencjalnego zaniku i wyznaczyć współczynniki tej funkcji. Dane te zostały wykorzystane w symulacjach Monte Carlo widm rozpraszania wstecznego AlGaN oraz SrTiO3 i pozwoliły na ilościową parametryzację rozkładu dyslokacji w defektowanych kryształach.
A procedure of Monte Carlo simulation of a backscattering process in crystals containing dislocations was described in this publication. Sigmoidally bent atomic rows (planes) can be approximated by an arctan function being a model of the lattice distortion in the vicinity of a dislocation. HRTEM analysis of AlGaN and SrTiO3 crystals allowed determination of the geometrical parameters of crystalline structure distortion in the vicinity of a dislocation (a bending angle at the inflexion point of the arctan function as well as the distance between its asymptotes). A dependence of each of these parameters on the distance from a dislocation edge can be approximated by an exponential decay function. The parameters of this function can be calculated from the experimental data. The parameters obtained were used in Monte Carlo simulation of the backscattering process in AlGaN and SrTiO3 and enabled quantitative determination of the depth distribution of dislocations in defected crystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 18-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions
Autorzy:
Vartanyantz, I. A.
Auleytner, J.
Nowicki, L.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945411.pdf
Data publikacji:
1996-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
Opis:
The X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy in channelling geometry were applied for the investigation of the structure of silicon single crystals implanted with 80 keV Fe ions. Both methods were used for the determination of crystal damage and lattice location of implanted metal atoms before and after thermal annealing. Both methods gave consistent results regarding the amorphization of Si due to the Fe-ion implantation. Moreover, using both methods some Fe substitution fraction was determined. The depth profiles of implanted atoms were compared to the results of computer simulations. Complementary use of X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy channelling techniques for studies of radiation damage and lattice location of implanted atoms is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 625-633
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kinetic characterisation of catalysts for methanol synthesis
Autorzy:
Ledakowicz, S.
Nowicki, L.
Petera, J.
Nizioł, J.
Kowalik, P.
Gołębiowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/185511.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
methanol synthesis
copper base catalyst
kinetics
Zr and Mg doping
synteza metanolu
katalizator na bazie miedzi
kinetyka
Opis:
The results of activity studies of four catalysts in methanol synthesis have been presented. A standard industrial catalyst TMC-3/1 was compared with two methanol catalysts promoted by the addition of magnesium and one promoted by zirconium. The kinetic analysis of the experimental results shows that the Cu/Zn/Al/Mg/1 catalyst was the least active. Although TMC-3/1 and Cu/Zn/Al/Mg/2 catalysts were characterised by a higher activity, the most active catalyst system was Cu/Zn/Al/Zr. The activity calculated for zirconium doped catalyst under operating conditions was approximately 30% higher that of TMC-3/1catalyst. The experimental data were used to identify the rate equations of two types – one purely empirical power rate equation and the other one - the Vanden Bussche & Froment kinetic model of methanol synthesis. The Cu/ZnO/Al2O3catalyst modified with zirconium has the highest application potential in methanol synthesis.
Źródło:
Chemical and Process Engineering; 2013, 34, 4; 497-506
0208-6425
2300-1925
Pojawia się w:
Chemical and Process Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of nuclear techniques for characterization of materials surfaces : own investigations examples
Autorzy:
Sartowska, B.
Piekoszewski, J.
Waliś, L.
Starosta, W.
Barlak, M.
Nowicki, L.
Ratajczak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146726.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS)
nuclear reaction analysis (NRA)
nuclear techniques
surface characterization
surface modification
Opis:
Different methods and techniques for material characterization are often used as a standard procedure for the determination of material properties. Nuclear techniques provide new and more detailed information about the investigated materials. The main goal of the carried out experiments was to improve surface properties including wear, corrosion and high temperature oxidation resistance. Modification processes were carried out using high intensity pulsed plasma beams - HIPPB (106-108 W.cm-2) generated in a rod plasma injector (RPI). In most solid materials such treatment leads to a fast transient melting of the surface layer of the substrate followed by rapid crystallization. Heating and cooling processes are of non-equilibrium type. Initial and modified materials were characterized using different investigation methods including nuclear techniques. Results of the used nuclear techniques such as nuclear reaction analysis (NRA), Rutherford backscattered spectroscopy (RBS) and conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS) are presented in the paper.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 4; 521-528
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
Autorzy:
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Turos, A.
Nowicki, L.
Sathish, N.
Jóźwik, P.
Muecklich, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 43

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies