Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Morkoç, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Enhancement and Narrowing of Excitonic Lines in AlInN/GaN Heterostructures
Autorzy:
Kundrotas, J.
Čerškus, A.
Liberis, J.
Matulionis, A.
Leach, J.
Morkoç, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505526.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
78.66.-w
71.55.Eq
71.35.-y
Opis:
A study of the photoluminescence properties of AlInN/GaN in comparison with the spectrum of the GaN active layer of the same heterostructure is presented. The strong intensity lines of the observed photoluminescence spectra are associated with the formation, enhancement and narrowing of the excitonic lines in the flat band region of the active GaN layer. The phenomena in the presence of electric field near the heterostructure interface with the two-dimensional electron system are associated with nonlinear behaviour of recombination processes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 173-176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Signature of Hot Phonons in Reliability of Nitride Transistors and Signal Delay
Autorzy:
Matulionis, A.
Liberis, J.
Matulionienė, I.
Šermukšnis, E.
Leach, J.
Wu, M.
Ni, X.
Morkoç, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506173.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.70.+m
73.50.Fq
73.61.Ey
Opis:
Lifetime of non-equilibrium (hot) phonons in biased GaN heterostructures with two-dimensional electron gas channels was estimated from hot-electron fluctuations. Dependence of the lifetime on the electron density is not monotonous - the resonance-type fastest decay serves as a signature of hot phonons. The signature is resolved in nitride heterostructure field effect transistors when the gate voltage is used to change the channel electron density. The transistor cut-off frequency decreases on both sides of the resonance in agreement with the enhanced electron scattering caused by longer hot-phonon lifetimes. The signature is also noted in device reliability experiment: the enhanced temperature of hot phonons, possibly, triggers formation of new defects and accelerates device degradation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 225-227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies