Lifetime of non-equilibrium (hot) phonons in biased GaN heterostructures with two-dimensional electron gas channels was estimated from hot-electron fluctuations. Dependence of the lifetime on the electron density is not monotonous - the resonance-type fastest decay serves as a signature of hot phonons. The signature is resolved in nitride heterostructure field effect transistors when the gate voltage is used to change the channel electron density. The transistor cut-off frequency decreases on both sides of the resonance in agreement with the enhanced electron scattering caused by longer hot-phonon lifetimes. The signature is also noted in device reliability experiment: the enhanced temperature of hot phonons, possibly, triggers formation of new defects and accelerates device degradation.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE W OKRESIE WAKACYJNYM BIBLIOTEKA BĘDZIE FUNKCJONOWAŁA W ZMIENIONYCH GODZINACH::
od 15 do 31 lipca:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
Czytelnia Działu Zbiorów Specjalnych:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
od 1 do 31 sierpnia:
BIBLIOTEKA BĘDZIE NIECZYNNA
UWAGA:
Zwrotu wypożyczonych materiałów można dokonać u dyżurującego bibliotekarza w Wypożyczalni Głównej od 9.00 do 15.00.
Na pozycje, których termin zwrotu przypadnie od 1 do 31 sierpnia, wprowadzona zostanie prolongata (nowy termin zwrotu – 6 września).