Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mirowska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    Hałas w budynkach - aktualizacja polskich norm
    Noise in buildings – updated Polish standards
    Autorzy:
    Mirowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180739.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    hałas
    hałas w budynkach
    normalizacja
    pomiary hałasu
    noise
    noise in buildings
    normalization
    noise measurements
    Opis:
    W artykule przeanalizowano kierunki zmian polskich norm dotyczących pomiaru i oceny hałasu instalacyjnego w budynkach. Omówiono nowe metody pomiaru hałasu instalacyjnego zalecane w normach PN EN ISO 16032 (metoda dokładna) i PN EN ISO 10052 (metoda uproszczona). Zalecenia nowych norm europejskich porównano z zaleceniami norm dotychczas obowiązujących w Polsce. Przedstawiono propozycje metod oceny i dopuszczalnych poziomów hałasu w pomieszczeniach, zwłaszcza hałasu od urządzeń wyposażenia technicznego budynku, takich jak: wentylatory, klimatyzatory, pompy, transformatory, agregaty chłodnicze itp. do wprowadzenia w znowelizowanej normie PN-87/B-02151/02.
    This paper analyses the directions of changes of Polish Standards in the field of measurement and assessment of noise in buildings caused by service equipment. New measurement methods and quantities for the evaluation of sound pressure levels given in standards PN EN ISO 16032 (engineering method) and PN EN ISO 10052 (survey method) are discussed. The recommendations of European Standards are compared with current acts in Poland. The evaluation methods and permissible levels of noise in rooms, especially noise penetrating into rooms from appliances installed inside or outside of building such as fans, air-conditioners, pumps, transformers, refrigerator units, etc., proposed for updated Polish Standard PN-87/B- 02151/02 are given.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 7/8; 16-19
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ długotrwałego oddziaływania hałasu niskoczęstotliwościowego na zdrowie mieszkańców w świetle badań ankietowych
    Influence of long-term effect of low-frequency noise on health of dewellers in the light of questionnaire investigation
    Autorzy:
    Mirowska, M.
    Mróz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/183295.pdf
    Data publikacji:
    1999
    Wydawca:
    Instytut Techniki Budowlanej
    Tematy:
    hałas niskoczęstotliwościowy
    zdrowie człowieka
    środowisko mieszkaniowe
    badanie ankietowe
    Opis:
    Omówiono wyniki badań epidemiologicznych, przeprowadzonych przez Akademię Medyczną w Warszawie przy współpracy z Zakładem Akustyki ITB wśród mieszkańców narażonych w środowisku domowym na hałas niskoczęstotliwościowy, przenikający do pomieszczeń mieszkalnych od urządzeń wyposażenia technicznego budynku bądź z punktów usługowych. Na podstawie badań ankietowych i wywiadów dokonano oceny wpływu hałasu na zdrowie mieszkańców.
    The paper presents results of investigation performed by the Department of Epidemiology of the Medical Academy in Warsaw jointly with the Department of Acoustics of the Building Research Institute. The study concerned the dwellers exposed to a low-frequency noise in their residential area. The noise was coming from the appliances installed inside the building or service workshops. Based on the questionnaire investigation and interviews it was made the evaluation of a long-lasting effect of the low-frequency noise on health of dwellers.
    Źródło:
    Prace Instytutu Techniki Budowlanej; 1999, R. 28, nr 1, 1; 55-62
    0138-0796
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Techniki Budowlanej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowe wskaźniki oceny właściwości akustycznych materiałów, wyrobów i elementów budowlanych
    New single number ratings for acoustic properties of building materials and elements
    Autorzy:
    Mirowska, M.
    Żuchowicz-Wodnikowska, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/183249.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Techniki Budowlanej
    Tematy:
    akustyka budowlana
    normalizacja
    właściwości akustyczne
    materiał budowlany
    wyrób budowlany
    element budowlany
    norma europejska
    Opis:
    W ostatnich latach zostało ustanowionych wiele norm PN z zakresu akustyki budowlanej. Normy te w większości są tłumaczeniami norm europejskich i zawierają nowe podejście do przedstawiania parametrów akustycznych elementów budowlanych i wyrobów. W niniejszym artykule podano ostatnio ustanowione normy oraz przegląd wskaźników oceny właściwości akustycznych materiałów, wyrobów i elementów budowlanych, wynikających z wprowadzenia norm europejskich.
    Many new Polish Standards (PN ) concerning building acoustics were established recently, the most of which had been adopted from European Standards. These standards reflects a new approach to parameters used for description of acoustic properties of building materials and elements. This papar specifies newly established Polish Standards and related European Standards. The paper also contains a review of single number ratings, introduced to the new Polish Standards from European Standards, for assessment of acoustic properties of building materials and elements.
    Źródło:
    Prace Instytutu Techniki Budowlanej; 2001, R. 30, nr 3, 3; 77-83
    0138-0796
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Techniki Budowlanej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
    Homogeneity of electrical parameters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
    Autorzy:
    Mirowska, A.
    Orłowski, W.
    Piersa, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192114.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaSb
    metoda Czochralskiego
    segregacja
    własności elektryczne
    Czochralski method
    segregation
    electrical parameters
    homogeneity
    Opis:
    Monokryształy antymonku galu (GaSb) domieszkowane tellurem prezentowane w tej pracy otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Uzyskano płytki monokrystaliczne GaSb:Te o przewodnictwie zarówno typu n jak i typu p. Płytki GaSb:Te typu n charakteryzowały się standardową koncentracją nośników ładunku (od 2 x 1017 do 2 x 1018 cm-3) oraz poniżej 2 x 1017 cm-3. Dla płytek monokrystalicznych GaSb:Te typu p koncentracja dziur wynosiła od 2 x 1016do 4 x 1016 cm-3. Zbadano zarówno osiowe, jak i radialne rozkłady własności elektrycznych otrzymanych kryształów GaSb:Te. W oparciu o pomiary hallowskie w funkcji temperatury porównano własności niedomieszkowanych monokryształów otrzymanych z antymonu pochodzącego z różnych źródeł oraz kryształów domieszkowanych tellurem o typie przewodnictwa p oraz typie n.
    Gallium antimonide (GaSb) single crystals undoped and doped with tellurium with n-type or p-type conductivity were grown by a modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with standard carrier concentration from 2 x 1017 to 2 x 1018 cm-3 as well as below 2 x 1017 cm-3 for low Te-doped single crystals. Hole concentration in the cas of tellurium doped p-type GaSb wafers varied between 4 x 1016 and 2 x 1016 cm-3. Axial and radial distribution of electrical parameters were investigated for the obtained Te-doped GaSb single crystals. A great contribution of compensation and self-compensation mechanisms was confirmed especially for low Te-doped GaSb single crystals. Temperature dependent Hall measurements were used to compare undoped GaSb crystals obtained from Sb of different purity tellurium doped GaSb with n-type or p-type conductivity.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 3-21
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hand hygiene as the basic method of reducing Clostridium difficile infections (CDI) in a hospital environment
    Autorzy:
    Kiersnowska, Z.M.
    Lemiech-Mirowska, E.
    Michałkiewicz, M.
    Marczak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/28762718.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 4; 535-540
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Impact of Different Conditions of Technological Process on Thermoelectric Properties of Fine-Grained PbTe
    Autorzy:
    Królicka, A.
    Materna, A.
    Piersa, M.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185703.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.Fq
    73.20.Hb
    81.20.Wk
    81.20.Ev
    Opis:
    The aim of this work was to obtain PbTe material in the desired way in order to control the combined impact of lattice disorder, nanoscale precipitates and reduced grain sizes on the thermoelectric properties of this material. To achieve this, PbTe ingot doped with Ag was obtained by the Bridgman method, followed by ball-milling, cold pressing and sintering. In order to estimate crystallites diameters grain size measurements were carried out using the optical microscopy. Studies of electrical and thermoelectric properties of fine-grained material were performed. In order to analyze the morphology and the composition scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy were performed. Energy-dispersive X-ray spectroscopy analysis also revealed presence of Ag-Te precipitates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1255-1258
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The role of acetylsalicylic acid and circulating microRNAs in primary prevention of cardiovascular events in patients with Diabetes Mellitus Type 2 - a review
    Autorzy:
    Chabior, A.
    Pordzik, J.
    Mirowska-Guzel, D.
    Postuła, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2085138.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Tematy:
    diabetes mellitus
    primary prevention
    platelets
    acetylsalicylic acid
    microRNA
    Opis:
    Introduction. Type 2 diabetes mellitus (T2DM) is a common metabolic disorder, which carries a risk for atherosclerosis and cardiovascular impairment. The purpose of this review is to demonstrate the role of acetylsalicylic acid (ASA) in primary cardiovascular prevention in T2DM patients, as well as present an outline of microRNAs (miRNA) relevant to ASA therapy and should be evaluated as targets to improve treatment. Brief description of state of knowledge. Although the etiology of hypercoagulable state in T2DM is considered multifactorial, attention mainly focuses on platelet disturbances. Platelets in T2DM not only demonstrate intensified adhesion, activation, aggregation, and thrombin generation, but are likely to deliver miRNAs at specific sites of action in the cardiovascular system, hence contributing to the pathogenesis of cardiovascular events. Objective. Since cardiovascular disease (CVD) is currently the leading cause of mortality among T2DM patients, appropriate risk stratification and management is necessary to reduce morbidity and mortality in this group. A large number of T2DM patients show inadequate response to antiplatelet therapy, which currently revolves around ASA, despite compliance with treatment regimens proposed by the guidelines. Conclusions. The review shows that the use of ASA for primary prevention is beneficial in patients at high cardiovascular risk. However, it is important to select patients in whom ASA therapy will bring the most beneficial outcome with minimal risk for adverse effects. This can be potentially achieved with the use of unique biomarkers. The biologically diverse characteristics of miRNA make them a promising novel biomarker and potential tool for better risk stratification, as well as antiplatelet therapy optimization.
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2019, 26, 4; 515-522
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nosocomial infections as one of the most important problems of the healthcare system
    Autorzy:
    Lemiech-Mirowska, E.
    Kiersnowska, Z.M.
    Michałkiewicz, M.
    Depta, A.
    Marczak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/28762753.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 3; 361-366
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ethanol as a stimulus to risky and auto-aggressive behaviour
    Autorzy:
    Lasota, D.
    Pawłowski, W.
    Mirowska-Guzel, D.
    Goniewicz, K.
    Goniewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/28762810.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 2; 220-223
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Problems of Clostridium difficile infection (CDI) in Polish healthcare units
    Autorzy:
    Kiersnowska, Z.
    Lemiech-Mirowska, E.
    Ginter-Kramarczyk, D.
    Kruszelnicka, I.
    Michałkiewicz, M.
    Marczak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/28762808.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 2; 224-230
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
    Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaP
    własności elektryczne
    własności optyczne
    optical properties
    electrical properties
    Opis:
    Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
    Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
    Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Surma, B.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    widmo absorpcyjne w podczerwieni
    krzywa kalibracji
    niedomieszkowany monokryształ GaP
    określanie koncentracji węgla
    Opis:
    W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
    Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Mirowska, A.
    Rojek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    arsenek galu
    SI GaAs
    metoda Czochralskiego
    LEC
    orientacja
    gallium arsenide
    Czochralski method
    orientation
    Opis:
    Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
    The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Opis:
    Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
    A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies