Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Medvids, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Raman Characterisation of $Cd_{1-x}Zn_x$ Te Thick Polycrystalline Films Obtained by the Close-Spaced Sublimation
Autorzy:
Znamenshchykov, Y.
Kosyak, V.
Opanasyuk, A.
Dorda, V.
Fochuk, P.
Medvids, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398336.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Ef
81.05.Dz
Opis:
In this work, we studied the Raman spectra of thick polycrystalline $Cd_{1-x}Zn_x$ Te (CZT) films with x ranged from 0.06 to 0.68. Additionally, the surface morphology and structural properties were studied in order to determine the crystalline quality of the samples. The Raman spectra had a two-mode behavior typical for CZT solid solution and showed CdTe- and ZnTe-like longitudinal and transverse optical modes. The relationship between the frequencies of CdTe- and ZnTe-related modes on x was studied. We observed the deviation of the compositional dependence of phonon mode frequencies for polycrystalline CZT films in comparison with a similar dependence for CZT single crystals. Such deviation was caused by the effect of structural defects in polycrystalline films on frequencies of vibrational modes. The values of excitation wavelength, which allow achieving of high signal-to-noise ratio on the Raman spectra of CZT films with different zinc concentration in the result of resonant enhancement of phonon modes intensities, were experimentally determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1430-1435
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of Optical and Photoelectrical Properties of ZnO Crystals
Autorzy:
Onufrijevs, P.
Serevičius, T.
Scajev, P.
Manolis, G.
Medvids, A.
Chernyak, L.
Kuokstis, E.
Yang, C.
Jarasiunas, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506285.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.15.+e
78.45.+h
78.30.Fs
Opis:
We characterized optical and photoelectrical properties of undoped and Ga-doped ZnO layers differently grown on sapphire substrates by using complementary optical methods. Different stimulated emission threshold values for ZnO epitaxial layers grown by pulsed laser deposition and MBE methods were attributed to crystalline quality of the layers and the growth method used. Different carrier lifetimes in various ZnO epitaxial layers are explained by defect-related and intrinsic mechanisms of recombination.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 274-276
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies