Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Korona, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 40
Tytuł:
High-performance FPGA Architecture for Data Streams Processing on Example of IPsec Gateway
Autorzy:
Korona, M.
Skowron, K.
Trzepinski, M.
Rawski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227331.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
IPsec
FPGA
hardware implementation
data stream processing
Opis:
In modern digital world, there is a strong demand for efficient data streams processing methods. One of application areas is cybersecurity - IPsec is a suite of protocols that adds security to communication at the IP level. This paper presents principles of high-performance FPGA architecture for data streams processing on example of IPsec gateway implementation. Efficiency of the proposed solution allows to use it in networks with data rates of several Gbit/s.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2018, 64, 3; 351-356
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ obróbki cieplnej na barwę i właściwości antyoksydacyjne róż i łodygi brokułu
Influence of heat treatment on colour and antioxidante properties of broccoli florets and stalk
Autorzy:
Kozlowicz, K.
Goral, D.
Kluza, F.
Jablonska-Rys, E.
Zalewska-Korona, M.
Wojtowicz, A.
Goral, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/805988.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Opis:
Celem badań było określenie wpływu blanszowania, zamrażania oraz liofilizacji na zawartość związków fenolowych, właściwości antyoksydacyjne i barwę róż brokułu z uwzględnieniem łodygi jako części użytkowej. W badanym surowcu oznaczono zawartość wody, całkowitą zawartość związków fenolowych, właściwości przeciwutleniające (DPPH) oraz wartość siły redukującej i zdolność redukowania jonów żelaza (FRAP). Barwę mierzono w systemie CIE – L*a*b*. Stwierdzono, że zawartość związków fenolowych w różach i w łodydze brokułu oraz aktywność przeciwutleniająca ulegają zmniejszeniu w wyniku blanszowania oraz procesu zamrażania. Blanszowanie oraz zamrażanie róż brokułu powodują istotne zmiany w ich barwie. W przypadku łodygi, zarówno rdzenia, jak i perydermy, nie zaobserwowano istotnych statystycznie zmian w różnicy barwy i jej nasyceniu w wyniku blanszowania, zamrażania i liofilizacji. Biorąc pod uwagę otrzymane wyniki stwierdzono, że łodyga brokułu może stanowić cenne źródło związków fenolowych.
Broccoli (Brassica oleracea L. var Italica) belonges to cruciferous family and is popular for their appealing colour, flavor and texture. Broccoli is rich in health-promoting compounds such as ascorbic acid, tocopherol, β-carotene, polyphenols, glucosinolate, flavonoids and selenium. These compounds are known to provide different degree of protection against cancer and cardiovascular diseases. However, fresh broccoli has a limited shelf-life. It is well known that freezing is one of the most efficient methods to preserve perishable fruits and vegetables. The aim of this research was to evaluate how blanching, freezing and freeze-drying impact on the contents of phenolic compounds, antioxidant properties and colour of broccoli florets and stalk. Broccoli florets and stalk were blanched in water or vapor, frozen and lyophilized. Water content in samples was determined according to AOAC. Samples were freeze-dried (Christ LOC-1m firmy ALPHA 2-4 L D plus) at the pressure 20Pa. The total phenolic content was determined according to the Folin-Ciocalteu procedure and calculated as gallic acid equivalents (GAE). Free radical scavenging activity was determined using the DPPH method in ethanol extracts. The reducing power of the extracts was measured by the ferric reducing/antioxidant power (FRAP) technique. The colour was measured in the CIE Lab system with the calculation of colour difference and change in saturation of colour. The results showed that the broccoli florets were characterised by higher content of phenolic compounds and higher antioxidant activity than the broccoli stalk. The content of phenolic compounds in fresh florets came to 198.12 mg/100 g sample, and in fresh stalk 92.70 mg/100 g sample. The blanching in water or vapor and then freezing significantly increased the content of phenolic compounds and reduced antioxidant properties of both florets and stalk. The blanching and freezing of broccoli florets cause a significant decrease in colour brightness, an increase in the proportion of green and yellow. In the case of stalk, both its core and periderm, blanching and freezing did not significant affect the value of the L* parameter and the a* chromaticity coefficient. There were no significantly changes in color and difference in saturation between fresh broccoli floret and stalk and after its freeze-drying. It has been shown that the stalk is a valuable source of important nutritionally ingredients and can be used in food processing.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 2017, 590
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Model of Radiative Recombination in (In,Al,Ga)N/GaN Structures with Significant Potential Fluctuations
Autorzy:
Dróżdż, P.
Korona, K.
Sarzyński, M.
Czernecki, R.
Skierbiszewski, C.
Muzioł, G.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1185815.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.22.-f
78.47.jd
Opis:
The potential fluctuations in III-nitride quantum wells lead to many effects like emission broadening and S-shape energy vs. temperature dependence. The best description of the energy dependence comes from calculations based on Gaussian density of states. However, in most of the published reports, changes of carrier lifetime with energy and temperature are not taken into account. Since experimental evidence shows that lifetime significantly depends on energy and temperature, here we propose a model that describes two basic parameters of luminescence: lifetime of carries and emission energy as a function of temperature in the case of quantum wells and layers that are characterized by potential fluctuations. Comparison of the measured energy and lifetime dependences on temperature in specially grown InGaN/GaN quantum wells and InAlGaN layer shows very good agreement with the proposed theoretical approach.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1209-1212
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Efficient Emission from InAlGaAs Single Quantum Dots with Low Lattice Misfit and AlGaAs Indirect Bandgap Barrier
Autorzy:
Słupiński, T.
Korona, K.
Papierska, J.
Borysiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398581.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.22.-f
78.47.jd
Opis:
We report on molecular beam epitaxy growth and properties of rarely studied quaternary In_{0.4}(Al_{0.75}Ga_{0.25})_{0.6}As self-assembled quantum dots, which show strong and efficient emission of red light from single quantum dots. The increased yield is, among others, due to efficient energy transfer from indirect band-gap Al_{0.75}Ga_{0.25}As barriers. To maximize photon energy emitted from quantum dots, low In composition, x_{In} = 0.4 was applied, which also lowered the lattice misfit close to the limit of 2D/3D transition in the Stranski-Krastanov growth mode. Time-resolved micro-photoluminescence shows emission at 650-750 nm. Well-resolved single quantum dot photoluminescence lines (decay time of ≈ 1-2 ns) are observed despite a high concentration ≈ 3×10¹¹ cm¯² of quantum dots. We discuss this observation assuming newly a role of carriers or excitons diffusion/tunneling between quantum dots at high surface concentration of dots and a possible role of lattice disorder inside the dot on the exciton lifetime.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1229-1232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and optical properties of boron nitride grown by MOVPE
Autorzy:
Dąbrowska, A.
Pakuła, K.
Bożek, R.
Rousset, J.
Ziółkowska, D.
Gołasa, K.
Korona, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1160531.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
78.30.Fs
78.20.-e
Opis:
Boron nitride layers were grown on sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy system that was originally designed for growth of GaN. Structures were characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, the Raman spectroscopy, absorption and time resolved photoluminescence. Presented results confirm successful deposition of BN layers and gives information about basic properties of the material. The Raman line at 1370 cm^{-1} and absorption edges at 5.6-5.9 eV were observed which is related to hexagonal phase.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-129-A-131
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie procesu transferu ładunku wzbudzanego światłem w organicznych ogniwach słonecznych za pomocą czasowo rozdzielczej fotoluminescencji i pobudzanego światłem elektronowego rezonansu spinowego
Detection of Photo-Induced Charge Transfer in Organic Solar Cells by Time-Resolved Photoluminescence and Light-Induced Electron Spin Reseonance
Autorzy:
Grankowska-Ciechanowicz, S.
Iwan, A.
Wołoś, A.
Korona, K. P.
Kamińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160166.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
transfer ładunku
organiczne ogniwa słoneczne
czasowo rozdzielcza fotoluminescencja
pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy
charge transfer
organic solar cells
TRPL
(L)ESR
Opis:
Organiczne ogniwa słoneczne są jednym z obiecujących sposobów przetwarzania energii słonecznej w elektryczną. Procesem mającym decydujący wpływ na ich działanie, jest transfer ładunku wzbudzany światłem. Techniki pomiarowe, które znalazły zastosowanie do bezpośredniej detekcji tego procesu, to czasowo rozdzielcza fotoluminescencja (TRPL – ang. time-resolved photoluminescence) i pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy (LESR – ang. light-induced electron spin resonance). Efektywny transfer ładunku, przy pomocy TRPL, rejestrowany jest jako wygaszanie luminescencji w wyniku przestrzennego rozseparowania ładunków przeciwnego znaku, a za pomocą LESR jako dwie linie pochodzące od dodatniego polaronu po stronie donora i ujemnego polarnu po stronie akceptora. W niniejszej pracy omówione zostaną wymienione techniki pomiarowe oraz ich zastosowanie do detekcji efektywnego transferu ładunku w organicznych ogniwach słonecznych.
The organic solar cells are considered as promising way to convert solar energy into electricity. A crucial step in their operations is a photo-induced charge transfer (CT). Techniques, which directly detect this phenomenon, are Time-Resolved Photoluminescence (TRPL) and Light-induced Electron Spin Resonance (LESR). Effective photo-induced CT results in electrons and holes separation and creation of positive and negative polarons. First process is registered by TRPL as luminescence quenching, second by LESR as two lines, one from positive, and another from negative polarons. In this article, both techniques will be described as well their application in effective CT detection.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 65-71
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Studies of Graphene Deposited on GaN Nanowires
Autorzy:
Kierdaszuk, J.
Kaźmierczak, P.
Drabińska, A.
Wysmołek, A.
Korona, K.
Kamińska, M.
Pakuła, K.
Pasternak, I.
Krajewska, A.
Żytkiewicz, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195433.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.ue
72.10.Fk
78.67.Wj
72.80.Vp
Opis:
In this paper using scanning electron microscope, contactless microwave electronic transport and the Raman spectroscopy we studied the properties of graphene deposited on GaN nanowires and compared it with the graphene deposited on GaN epilayer. The Raman micro-mapping showed that nanowires locally change the strain and the concentration of carriers in graphene. Additionally we observed that nanowires increase the intensity of the Raman spectra by more than one order of magnitude.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1087-1089
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Molybdenum Disulfide $(MoS_2)$
Autorzy:
Gołasa, K.
Grzeszczyk, M.
Korona, K.
Bożek, R.
Binder, J.
Szczytko, J.
Wysmołek, A.
Babiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399110.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.22.-m
71.35.-y
78.20.-e
78.30.-j
Opis:
Research of a monolayer and a bulk $MoS_2$ is reported. The room temperature Raman spectra of the natural $MoS_2$ crystals for the both resonant (632.8 nm) and the non-resonant (532 nm) excitation are presented. The apparent differences observed in the spectra from the bulk and the one monolayer $MoS_2$ are discussed. In particular, the feature due to a first order scattering involving the LA(M) phonon in the resonance Raman spectrum of the one monolayer $MoS_2$ was observed and explained in terms of the disorder in the natural crystal. The disorder is also documented by the line-shape of the room-temperature photoluminescence spectra observed from both the bulk and the one monolayer $MoS_2$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 849-851
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optyczna, spektroskopowa i elektryczna charakterystyka poliazometiny PAZ
Optical, spectroscopic and electrical characterisation of polyazomethine PAZ
Autorzy:
Grankowska, S.
Iwan, A.
Wołoś, A.
Palewicz, M.
Chuchmała, A.
Korona, K.
Kamińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159349.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
poliazometiny
organiczne ogniwa słoneczne (OSC)
fotoluminescencja
EPR
polyazomethines
organic solar cells (OSC)
photoluminescence
Opis:
W ostatnich latach włożono ogromny wysiłek w poszukiwanie materiałów, które znacznie obniżyłyby koszty fotowoltaiki. Badania te doprowadziły do rozwoju organicznych ogniw słonecznych (OSC), których fotoaktywna warstwa składa się z materiału donorowego i akceptorowego. Donorami najczęściej są polimery, a akceptorami pochodne fulerenów. Podstawowym procesem decydującym o wydajności ogniwa jest transfer ładunku (CT) z donora do akceptora. Poliazometina PAZ została zsyntezowana z myślą zastosowania jej jako materiał donorowy w objętościowych ogniwach fotowoltaicznych (IEL Wrocław). Pod tym kątem została też przeprowadzona jej charakterystyka za pomocą takich technik jak: absorpcja, fotoluminescencja (PL), fotoluminescencja czasowo rozdzielona (TRPL) i spektroskopia rezonansu paramagnetycznego (EPR). PAZ absorbuje głównie promieniowanie z zakresu światła widzialnego. Dodatkowo widmo PL przesunięte jest w kierunku dłuższych długości fali względem pasma absorpcji – wydłużony czas zaniku pozwala na efektywny CT. Dla skonstruowanych ogniw objętościowych zawierających poliazometinę PAZ w warstwie aktywnej ogniwa oraz pochodną fulerenu PCBM wykonano charakterystyki prądowo-napięciowe z użyciem lampy ksenonowej jako źródła światła oraz spektroskopię impedancyjną. Badana poliazometina wykazywała efekt fotowoltaiczny, a wartość sprawności ogniwa organicznego zależna była od stosunku wagowego poliazometiny do PCBM. Dodatkowe informacje o zachodzącym CT uzyskano za pomocą pomiarów EPR.
New, low-cost materials for photovoltaic are an object of intensive studies in recent years. Thus, the new type of solar cells based on organic materials has been developed. It is called organic solar cells (OSC). Their photoactive layer is composed of donor and acceptor materials, mostly polymers and fullerenes derivatives respectively. Charge transfer (CT) from donor to acceptor is a crucial process, which decides about efficiency of OSC. Polyazomethine PAZ was synthesised in IEL Wroclaw as a new donor material for bulk-heterojunction (BHJ) OSC. Therefore, characteristic was done to check that it fulfils all requirements for this type of material. Used techniques: absorbance, photoluminescence (PL), time resolved photoluminescence (TRPL) and electron paramagnetic resonance spectroscopy (EPR). PAZ absorbs mostly visible light. Moreover its PL spectrum is shifted in direction of higher wavelengths versus their absorption spectrum. Longer decay time allows to efficient CT. Current density–voltage (J–U) characteristics of the devices based on polyazomethine PAZ and PCBM were measured along with impedance spectroscopy. Investigated polyazomethine exhibited photovoltaic effect, however power conversion efficiency depends on the weight ratio of PAZ to PCBM. Additional information about CT was obtained using EPR.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 31-32
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
Autorzy:
Korona, K.
Zytkiewicz, Z.
Perkowska, P.
Borysiuk, J.
Binder, J.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.22.-f
78.47.jd
Opis:
In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs
Autorzy:
Binder, J.
Korona, K.
Borysiuk, J.
Wysmołek, A.
Baeumler, M.
Köhler, K.
Kirste, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492933.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
72.40.+w
73.61.Ey
Opis:
In this work we present measurements of GaInN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an active layer consisting of three quantum wells made of $Ga_{0.9}In_{0.10}N$ that have different widths (1.8 nm, 2.7 nm, 3.7 nm). A comparison of emission and absorption (photocurrent) on the same sample revealed a shift in energy, with the emission energy being significantly lower. The shifts are about 0.02 eV, 0.03 eV, and 0.04 eV for the quantum wells having the widths of 1.8 nm, 2.7 nm, and 3.7 nm, respectively. This can be explained by a shift of the ground state energy caused by the quantum confined Stark effect. Calculations show that due to the spontaneous polarization and the piezoelectric effect a strong electric field of the order of 1 MV/cm was present in the GaInN quantum wells. Simulations of ground-state energies in the model of an infinite square well under the influence of an electric field with a matched effective well width were performed and used to interpret the experimental results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 918-920
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anharmonic Optical Phonon Effects in ZnO Nanocrystals
Autorzy:
Khusnutdinov, S. V.
Dynowska, E.
Zaleszczyk, W.
Makhniy, V. P.
Wysmołek, A.
Korona, K. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048106.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
74.25.nd
63.20.kg
Opis:
Zinc oxide (ZnO) is a very promising material for optoelectrical devices operating at the short-wavelength end of the visible spectral range and at the near UV. The Raman scattering studies of ZnO heterolayers formed by isothermal annealing show sharp phonon lines. In addition to the A$\text{}_{1}$(TO), E$\text{}_{1}$(TO), E$\text{}_{2}^{H}$, and E$\text{}_{1}$(LO) one-phonon lines, we observed two-phonon lines identified as: E$\text{}_{2}^{H}$ - E$\text{}_{2}^{L}$, E$\text{}_{2}^{H}$ + E$\text{}_{2}^{L}$, and 2LO at 332, 541, and 1160 cm$\text{}^{-1}$, respectively (at room temperature). The identification of the E$\text{}_{2}^{H}$ - E$\text{}_{2}^{L}$ peak was confirmed by its thermal dependence. Temperature dependent measurements in the range 6-300 K show that the phonon frequencies decrease with temperature. The E$\text{}_{2}^{H}$ peak is at energy 54.44 meV (439.1 cm$\text{}^{-1}$), at 4 K and due to phonon-phonon anharmonic interaction, its energy decreases to 54.33 meV (438.2 cm$\text{}^{-1}$) at room temperature. The Grüneisen parameter found for this oscillation mode was γ$\text{}_{E}$ 2H = 1.1 at about 300 K. The intensity of the E$\text{}_{2}^{H}$ - E$\text{}_{2}^{L}$ peak increases strongly with temperature and this dependence can be described by the Bose-Einstein statistics with activation energy of 13.8 meV (nearly equal to the energy of the E$\text{}_{2}^{L}$ phonon).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 678-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Spectroscopy of $LiFePO_4$ and $Li_3V_2(PO_4)_3$ Prepared as Cathode Materials
Autorzy:
Ziółkowska, D.
Korona, K.
Kamińska, M.
Grzanka, E.
Andrzejczuk, M.
Wu, S.
Chen, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493017.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
82.80.Gk
82.47.Aa
Opis:
Structure of samples of lithium iron vanadium phosphates of different compositions were investigated by X-rays, electron microscopy and Raman spectroscopy. The investigated salts were mainly of olivine-like and NASICON-like structures. The X-ray diffraction and the Raman scattering show different crystalline structures, which is probably caused by difference between cores of the crystallites (probed by X-rays) and their shells (probed by the Raman scattering). Most of the Raman spectra were identified with previously published data, however in the samples with high vanadium concentration we have observed new, not reported earlier modes at 835 $cm^{-1}$ and 877 $cm^{-1}$, that we identified as oscillations related to $V_2O_7^{4-}$ or $VO_4^{3-}$ anions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 973-975
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
Autorzy:
Grodecki, K.
Drabińska, A.
Bożek, R.
Wysmołek, A.
Korona, K.
Strupiński, W.
Borysiuk, J.
Stępniewski, R.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Tr
78.40.Ri
78.30.Na
63.20.dd
63.20.kd
Opis:
Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport of Photoexcited Electron-Hole Plasma in GaN/AlGaN Quantum Well
Autorzy:
Korona, K.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791352.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
72.40.+w
Opis:
We report spatially resolved photocurrent measurements showing transport of excitation on long distances in plane of a 6 nm GaN/$Al_{0.1}Ga_{0.9}N$ quantum well. The strong field present in nitrides (due to large spontaneous and piezoelectric polarizations) leads to lower recombination rates of electrons and holes, so in the case of electron-hole pairs excited by light, relatively long-lived electron-hole plasma could be generated. In the case of the investigated quantum well, lifetime of few μs was expected. The thermal measurements showed that barriers were low enough, so all excited carriers could reach the electrode (thermal activation energy of 0.11 eV was found). The diffusion length for unbiased structure was about 40 μm. It was observed that the charge transport could be clearly accelerated by bias. In the biased quantum well, the transport range was of the order of 100 μm under both positive and negative bias. The reported effect of long transport range is very important for electronic devices made on the GaN/AlGaN structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 927-929
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 40

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies