Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Korbutowicz, R" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Interface and Surface Subsignals in Photoreflectance Spectra for GaAs/SI-GaAs Structures
Autorzy:
Jezierski, K.
Sitarek, P.
Misiewicz, J.
Panek, M.
Ściana, B.
Korbutowicz, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933782.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
71.35.+z
Opis:
Photoreflectance spectra were measured at room temperature for energies in the vicinity of the E$\text{}_{0}$ critical point for p-type as well as n-type doped GaAs/SI-GaAs structures. Depending on the doping concentration the existence of two photoreflectance subsignals was observed; the first one arises from the surface space charge region while the second one from the interface region. The decomposition of photoreflectance spectrum into surface and interface subsignals was based on the photoreflectance measurements carried out for different wavelengths of the laser pump beam.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 751-754
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gallium oxide buffer layers for gallium nitride epitaxy
Autorzy:
Korbutowicz, R
Wnek, J
Panachida, P
Serafinczuk, J
Srnanek, R
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174303.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
hydride vapour phase epitaxy
gallium nitride
gallium oxide
thermal oxidation
buffer layer
Opis:
Gallium nitride (GaN) is very attractive semiconductor material because of its unique properties. The serious matter is a lack of easy access to bulk crystals of GaN. Synthesized crystals are precious and rather small. For these reasons almost all device manufacturers and researchers apply alternative substrates for gallium nitride devices epitaxy and it causes that the technology is intricate. Alternative substrates need buffer layers – their technology is usually complex and expensive. We have proposed a simple method to avoid large costs: applying gallium oxide – monoclinic β-Ga2O3, as the buffer layer, which has structural properties quite good matched to GaN. As the substrates made from single crystal gallium oxide are still hardly available on the market, we have used hydride vapour phase epitaxy (HVPE) GaN epilayers as a starting material. It can be GaN layer under good quality – middle or low. The oxidation process converts top GaN to β-Ga2O3 layer which can release or absorb the strain. Applying such structure in another, second, epitaxy of GaN allows to obtain good quality epitaxial structures using HVPE technique.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 73-79
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
Autorzy:
Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk
Opis:
Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies