Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Klima, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
Istota tworzenia modeli kompetencji w przeprowadzeniu efektywnej rekrutacji i selekcji pracowników
Essence of creating competence models in carrying out effective recruitment and staff selection
Autorzy:
Wojtas-Klima, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/322422.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
kompetencje
zarządzanie zasobami ludzkimi
proces rekrutacji
proces selekcji
competence
human resources management
recruitment process
selection process
Opis:
Przedsiębiorstwo bez względu na rynek, w którym funkcjonuje, zasadniczą rolę w sukcesie przypisuje pracownikom. Zaangażowanie kadry zarządzającej w planowanie, budowanie strategii, podejmowanie decyzji, kierowanie, motywowanie i nadzór nad pracą swoich zespołów determinuje efektywność całego przedsiębiorstwa, dlatego tak istotny nacisk powinien być położony na właściwie przeprowadzony proces rekrutacji i selekcji. W artykule poruszono temat istoty wykorzystania jednego z elementów zarządzania kompetencjami, jakim jest opracowany i wdrożony model kompetencji wykorzystywany właśnie na etapie doboru pracowników.
The company, regardless of the market in which it operates, a crucial role in success attributes to its employees. Involvement of senior management in planning, strategy development, decision-making, directing, motivating and supervising the work of their teams determines the efficiency of entire enterprise. That is why so important emphasis should be placed on properly conducted process of recruitment and selection. The paper discusses the essence of using one of the elements of competency management which is a developed and implemented competency model used at the stage of selection of employees.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2014, 72; 197-207
1641-3466
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
„Gdy emocje już opadną” – czyli co wpływa na podejmowanie decyzji
“When emotionsfall down” – what influences making decisions
Autorzy:
Wojtas-Klima, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/321321.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
emocje
decyzja
biznes
emotions
decision
business
Opis:
Panowanie nad własnymi emocjami oraz emocjami współpracowników i klientów odgrywa w biznesie coraz większą rolę. Pozwala na podejmowanie decyzji przynoszących sukces osobisty, a także biznesowy. Warto się jednak zastanowić czy to prawda, że kobiety częściej podejmują decyzje pod wpływem emocji,o czym często słyszy się jako zarzut czy też argument podnoszony przy wyborze mężczyzny na stanowisko zarządcze? W artykule podjęto kwestie różnic w zarządzaniu emocjami przez menedżerów, uwzględniając różnicę płci.
Control over own emotions and emotions of cooperators and customers plays an increasingly important role in the business. Allows to make decisions which bring personal and business success as well. Is it true that women tend to make decisions under the influence of emotions what it is often heard about as a plea or the argument when choosing man for the managerial position. This article raises an issue about the differences in the management of emotions by managers with having regard to gender difference.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2014, 71; 315-325
1641-3466
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MUMMY - mobile knowledge management
Autorzy:
Klima, M.
Mikovec, Z.
Slavik, P.
Balfanz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309459.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
knowledge management
mobile computing
collaboration
multimodal interaction
SVG
RDF
context of use
facility management
Opis:
The project MUMMY funded by the European Commission develops means to improve the efficiency of mobile business processes through mobile, personalized knowledge management. MUMMY approaches the challenges of modern mobile work processes. To do so, it takes advantages of latest achievements in mobile connectivity and its capabilities (like "always on-line" high bandwidth personalization ubiquity), latest hardware options like camera-equipped hand- held devices, and uses multimedia, hypermedia, and semantic web technologies. Technical development and appliance of the results are intensively consulted and integrated with business processes of several commercial organizations that are members of the MUMMY consortium. In this paper the achievements of MUMMY are introduced and individual components are briefly described.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2006, 2; 3-8
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Innovations in breeding procedures of winter oilseed rape for development of improved initial materials and the use of biotechnological methods in the Czech Republic
Innowacje w metodach hodowli rzepaku ozimego w Czechach dla uzyskania ulepszonego materiału wyjściowego oraz zastosowanie metod biotechnologicznych
Autorzy:
Kucera, V.
Vyvadilova, M.
Klima, M.
Koprna, R.
Machackova, I.
Curn, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/833713.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
Tematy:
innovation
plant breeding
procedure
winter oilseed rape
oilseed rape
development
initial material
biotechnological method
doubled haploid
hybrid breeding
self-incompatibility
disease resistance
frost resistance
molecular marker
Czech Republic
Źródło:
Rośliny Oleiste - Oilseed Crops; 2005, 26, 1
1233-8273
Pojawia się w:
Rośliny Oleiste - Oilseed Crops
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of slope gradient on plant cover index (C) of faba bean crops grown on loess soil
Wpływ nachylenia stoku na wartości wskaźnika okrywy roślinnej C w uprawie bobiku na glebie lessowej
Autorzy:
Klima, K.
Chowaniak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/81865.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
slope gradient
plant cover index
faba bean
crop
grown soil
loess
soil
soil erosion
Opis:
In a period from 2002 to 2005, a single-element field experiment was conducted at the Experimental Station in Mydlniki near Cracow. The field top soil was a brown loess-derived soil. The main objective of the experiment was to determine the effect of slope gradient on the plant cover index C of small bean crops. The impact of two slope gradients (9% and 16%) on the level of surface soil losses was studied, as was, in the experiment, the amount of surface soils exported from fallowed plots and from the plots grown with faba beans. The experiment on the impacted 22.13 × 1.87 m plots was four times repeated in each gradient zone. It was stated that the plant cover index C was 0.187 in the case of faba beans grown and cropped on the slopes showing a 16% gradient, and, it was 0.154 on the slopes with a 9% gradient. The impact of the total area of plant top ends expressed by an index called LAI (Leaf Area Index) on the value of index C is described by exponential functions, i.e. in the case of slope gradient being 16%: y = 0.6081e–0.6016x, and the slope gradient of 9%: y = 0.5447e–0.6341x.
Wpływ nachylenia stoku na wartości wskaźnika okrywy roślinnej C w uprawie bobiku na glebie lessowej. Wskaźnik okrywy roślinnej i uprawy C znajduje swoje zastosowanie w modelach empirycznych m.in. USLE (Universal Soil Loss Equation), za pomocą których prowadzi się badania nad erozją gleb. Wskaźnik ten określa glebochronną skuteczność pokrywy roślinnej. Ze względu na silnie regionalny charakter wskaźnika C istnieje konieczność określenia jego wartości dla wielu roślin uprawianych w różnych warunkach klimatyczno-glebowych naszego kraju. Celem badań było określenie wpływu nachylenia powierzchni stoku na wartość wskaźnika okrywy roślinnej C w uprawie bobiku. Eksperyment polowy przeprowadzono w latach 2002–2005 na glebie brunatnej wytworzonej z lessu w Stacji Doświadczalnej Katedry Ogólnej Uprawy Roli i Roślin zlokalizowanej w Mydlnikach koło Krakowa. Badano wpływ nachylenia stoku 9% i 16% na natężenie spłukiwania powierzchniowego na poletkach ugorowanych oraz obsianych bobikiem. Poletka o rozmiarach 22,13 × 1,87 m powtórzone były 4-krotnie dla każdego nachylenia. W okresie badań wystąpiły 4 okresy roztopowe oraz 20 opadów atmosferycznych wywołujących spłukiwanie powierzchniowe. Dla 4-letniego okresu badań wartość wskaźnika (C) przy nachyleniu 16% wyniosła 0,187, a przy nachyleniu 9% 0,154. Wraz ze wzrostem powierzchni nadziemnych części bobiku wartość wskaźnika okrywy roślinnej C wykazywała większą glebochronność rośliny.
Źródło:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Land Reclamation; 2008, 39
0208-5771
Pojawia się w:
Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Land Reclamation
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Yielding and competiveness of oats and spring vetch depending on cultivation system and sowing method
Plonowanie i konkurencyjność owsa z wyką jarą uprawianych w systemie konwencjonalnym i ekologicznym
Autorzy:
Klima, K.
Smaczny, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/335440.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
oats
conventional system
organic system
competitiveness
mixture components
owies
system konwencjonalny
system ekologiczny
konkurencja
komponenty mieszanek
Opis:
The subject of the experimental research referred to a two-factor field experiment carried on at the Experimental Station in Czyrna near Krynica over a period from 2010 to 2013. The first factor included two farming systems: conventional and organic. The second factor comprised the crops grown in pure stands (oats and spring vetch grown separately) and in mixed stands (oats mixed with spring vetch). The objective of the experiment was to determine both the yielding of oats in pure stands and of oats with spring vetch in mixed stands, and the response of those mixture components to the cultivation in mixed stands. Based on the results of the experiment, it was concluded that the yield of oats grains and seeds of crops sown in pure stands and in stands mixed with spring vetch decreased by 12% under the organic farming system. The total yield of oats grains and spring vetch seeds decreased along with the decrease in the content of oats in the mixture. The growing of oats and spring vetch in mixed stands under the conventional system of farming resulted in the better yielding of oats compared to the yield of oats under the organic farming. The mixtures of oats and spring vetch were found to better utilize the habitat conditions in their mixed stands compared to those grown separately in pure stands.
Przedmiotem badań było dwuczynnikowe doświadczenie polowe przeprowadzone w latach 2010-2013 w Stacji Doświadczalnej Czyrna k. Krynicy. Czynnikiem pierwszym były dwa systemy rolnicze: konwencjonalny i ekologiczny. Czynnikiem drugim były siewy czyste i mieszane owsa z wyką jarą. Celem badań było określenie plonowania siewów czystych i mieszanych owsa z wyką jarą oraz określenie reakcji komponentów na uprawe w mieszankach. W wyniku badań stwierdzono, że zmniejszenie plonu ziarna i nasion siewów czystych i mieszanek owsa z wyką jarą uprawianych w systemie ekologicznym wyniosło 12%. Wraz ze zmniejszaniem udziału w mieszankach owsa zmniejszał się łączny plon ziarna owsa i nasion wyki jarej. Wysiew owsa w mieszance z wyką jarą w systemie konwencjonalnym wpłynął korzystniej na plonowanie owsa niż w systemie ekologicznym. Mieszanki owsa z wyką jarą lepiej wykorzystywały warunki siedliskowe niż siewy czyste komponentów mieszanek.
Źródło:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2015, 60, 3; 146-149
1642-686X
2719-423X
Pojawia się w:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of slope gradient, tillage system, and plant cover on soil losses of calcium and magnesium
Autorzy:
Chowaniak, M.
Klima, K.
Niemiec, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/15356.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Tematy:
slope gradient
tillage system
plant cover
soil loss
calcium
magnesium
loss
soil erosion
sowing method
Źródło:
Journal of Elementology; 2016, 21, 2
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Soil protective efficiency of organic cultivation of cereals
Autorzy:
Klima, K.
Lepiarczyk, A.
Chowaniak, M.
Boliglowa, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/13958.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Źródło:
Journal of Elementology; 2019, 24, 1
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
Autorzy:
Zynek, J.
Hejduk, K.
Klima, K.
Możdżonek, M.
Stonert, A.
Turos, A.
Rzodkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192312.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
azotek krzemu
PECVD
fotodioda planarna
InP
silicon nitride
planar photodiode
Opis:
Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.
Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 95-113
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies