Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Keršulis, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Investigation of Magnetoresistance and Its Anisotropy of Thin Polycrystalline $La_{0.83}Sr_{0.17}MnO_3$ Films in High Pulsed Magnetic Fields
Autorzy:
Žurauskienė, N.
Keršulis, S.
Medišauskas, L.
Tolvaišienė, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505550.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Gk
75.47.Lx
75.30.Gw
85.70.Kh
Opis:
The results on the study of grain boundary effects and influence of film deposition conditions on the magnetoresistance and its anisotropy in polycrystalline $La_{0.83}Sr_{0.17}MnO_3$ films are presented. The magnetoresistance was measured in high pulsed magnetic fields up to 25 T (pulse duration ≈ 0.6 ms) in the temperature range of 120-300 K. A modified Mott hopping model was applied to describe the main behavior of high-field magnetoresistance for both ferromagnetic and paramagnetic phases of the polycrystalline films by taking into account the demagnetization field of the films measured in low magnetic fields perpendicular to film plane. It was also found that to obtain the higher magnetoresistance saturation field at room temperature it is necessary to use the films with smaller crystallites (D ≈ 100 nm). Such films could be used for design of megagauss pulsed magnetic field sensors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 186-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Sr Content on CMR Effect in Polycrystalline $La_{1-x}Sr_{x}MnO_{3}$ Thin Films
Autorzy:
Žurauskienė, N.
Balevičius, S.
Stankevič, V.
Paršeliūnas, J.
Keršulis, S.
Abrutis, A.
Plaušinaitienė, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807950.pdf
Data publikacji:
2009-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Gk
75.47.Lx
75.30.Hx
85.70.Kh
Opis:
The magnetoresistance of thin polycrystalline $La_{1-x}Sr_{x}MnO_{3}$ films deposited on lucalox substrate using metal organic chemical vapor deposition technique was investigated in pulsed magnetic fields up to 18 T in the temperature range 100-320 K. The influence of film preparation conditions, ambient temperature variation and Sr content is analyzed in order to determine the optimal conditions for the design of CMR-B-scalar magnetic field sensor based on thin manganite film, operating at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 6; 1136-1138
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pulsed Magnetic Field Sensor Based on La-Ca-Mn-O Thin Polycrystalline Films
Autorzy:
Balevičius, S.
Žurauskienė, N.
Stankevič, V.
Keršulis, S.
Novickij, J.
Altgilbers, L. L.
Clarke, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041727.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Kz
73.40.Gk
85.70.Ay
61.72.Mm
Opis:
It is demonstrated that polycrystalline La$\text{}_{0.33}$Ca$\text{}_{0.67}$MnO$\text{}_{3}$ thin film sensors can be used to measure pulsed strong magnetic fields with microsecond duration rise and decay times. The response characteristics of these sensors were investigated using 0.7-1.0 ms duration bell-shaped magnetic field pulses of 10-20 T amplitudes and by using special waveform magnetic field pulses with amplitudes of 40 T and decay times of 50μs. The response of these magnetic field sensors was compared with those of conventional loop sensors and Faraday rotation sensors using Bi$\text{}_{12}$SiO$\text{}_{20}$ single crystals as a known standard.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 207-210
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Transport in Modulation-Doped InAlAs/InGaAs/InAlAs Heterostructures in High Electric Fields
Autorzy:
Požela, K.
Požela, J.
Jucienė, V.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Sužiedėlis, A.
Žurauskienė, N.
Stankevič, V.
Keršulis, S.
Paškevič, Č.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505525.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Ht
72.10.Di
73.21.Fg
73.63.Hs
73.40.Kp
Opis:
The following peculiarities of electron transport in $In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum wells with δ-Si-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As$ barriers at high electric fields are discovered: (1) an enhancement of electron mobility by inserting the InAs phonon wall into the $In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum well, as well as increasing the InAs content in the modulation-doped $In_{0.8}Ga_{0.2}As//In_{0.7}Al_{0.3}As$ heterostructure; (2) a large decrease in electron mobility and a change of electron density with increasing electric field in the range of 1-4 kV/cm; (3) a magnetic field dependence of the threshold electric field for intervalley scattering of electrons; and (4) microwave current oscillations in high electric fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 170-172
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies