Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Känel von, H." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content
    Autorzy:
    Durov, S.
    Mironov, O. A.
    Myronov, M.
    Whall, T. E.
    Parker, E. H. C.
    Hackbarth, T.
    Hoeck, G.
    Herzog, H. J.
    König, U.
    Känel von, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/958103.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    SiGe
    metamorphic MOSFET
    LF-noise
    I-V
    C-V
    effective hole mobility
    Opis:
    Measurements of current drive in p-Si1-xGex MOSFETs, with x = 0.7, 0.8 reveal an enhancement ratio of over 2 times as compared to a Si device at an effective channel length of 0.55 žm. They also show a lower knee voltage in the output I-V characteristics while retaining similar values of drain induced barrier lowering, subthreshold swing, and off current for devices with a Sb punch-through stopper. For the first time, we have quantitatively explained the low-frequency noise reduction in metamorphic, high Ge content, SiGe PMOSFETs compared to Si PMOSFETs.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 101-111
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Spectroscopy for the Analysis οf Temperature-Dependent Plastic Relaxation οf SiGe Layers
    Autorzy:
    Pezzoli, F.
    Bonera, E.
    Bollani, M.
    Sanguinetti, S.
    Grilli, E.
    Guzzi, M.
    Isella, G.
    Chrastina, D.
    von Känel, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807828.pdf
    Data publikacji:
    2009-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Lk
    61.72.uf
    62.20.mj
    62.20.mm
    78.30.-j
    Opis:
    Novel architectures for electronics and photonics are expected to be developed using the forthcoming $Si_{1-x}Ge_{x}$ technology. However, in $Si_{1-x}Ge_{x}$-based heterostructures, materials and design issues rely on accurate control of strain and composition of the alloy. The Raman spectroscopy has rapidly emerged as a reliable technique for the quantitative determination of such parameters on a sub-micrometric scale. In this work we present an investigation of the effects of the growth conditions of $Si_{1-x}Ge_{x}$ graded layers on dislocation nucleation and interaction. In particular, we focus on the crucial role the deposition temperature plays in the dislocation kinetics. The analysis of threading dislocation densities is accompanied by a quantitative measurement of the residual strain in $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si heterostructures, carried out by means of the Raman scattering. Our approach is effective in studying the physical mechanism governing dislocation multiplication and the sharp transition from a state of brittleness to a state of ductility within a narrow temperature window.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 1; 78-80
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Structural Characterization of GaAs MBE Grown on Si Pillars
    Autorzy:
    Frigeri, C.
    Bietti, S.
    Scaccabarozzi, A.
    Bergamaschini, R.
    Falub, C.
    Grillo, V.
    Bollani, M.
    Bonera, E.
    Niedermann, P.
    von Känel, H.
    Sanguinetti, S.
    Miglio, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1361238.pdf
    Data publikacji:
    2014-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Ea
    81.16.Rf
    61.72.Ff
    61.72.Lk
    61.72.Nn
    68.37.Lp
    Opis:
    Growth on deeply patterned substrates, i.e. on pillars instead of a continuous substrate, is expected to be very promising to get crack free epilayers on wafers without any bowing. We report here on a structural investigation of GaAs MBE deposited on patterned (001) offcut Si, consisting of pillars 8 μm high and 5 to 9 μm wide, to check mostly the behaviour of the threading dislocations. It is found that only very rarely they propagate up to the GaAs top that will serve as active region in devices. Twins were also detected which sometimes reached the topmost part of GaAs. However, as twins have no associated dangling bonds, they should not be electrically active. Rare antiphase boundaries exist at the interface, hence not harmful for device operation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 986-990
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies