Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jouault, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Transport Properties of Disordered Graphene Layers
Autorzy:
Gryglas-Borysiewicz, M.
Jouault, B.
Tworzydło, J.
Lewińska, S.
Strupiński, W.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791293.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Ac
72.20.Fr
73.43.Qt
73.63.Bd
Opis:
Samples consisting of a few layers of graphene obtained by thermal decomposition of SiC were studied by means of transport experiments at 4 K and in a magnetic field up to 7 T. Transport data show that the samples have a two-dimensional character. Magnetoresistance has an approximately linear character at high magnetic fields, which has been previously observed in graphite samples, and a negative magnetoresistance, at low magnetic fields. The transverse resistivity $ρ_{xy}$ is nonlinear as a function of B, which can be described using a many-carrier model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 838-840
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectroscopy of a Single Si Donor by the Resonant Tunnelling Experiment
Autorzy:
Baj, M.
Gryglas, M.
Jouault, B.
Maude, D.
Faini, G.
Gennser, U.
Cavanna, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046906.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.63.-b
73.40.Gk
73.20.Hb
72.10.Di
72.10.Fk
Opis:
Resonant tunnelling via single impurities placed in a single barrier was experimentally studied. The typically observed structures in the current-voltage characteristics seem to be paired. Such a pair can be interpreted as ground and excited states of an impurity, related to X$\text{}_{xy}$ and X$\text{}_{z}$ valleys, which is in agreement with the results obtained for big mesas. However, it is not clear why X$\text{}_{xy}$ states can be seen without any phonon participation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 157-162
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
Autorzy:
Lewińska, S.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Jouault, B.
Gennser, U.
Ouerghi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
71.20.Nr
73.23.Hk
73.63.Hs
72.10.Di
85.30.Mn
73.40.Gk
Opis:
Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies