Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "In, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Development of a large beam facility
Autorzy:
Oh, B.
In, S.
Lee, K.
Jeong, S.
Seo, C.
Chang, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147420.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
beam facility
high power ion beam
o neutral beam
beam line component
cryosorption pump
Opis:
A large beam facility for the application of high power ion beams has been developed at the Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI). The primary usage of this facility is to develop an 8 MW neutral beam heating system for a tokamak, but other applications using a large beam would also be possible in the near future. The facility is composed of a bucket ion source (120 kV, 65 A), related beam line components including a large vacuum chamber (3 m x 4 m x 5 m), power supplies for the ion source, control and DAS (Data Acquisition System), beam diagnostics system, and a water circulation system (2 MW) for cooling of the beam line components. The maximum beam parameters at present are a beam energy of 87 kV and a beam current of 17.5 A with a beam size of 13 x 45 cm2. A maximum pulse length of 10 s could be achieved with a 1 MW beam power. The beam power with a hydrogen ion will be increased up to 7.5 MW during 5 s.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51, 1; 37-42
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Luminescence and Absorption under Impurity Breakdown in Quantum Wells and Strained Semiconductor Layers
Autorzy:
Vorobjev, L.
Firsov, D.
Shalygin, V.
Panevin, V.
Sofronov, A.
Ustinov, V.
Zhukov, A.
Egorov, A.
Andrianov, A.
Zakhar'in, A.
Ganichev, S.
Danilov, S.
Kozlov, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813218.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Fg
71.55.-i
71.55.Eq
73.21.Fg
73.61.Ey
78.55.Cr
78.66.-w
78.67.De
Opis:
We present the results of THz luminescence investigations in structures with Si-doped quantum wells and Be-doped GaAsN layers under strong lateral electric field. The peculiar property of these structures is the presence of resonant impurity states which arise due to dimensional quantization in quantum wells and due to built-in strain in GaAsN epilayers. The experimentally obtained THz emission spectra consist of the lines attributed to intra-center electron transitions between resonant and localized impurity states and to the electron transitions involving the subband states. Absorption of THz radiation and its temperature dependence was also studied in structure with tunnel-coupled quantum wells at equilibrium conditions and under electric field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 925-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies