Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Terahertz Luminescence and Absorption under Impurity Breakdown in Quantum Wells and Strained Semiconductor Layers

Tytuł:
Terahertz Luminescence and Absorption under Impurity Breakdown in Quantum Wells and Strained Semiconductor Layers
Autorzy:
Vorobjev, L.
Firsov, D.
Shalygin, V.
Panevin, V.
Sofronov, A.
Ustinov, V.
Zhukov, A.
Egorov, A.
Andrianov, A.
Zakhar'in, A.
Ganichev, S.
Danilov, S.
Kozlov, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813218.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Fg
71.55.-i
71.55.Eq
73.21.Fg
73.61.Ey
78.55.Cr
78.66.-w
78.67.De
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 925-928
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We present the results of THz luminescence investigations in structures with Si-doped quantum wells and Be-doped GaAsN layers under strong lateral electric field. The peculiar property of these structures is the presence of resonant impurity states which arise due to dimensional quantization in quantum wells and due to built-in strain in GaAsN epilayers. The experimentally obtained THz emission spectra consist of the lines attributed to intra-center electron transitions between resonant and localized impurity states and to the electron transitions involving the subband states. Absorption of THz radiation and its temperature dependence was also studied in structure with tunnel-coupled quantum wells at equilibrium conditions and under electric field.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies