Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hishinuma, Y" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Microstructure of V3Ga superconducting wire using high Ga content Ti-Ga/V precursor composite material
Mikrostruktura nadprzewodzącego drutu V3Ga wytworzonego przy użyciu związku TiGa3 o wysokiej zawartości Ga
Autorzy:
Murakami, S.
Matsuda, K.
Kawabata, T.
Hishinuma, Y
Ikeno, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355932.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
superconductor
Ti-Ga/V precursor composite material
V-Ga phase
TEM
microstructure
drut nadprzewodzący
Ti-Ga/V materiał kompozytowy
faza V-Ga
mikrostruktura
Opis:
Our co-workers, Hishinuma et. al. have fabricated the V3Ga compound wire by a new process using a high Ga content Ti-Ga compound in order to improve the superconducting property of the wire. In this study, we investigated microstructures of this wire to clarify the existence of V3Ga phase. The different contrasts of the matrix, two V-Ga phases and Ti-Ga core were observed by SEM observation. Two V-Ga phases were also confirmed. The ratio of V to Ga for two V-Ga phases was respectively 3:1 and 6:5 according to the EDS result. And these two phases were confirmed as V3Ga and V6Ga5.
Hishinuma i współpracownicy wytworzyli drut związku międzymetalicznego V3Ga przy użyciu nowej metody wykorzystującej związek międzymetaliczny Ti-Ga o wysokiej zawartości Ga celem poprawy właściwości nadprzewodzących drutu. Zbadaliśmy mikrostrukturę drutu, aby zweryfikować obecność fazy V3Ga. W trakcie badań SEM zaobserwowano zróżnicowany kontrast w osnowie oraz istnienie dwóch faz V-Ga i rdzenia T-Ga. Analiza EDS potwierdziła istnienie dwóch faz z układu V-Ga, w których stosunek V do Ga wynosi odpowiednio 3:1 i 6:5. Potwierdzono, ze te dwie fazy to V3Ga i V6Ga5.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 325-326
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Cu²⁺ Ion Irradiation on Microstructure of Er₂O₃ Coating Layer Formed by MOCVD Method
Autorzy:
Tanaka, M.
Takezawa, M.
Hishinuma, Y.
Tanaka, T.
Muroga, T.
Ikeno, S.
Lee, S.
Matsuda, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032912.pdf
Data publikacji:
2017-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
nuclear fusion
coating
Er2O3
thin film
TEM
SEM and XRD
Opis:
Erbium oxide (Er₂O₃) coating is one of the promising methods to restrict tritium permeation and the magneto hydrodynamic pressure drop for advanced breeding blanket systems. Er₂O₃ coating layer on large interior surface area of metal pipe is deposited by using metal organic chemical vapor deposition process. In this work, the influence of Cu²⁺ ion irradiation on microstructure of Er₂O₃ coating layer on stainless steel 316 (SUS 316) substrate by metal organic chemical vapor deposition methods was investigated using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy observation and X-ray diffraction analysis. Microstructure observation of Er₂O₃ coating was carried out after 0.00-1.50 dpa Cu²⁺ ion irradiation at 298 K and 773 K. Scanning electron microscopy observation of the surface area on Er₂O₃ thin film revealed the crack generation on surface after Cu²⁺ ion irradiation. X-ray diffraction peaks were identified in Er₂O₃ after Cu²⁺ ion irradiation transmission electron microscopy observations, the formation of interlayer between Er₂O₃ coating and SUS substrate was confirmed. According to transmission electron microscopy-energy dispersive spectroscopy, the interlayer includes Fe and Cr.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1351-1352
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies