Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hapka, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
A new method for calculation of high-temperature capacitors thermal resistance
Autorzy:
Hapka, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118564.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
high-temperature capacitors
heat profiles
thermal resistance
kondensatory wysokotemperaturowe
profile cieplne
rezystancja termiczna
Opis:
In this paper, issues related to the self-heating phenomenon in high-temperature capacitors are described. Measurements of capacitance and parasitic resistance, as a function of frequency and ambient temperature of considered capacitors are presented. Novel procedures for calculation of internal temperature changes are proposed and a novel method for acquiring thermal resistance values is developed and its numerical error is estimated.
W niniejszej pracy, opisano zagadnienia związane ze zjawiskiem samonagrzewania w kondensatorach wysokotemperaturowych. Przedstawiono wyniki pomiarów pojemności i oporności pasożytniczej wybranych kondensatorów w funkcji częstotliwości i temperatury otoczenia. Zaproponowano nową metodę obliczania zmian temperatury wewnątrz elementu oraz wyznaczania jego rezystancji termicznej. Oszacowano błędy numeryczne proponowanej metody.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 99-106
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Autorzy:
Janke, W.
Hapka, A.
Oleksy, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
Schottky diodes
static characteristics
high-temperature
Opis:
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies