Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gułkowski, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Application of the Savitzky-Golay method for power output data set
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1940714.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    photovoltaics
    solar energy
    time series
    PV data analysis
    Opis:
    The power output of a PV system changes in time during the day and strongly depends on the location and orientation of the photovoltaic module as well as on seasonal conditions. Clouds occurring during a partly cloudy day are the reason why this data is very irregular and difficult to analyze in terms of obtaining energy. The Savitzky-Golay method was applied for the power output data obtained for sunny, cloudy and partly cloudy days in order to determine the average level of power produced by a PV system at a given location. The total amount of energy was analyzed for each case.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2015, 19, 1; 25-34
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania nad technologią otrzymywania cienkich warstw emitera metodą rozpylania magnetronowego dla zastosowań w ogniwach CIGS
    Research on the technology of obtaining thin layers of emitter in CIGS photovoltaic cells by using magnetron sputtering process
    Autorzy:
    Pietraszek, J.
    Gułkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/105005.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    CIGS
    CdS
    warstwa buforowa
    ogniwa fotowoltaiczne
    kąpiel chemiczna
    CBD
    rozpylanie magnetronowe
    ogniwa cienkowarstwowe
    buffer layer
    photovoltaic cells
    chemical bath deposition
    magnetron sputtering
    thin film cell
    Opis:
    Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne wykonane na bazie struktury CIGS (mieszaniny pierwiastków miedzi, indu, galu oraz selenu) należą do II generacji ogniw fotowoltaicznych. Wykazują one efektywność na poziomie zbliżonym do ogniw I generacji, lecz ze względu na niższe zużycie materiału, coraz częściej wypierają z rynku ogniwa krzemowe Artykuł przedstawia rezultaty badań dotyczących sposobu otrzymywania warstwy buforowej CdS (siarczku kadmu), zastosowanej w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS. Przyjęto dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli chemicznej (CBD– Chemical Bath Deposition). Struktura ta powinna posiadać odpowiednią wielkość przerwy energetycznej, która pozwali na większą absorpcję fotonów, a także wymaga się, aby była cienka (mniej niż 100 nm) i jednolita. Warstwy CdS zostały nałożone przez osadzanie w kąpieli chemicznej CBD na szklanych podłożach pokrytych Mo/CIGS (naniesione warstwy metodą sputteringu magnetronowego). Uzyskano dzięki temu warstwę emitera o grubości 80 nm po czasie osadzania 35 minut. Dla porównania warstwy CdS zostały nałożone poprzez sputtering magnetronowy na podłożu Mo/CIGS, uzyskanym tą samą metodą. Następnie oba rozwiązania zostały przebadane pod względem morfologii powierzchni na elektronowym mikroskopie skaningowym, jak również przeprowadzono analizy składu pierwiastkowego warstw. Zarówno jedna, jak i druga metoda prowadzi do otrzymania warstwy emitera CdS dla zastosowań w ogniwach CIGS.
    Thin-film photovoltaic cells created based on the structure of CIGS (a mixture of the elements copper, indium, gallium and selenium) belong to the second generation of photovoltaic cells. They show the effectiveness of a level similar to the cells of the first generation, but due to lower material consumption, they increasingly forcing out silicon solar cells. The article presents the results of research of the method for obtaining a CdS buffer layer, used in thin-film CIGS photovoltaic cells. Two technology solutions of application were adopted: layer of CdS window obtained by the magnetron sputtering and layer of CdS obtained by chemical method (CBD- Chemical Bath Deposition). CdS layer has been imposed by the deposition in the chemical bath on glass substrates covered with Mo/CIGS (layers applied by magnetron sputtering). Allowing an emitter layer having a thickness of 80 cm after 35 minutes of deposition time. For comparison, a CdS layer was applied by magnetron sputtering on the substrate Mo/CIGS obtained by the same method. Subsequently, both solutions were examined in the SEM microscope to check the surface morphology, and also to analysis the elemental composition of the layers. Both methods leads to receive CdS emitter layer for use in CIGS cells.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 1; 173-180
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of single-diode models applied to thin film PV module operating under different environmental conditions
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1940695.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    solar energy
    photovoltaics
    I-V electrical characteristics
    computational modeling
    Opis:
    The electrical current-voltage (I-V) characteristic a of photovoltaic (PV) module depends on the environmental conditions under which it operates. The shape of the I-V curve depends on the solar cell technology and changes dynamically in time with irradiance and temperature. A simulation model of the PV module can be used to examine the dynamic behavior of the I-V curve as well as to extract the module parameters from the curves. This paper presents the results of comparison of two different models based on a single-diode equivalent circuit applied to a thin film module. The Matlab/Simulink simulation studies of I-V characteristic curves in the function of irradiance and temperature were carried out. The results were compared with the experimental data of the I-V curves obtained from outdoor measurements. Relative errors of the simulation and experimental results were analyzed.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2017, 21, 1; 43-52
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Computer implementation of mass transport in Matlab environment for modeling Epitaxial growth process with moving boundary problem
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1940715.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    moving boundary problem
    computational modeling
    epitaxial growth
    Opis:
    Due to the possibility of producing high quality and low cost silicon substrates the Epitaxial Lateral Overgrowth technology may find its application in the photovoltaic industry. However, a lateral growth process depends on many technological parameters such as the temperature of the system, the cooling rate, the solvent or the geometry of the mask. For this reason finding optimized settings for these factors in experimental research is difficult and time consuming. Numerical analysis of the growth process leads to better understanding of the fundamentals of the growth process. For this reason a computational model of epitaxial growth was proposed. This paper focuses on the accuracy of the numerical solution of the mass transport process during epitaxial growth. The method was implemented in the Matlab environment for the moving boundary application. The results of the calculations are presented.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2015, 19, 1; 15-23
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Computer modeling in cost-efficient solar cell production technology
    Komputerowe modelowanie w technologii produkcji ekonomicznych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Gułkowski, S.
    Olchowik, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818703.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    komputerowe modelowanie
    technologia produkcji
    Opis:
    W artykule przedstawione zostały rezultaty symulacji lateralnego wzrostu epitaksjalnego (ELO – Epitaxial Lateral Overgrowth) przeprowadzonych dla krzemowych podłoży wzrostowych o różnych współczynnikach wypełnienia maski (mask-to-window ratio): 70%, 50%, 30% oraz 10%. Zastosowano przy tym następujące parametry: wymiary domeny: 1000 µm × 2000 µm, szybkość chłodzenia: 0,5ºC/min, temperatura początkowa: 920ºC. Przedstawiono przykładową domenę obliczeniową oraz wygenerowaną siatkę numeryczną. W celu zwiększenia precyzji obliczeń w obszarach dużych gradientów koncentracji zastosowano zagęszczenie siatki. Dla wybranych geometrii domen przedstawiono profile koncentracji. Zbadano wpływ geometrii obszaru na kształt pola koncentracji, określającego strumienie masy. Zwiększenie powierzchni krystalizacji składnika spowodowało ukształtowanie się linii stałej koncentracji w objętości roztworu, charakterystyczne dla standardowej metody LPE. Kierunek przepływu Si w objętości jest prostopadły do powierzchni podłoża na całej jego długości. Natomiast przy powierzchni podłoża, na stosunkowo niewielkiej odległości, tworzy się warstwa roztworu, w której linie stałej koncentracji układają się wokół okien Si. Grubość tej warstwy zależy od stopnia wypełnienia i maleje wraz ze wzrostem liczby okien w obszarze domeny. Sąsiadujące ze sobą okna stanowią dla siebie konkurencję pod względem obszaru krystalizacji: tym większą, im bliżej siebie są umiejscowione. Przyczynia się to bezpośrednio do zmniejszenia szybkości wzrostu w kierunku lateralnym przy niewielkiej zmianie wartości szybkości w kierunku normalnym. Skutkuje to również zmniejszeniem wydłużenia względnego otrzymywanych warstw. Z analiz numerycznych wynika, że w celu otrzymania warstw lateralnych o maksymalnym wydłużeniu względnym należy uwzględnić szerokość pasm dielektryka znajdującego się między oknami. Odpowiednie dobranie geometrii podłoża pozwala na uzyskanie możliwie maksymalnych szybkości wzrostu w kierunku lateralnym.
    Źródło:
    Rocznik Ochrona Środowiska; 2013, Tom 15, cz. 1; 436-447
    1506-218X
    Pojawia się w:
    Rocznik Ochrona Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of the interface evolution during Si layer growth on a partially masked substrate
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Olchowik, J.
    Cieślak, K.
    Moskvin, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934033.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    epitaxial lateral overgrowth
    liquid-phase epitaxial growth
    computer simulations
    Opis:
    High-quality thin Si layers obtained from the solution by epitaxial lateral overgrowth (ELO) can play a crucial role in photovoltaic applications. The laterally overgrown parts of the layer are characterized by a lower dislocation density than that of the substrate. The height and width of the layer depend on several factors, such as the technological conditions of liquid phase expitaxy (LPE), growth temperature, cooling rate and the geometry of the system (mask filling factor). Therefore, it is crucial to find the optimal set of technological parameters in order to obtain very thin structures with a maximum width (high aspect ratio). This paper presents a computational study of Si epilayer growth on a line-pattern masked silicon substrate from Si-Sn rich solution. To solve this problem, a mixed Eulerian-Lagrangian approach was applied. The concentration profile was calculated by solving the two-dimensional diffusion equation with appropriate boundary conditions. The growth velocity was determined on the basis of gradients of concentration in the border of the interface. Si interface evolution from the opened window was demonstrated.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2011, 15, 1; 91-98
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of thin Si layers growth on partially masked Si substrate
    Autorzy:
    Gułkowski, S.
    Olchowik, J.M.
    Jóźwik, I.
    Moskvin, P.P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933182.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    epitaxial lateral overgrowth
    liquid-phase epitaxial growth
    computer simulations
    Opis:
    This paper presents a numerical simulation of epitaxial lateral overgrowth of silicon layers from the liquid phase of an Sn solvent. A two-dimensional diffusion equation has been solved and the concentration profiles of Si in a Si-Sn rich solution during the growth have been constructed. The epilayer thickness and width have been obtained from the concentration near the interface.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2008, 12, 1-2; 121-126
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New approach to the determination of phase equilibrium in the Zn-Te system
    Autorzy:
    Moskvin, P.
    Olchowik, J.
    Olchowik, G.
    Zdyb, A.
    Gulkowski, S.
    Sadowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934011.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    phase equilibria
    solubility
    liquid phase epitaxy
    II-VI semiconductor compound
    Opis:
    The polyassociative model of the liquid phase was applied to describe the phase equilibrium in the Zn-Te system. The thermodynamic functions describing the formation of liquid associates were obtained, taking into account the experimental data on the p-T-x equilibrium in the system. The model of polyassociative solutions with the parameters obtained in this work satisfactorily describes the p-T-x diagram of the system. The numerical results of the analysis of the phase equilibrium confirmed the possibility of applying the polyassociative model to the Zn-Te system in a wide temperature range.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2011, 15, 2; 209-217
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Perspektywy wykorzystania energii słonecznej w dolinie Zielawy
    Perspectives of the use of solar energy in the Valley of Zielawa
    Autorzy:
    Dragan, P.
    Gułkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/105091.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    partnerstwo samorządowe
    Dolina Zielawy
    kolektor słoneczny
    farma fotowoltaiczna
    partnership
    Valley of Zielawa
    solar collector
    photovoltaic system
    Opis:
    Odnawialne źródła energii, to szansa nie tylko do poprawy efektywności energetycznej indywidualnych odbiorców, ale również do poprawy budżetu jednostek samorzą- dowych. Jednostki samorządowe mają obowiązek zapewnienia świadczenia usług mieszkańcom, w postaci finansowania zadań oświatowych, zadań z zakresu kultury, ochrony zdrowia, pomocy społecznej, bezpieczeństwa przeciw pożarowego, oświetlenia ulicznego itp. Budżety jednostek samorządowych rzadko są dopinane dotacjami rządowymi czy wpływami z podatków. W celu poprawy sytuacji budżetowej w sferze energetycznej, w województwie lubelskim 5 gmin utworzyło partnerstwo samorządowe o nazwie „Dolina Zielawy”, celem którego była m.in. poprawa efektywności energetycznej poprzez wykorzystanie energii słonecznej. W niniejszej pracy przedstawiono koncepcję efektywności energetycznej w „Dolinie Zielawy” przy wykorzystaniu kolektorów słonecznych i systemów fotowoltaicznych.
    Renewable energy sources is an opportunity not only to improve the energy efficiency of individual customers, but also to improve the budget of local communities. Local communities have an obligation to ensure the provision of services for citizens, in the form of financing of educational tasks, tasks in the field of culture, health protection, social welfare, safety against fire, street lighting, etc. The budgets of local communities are rarely buttoned government grants or tax revenues. In order to improve the budgetary situation in the energy sector, in the Lublin Voivodeship of 5 local municipalities have formed a partnership called the "Valley of Zielawa", the aim of which was, inter alia, improving energy efficiency through the development of solar energy. This paper presents an analysis of energy efficiency in the "Valley of Zielawa" using solar collectors and photovoltaic systems.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 4/II; 495-500
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Polyassociative model of A2B6 semiconductor melt and p-T-x phase equilibria in Zn-Cd-Te system
    Autorzy:
    Moskvin, P.
    Antonov, M.
    Olchowik, G.
    Olchowik, J.
    Zdyb, A.
    Gulkowski, S.
    Sadowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934030.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    phase equilibria
    solubility
    liquid phase epitaxy
    semiconducting II-VI materials
    Opis:
    This work presents a numerical analysis of p-T-x phase equilibrium in the Zn-Cd-Te ternary system in the framework of the polyassociative solution model. On the basis of the experimental data on p-T-x phase equilibrium in the ternary system, thermodynamic functions describing the formation of liquid associates were found. It was shown that the results of the mixing of components in the Zn-Cd-Te ternary melt are related to the occurrence of ZnCdTe and ZnCdTe3 associates. Dissociation parameters of these complexes were calculated and subsequently used in order to efficiently describe p-T-x phase equilibrium of the system in a wide temperature range.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2011, 15, 1; 121-130
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies