Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grzegory, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-24 z 24
    Tytuł:
    Suszenie surowców roślinnych wybranymi sposobami
    Plant materials drying by selected methods
    Autorzy:
    Grzegory, P.
    Piotrowski, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/227578.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Wyższa Szkoła Menedżerska w Warszawie
    Tematy:
    suszenie
    suszenie próżniowe
    suszenie kombinowane
    suszenie konwekcyjne
    surowce roślinne
    drying
    vacuum drying
    combined drying
    convection drying
    plant materials
    Opis:
    Struktura surowców roślinnych jest bardzo delikatna i podatna na uszkodzenia w trakcie obróbki technologicznej, co sprawia że nie wszystkie stosowane w technologii żywności metody suszenia gwarantują otrzymanie gotowego produktu o wysokiej jakości. Celem artykułu jest prezentacja wybranych metod suszenia-próżniowe, kombinowane i konwekcyjne, w aspekcie pozytywnych i negatywnych zmian, wynikających z zastosowania wybranych alternatywnych podejść do utrwalania surowców roślinnych.
    Structure of the plant material is very delicate and susceptible to damage during a technological process, which causes that not all of drying methods assure high quality of final food product. The purpose of this article is to present some methods of drying: convective, vacuum and combined, in terms of positive and negative changes resulting from the application of the selected alternative approaches to preservation of plant materials.
    Źródło:
    Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego; 2013, 1; 92-95
    0867-793X
    2719-3691
    Pojawia się w:
    Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of freezing treatment, osmotic dehydration and storage time on the rehydration of vacuum dried strawberries
    Wpływ obróbki zamrażalniczej, odwadniania osmotycznego i czasu przechowywania na rehydrację próżniowo wysuszonych truskawek
    Autorzy:
    Grzegory, P.
    Piotrowski, D.
    Bargiel, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/290849.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
    Tematy:
    rehydration
    vacuum dried
    fruits
    osmotic dehydration
    storage
    rehydracja
    owoce
    suszenie próżniowe
    mrożenie
    odwodnienie osmotyczne
    przechowywanie
    Opis:
    Dried fruits – strawberries – were rehydrated by dipping them in water at room temperature and their rehydration characteristics were examined. The aim of this study was to analyze the influence of the preparation method (the impact of freezing treatment at -18ºC, osmotic dehydration in sucrose solution 61.5%) of raw material and storage (from 32 days to 399 days) on the rehydration of dried strawberries. Dried strawberries obtained by the vacuum method from frozen fruits have larger relative weight gain with prolongation of rehydration time than dried fruits obtained from raw strawberries. Osmotic dehydration of strawberries before vacuum drying did not cause a significant difference in rehydration of dried strawberries stored for a long period. Vacuum dried strawberries stored for about 360 days longer at ambient temperature obtained slightly lower relative weight gain and higher solids content.
    Suszone owoce – truskawki – poddano rehydracji poprzez zanurzenie w wodzie o temperaturze otoczenia i zbadano ich rehydracyjne właściwości. Celem pracy była analiza wpływu metody obróbki wstępnej (wpływ zamrożenia w -18°C, osmotyczne odwodnienie w roztworze sacharozy 61,5%) surowca i przechowywania (od 32 dni do 399 dni) na rehydrację wysuszonych truskawek. Próżniowo wysuszone truskawki z mrożonych owoców uzyskują większy względny przyrost masy wraz z wydłużaniem czasów rehydracji w porównaniu do suszy z truskawek surowych. Osmotyczne odwodnianie truskawek przed suszeniem próżniowym nie spowodowało znaczącej różnicy w rehydracji suszu truskawkowego długo przechowywanego. Wysuszone próżniowo truskawki przechowywane o około 360 dni dłużej w temperaturze otoczenia uzyskały nieznacznie niższy względny przyrost masy i wyższą zawartość suchej substancji.
    Źródło:
    Inżynieria Rolnicza; 2013, R. 17, nr 4, t. 2, 4, t. 2; 39-47
    1429-7264
    Pojawia się w:
    Inżynieria Rolnicza
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Shrinkage and mechanical properties of defrosted strawberries dried by convective, vacuum and convective-vacuum methods
    Skurcz i właściwości mechaniczne rozmrożonych truskawek suszonych metoda konwekcyjną, próżniową i konwekcyjno-próżniową
    Autorzy:
    Piotrowski, D.
    Golos, A.
    Grzegory, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/37002.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
    Tematy:
    shrinkage
    mechanical property
    defrosted fruit
    strawberry
    convective drying
    vacuum drying
    convective-vacuum method
    Opis:
    The mechanical properties are among the most important indicators of the quality of food. They are the most important criteria for acceptance of the raw material by the consumer. Texture of fruits and vegetables is affected by the drying process – closely related to the composition and structure of cell walls – and its parameters. Research material for the study was strawberries of the variety SengaSengana. Axial shrinkage in the vertical plane was determined by linear measurements for 4 strawberries before drying and for the same strawberries after drying, using an electronic caliper. The mechanical properties of dried strawberries were analysed by compression tests (compression curves and maximum compression force). The test was carried out on texture analyser TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). In this paper three methods of strawberry drying: convection, vacuum, convectionvacuum in various temperatures are presented. It was found that the largest shrinkage appears in convection drying and the lowest in vacuum drying. Increase of vacuum and convection drying temperature caused lower shrinkage. The curves of maximum compression and the compressive force showed that convection dried strawberries and convectionvacuum dried strawberries are more crisp and hard than strawberries dried by the convection method which are characterised by the lowest values of compression force.
    Właściwości mechaniczne są istotnym wskaźnikiem jakości żywności. Są uważane za jeden z najważniejszych kryteriów dotyczących akceptacji surowca przez konsumentów. Na teksturę owoców i warzyw ma wpływ proces suszenia – ściśle związany ze składem i strukturą ścian komórkowych – oraz jego parametry. Materiał do badań stanowiły truskawki odmiany Senga Sengana. Osiowy skurcz w płaszczyźnie pionowej oznaczano metodą liniową dla 4 truska-wek przed suszeniem i dla tych samych truskawek po suszeniu, z wykorzystaniem suwmiarki elek-tronicznej. Właściwości mechaniczne suszonych truskawek analizowano metodą ściskania (krzywych ściskania i maksymalną siłą ściskająca).Test przeprowadzono na analizatorze tekstury TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). W artykule przedstawiono badania, których zakres pracy obejmował wysuszenie truskawek trzema metodami konwekcyjnie, próżniowo, konwekcyjnie-próżniowo w różnych wariantach temperatur. Stwierdzono, że największy skurcz suszarniczy występuje w suszach konwekcyjnych, a najmniejszy w próżniowych. W przypadku suszenia próżniowego oraz konwekcyjnego wzrost temperatury suszenia spowodował uzyskanie mniejszego skurczu. Z krzywych ściskania oraz wartości maksymalnej siły ściskania wynika, że truskawki suszone metodą konwekcyjna oraz konwekcyjno-próżniową są bardziej chrupkie i twarde niż truskawki suszone konwekcyjnie, które charakteryzują się najniższymi wartościami siły ściskania.
    Źródło:
    Acta Agrophysica; 2014, 21, 2
    1234-4125
    Pojawia się w:
    Acta Agrophysica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ temperatury na strukturę i barwę truskawek suszonych wybranymi metodami
    Influence of the temperature on the structure and colour of strawberries dried by selected methods
    Autorzy:
    Golos, A.
    Piotrowski, D.
    Grzegory, P.
    Wojnowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/5465.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Wydawnictwo Uniwersytetu Ekonomicznego we Wrocławiu
    Tematy:
    truskawki
    suszenie konwekcyjne
    suszenie prozniowe
    suszenie konwekcyjno-prozniowe
    wplyw temperatury
    struktura
    mikroskop optyczny
    barwa
    zmiany barwy
    susze owocowe
    metody suszenia
    Opis:
    Celem pracy była analiza wpływu temperatury na strukturę i barwę truskawek suszonych metodą konwekcyjną, próżniową oraz konwekcyjno-próżniową. Zamrożone i rozmrożone truskawki odmiany Senga Sengana poddano suszeniu konwekcyjnemu, próżniowemu i konwekcyjno-próżniowemu (dwuetapowemu, w etapie pierwszym usuwano 50% wody) w temperaturach otoczenia około 45, 55 i 65ºC. Ponadto dla środkowej temperatury (55°C) zaproponowano suszenie dwuetapowe z usunięciem 30, 50 i 70% początkowej zawartości wody w etapie konwekcyjnym. Zmiany struktury oceniano za pomocą pomiarów liniowych wykorzystywanych do wyznaczenia skurczu (osiowego i promieniowego) oraz barwnych fotografii wykonanych za pomocą kamery i optycznego stereoskopowego mikroskopu. Barwę oznaczono za pomocą fotokolorymetru odbiciowego w układzie CIE L*a*b*. Zarówno suszenie próżniowe, jak i dwuetapowe pozwoliło uzyskać skurcz osiowy oraz promieniowy truskawek niższy dla suszenia konwekcyjnego. Struktura truskawek wysuszonych konwekcyjnie w temperaturach 55 oraz 65ºC nie różniła się znacznie, podobnie jak skurcz suszarniczy, a dla suszu uzyskanego w 45ºC struktura uległa największej destrukcji, na co wskazuje największy skurcz osiowy. Susząc dwuetapowo przy 50-procentowym odparowaniu wody w etapie konwekcyjnym, nie zaobserwowano wyraźnych różnic zmian w strukturze suszy otrzymanych przy trzech poziomach temperatury, przy czym pomiary jasności lub nasycenia barwy zostały zaklasyfikowane i do wspólnych, i do różnych grup jednorodnych. Wykorzystanie suszenia łączonego z odpowiednio dobraną długością etapu konwekcyjnego ma walor praktyczny.
    The aim of the study was to analyze the effect of temperature on the structure and color of strawberries dried by convection, convection − vacuum and vacuum method. Frozen and thawed strawberries of Senga Sengana variety were dried by convection, vacuum, convective – vacuum (two-stage in the first stage removed 50% of water) at ambient temperatures of about 45, 55 and 65°C. Furthermore, for the central temperature of 55°C a two-stage drying, with the removal of 30, 50 and 70% of the initial water content in stage convection was proposed. Changes in the structure were carried out using linear measurements used to determine shrinkage (axial and radial) and color photographs taken with a camera and an optical stereoscopic microscope. The color was determined by reflective foto − colorimeter in the CIE L* a* b*. Both drying methods: vacuum and two-stage allowed to obtain axial and radial shrinkage of strawberries lower for convective drying. The structure of the convection dried strawberries at temperatures 55 and 65°C did not differ significantly from each other, as well as shrinkage obtained for drying at 45°C had the highest destruction of the structure, as indicated by the largest axial contraction. Drying in two stages with a 50% evaporation of water in the convection stage, there was no apparent difference of changes in the obtained dried structure at three temperature levels, wherein the measured brightness and chroma were classified to a common and uniform as well as different groups. The application of combined drying with suitably chosen length of the convective stage has practical value.
    Źródło:
    Nauki Inżynierskie i Technologie; 2014, 4(15)
    2449-9773
    2080-5985
    Pojawia się w:
    Nauki Inżynierskie i Technologie
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Leszczyński, M.
    Krukowski, S.
    Perlin, P.
    Suski, T.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.-h
    78.66.Fd
    73.61.Ey
    82.60.Lf
    78.55.Cr
    Opis:
    Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Band Structure and Refractive Index of Gallium Nitride Under Pressure
    Autorzy:
    Perlin, P.
    Gorczyca, I.
    Suski, T.
    Teisseyre, H.
    Grzegory, I.
    Christensen, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891272.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    78.20.Ci
    Opis:
    The effect of hydrostatic pressure on direct gap and refractive index of GaN is investigated up to 5.5 GPa. Band structure of GaN is calculated by Linear Muffin-Tin Orbitals (LMTO) method for different values of pressure. Resulting pressure coefficient of the main gap and of the refractive index are in a good agreement with the experimental ones.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 421-424
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep-Level Defects in MBE-Grown GaN-Based Laser Structure
    Autorzy:
    Tsarova, T.
    Wosiński, T.
    Mąkosa, A.
    Skierbiszewski, C.
    Grzegory, I.
    Perlin, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047691.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.20.Hb
    61.72.Lk
    81.15.Hi
    Opis:
    We present results of deep-level transient spectroscopy investigations of defects in a GaN-based heterostructure of a blue-violet laser diode, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a bulk GaN substrate. Three majority-carrier traps, T1 at E$\text{}_{C}$ - 0.28 eV, T2 at E$\text{}_{C}$ - 0.60 eV, and T3 at E$\text{}_{V}$ + 0.33 eV, were revealed in deep-level transient spectra measured under reverse-bias conditions. On the other hand, deep-level transient spectroscopy measurements performed under injection conditions, revealed one minority-carrier trap, T4, with the activation energy of 0.20 eV. The three majority-carrier traps were revealed in the spectra measured under different reverse-bias conditions, suggesting that they are present in various parts of the laser-diode heterostructure. In addition, these traps represent different charge-carrier capture behaviours. The T1 trap, which exhibits logarithmic capture kinetics, is tentatively attributed to electron states of dislocations in the n-type wave-guiding layer of the structure. In contrast, the T2, T3, and T4 traps display exponential capture kinetics and are assigned to point defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 331-337
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Pressure Freeze-out of Electrons in Undoped GaN Crystal. Proof of Existence of Resonant Donor State (Nitrogen Vacancy)
    Autorzy:
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Suski, T.
    Leszczyński, M.
    Grzegory, I.
    Jun, J.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931916.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    71.55.Eq
    Opis:
    We investigated free carriers related optical absorption in GaN in hydrostatic pressures up to 30 GPa. The disappearance of this absorption at pressures close to 18 GPa was explained by trapping electrons resulting from the shift of nitrogen vacancy related donor level into the GaN energy gap at high pressure. We estimated the energetic position of this level at atmospheric pressure to be about 0.8 eV above the conduction band minimum.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 141-143
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Monemar, B.
    Bergman, J. P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.-y
    78.47.+p
    78.55.Cr
    Opis:
    Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
    Autorzy:
    Wysmołek, A.
    Łomiak, P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Stępniewski, R.
    Korona, K. P.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    63.20.Mt
    71.55.Eq
    Opis:
    The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Przełyk olbrzymi u psów i kotów
    Megaesophagus in dogs and cats
    Autorzy:
    Jankowski, M.
    Gluszynska, A.
    Spuzak, J.
    Kubiak, K.
    Glinska-Suchocka, K.
    Borusewicz, P.
    Grzegory, M.
    Bakowska, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/862314.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
    Tematy:
    psy
    koty
    choroby przewodu pokarmowego
    przelyk olbrzymi
    przyczyny
    objawy chorobowe
    diagnostyka
    badanie kliniczne
    badania krwi
    badania radiologiczne
    ezofagoskopia
    leczenie
    rokowanie
    Źródło:
    Życie Weterynaryjne; 2014, 89, 04
    0137-6810
    Pojawia się w:
    Życie Weterynaryjne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    III-V Semiconducting Nitrides Energy Gap under Pressure
    Autorzy:
    Perlin, P.
    Gorczyca, I.
    Teisseyre, H.
    Suski, T.
    Litwin-Staszewska, E.
    Porowski, S.
    Grzegory, I.
    Christensen, N. E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921585.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    Opis:
    In this paper we present overview of our recent experimental and theoretical results concerning electronic band structure of III-V nitrides under pressure. It is shown here that the pressure coefficients of the direct gap for studied nitrides are surprisingly small. To describe tendency in changes of the gap with pressure we use a simple empirical relation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 674-676
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
    Autorzy:
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Wiśniewski, P.
    Perlin, P.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Cywiński, G.
    Smalc, J.
    Grzanka, S.
    Grzegory, I.
    Leszczyński, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    42.60.By
    73.21.Cd
    Opis:
    Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Epitaxial Layers Versus Bulk Single Crystals of GaN. Temperature Studies of Lattice Parameters and Energy Gap
    Autorzy:
    Teisseyre, H.
    Perlin, P.
    Leszczyński, M.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Jun, J.
    Moustakas, T. D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873040.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    65.70.+y
    78.50.Ge
    78.66.Fd
    Opis:
    Gallium nitride epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy and bulk crystal grown at high pressure were examined by using X-ray diffraction methods, and by optical absorption at a wide temperature range. The free electron concentration was 6 × 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ for the layer and about 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for the bulk crystal. The experiments revealed a different position of the absorption edge and its temperature dependence for these two kinds of samples. The structural examinations proved a significantly higher crystallographic quality of the bulk sample. However, the lattice constants of the samples were nearly the same. This indicated that a rather different electron concentration was responsible for the different optical properties via Burstein-Moss effect.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 403-406
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Kamińska, M.
    Gaj, J. A.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    71.70.Ej
    71.55.Eq
    71.20.Nr
    Opis:
    In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Korona, K. P.
    Stępniewski, R.
    Knap, W.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Grandjean, N.
    Massies, J.
    Prystawko, P.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.20.-r
    73.21.-b
    74.40.+k
    Opis:
    Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Wisniewski, P.
    Suski, T.
    Bockowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Ivanov, V. Yu.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Suski, T.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Langer, R.
    Barski, A.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.16.Ch
    61.72.Ff
    71.55.Eq
    Opis:
    The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
    Autorzy:
    Ivanov, V.
    Godlewski, M.
    Miasojedovas, S.
    Juršėnas, S.
    Kazlauskas, K.
    Žukauskas, A.
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Leszczyński, M.
    Perlin, P.
    Suski, T.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1179597.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.21.Fg
    72.20.Jv
    78.47.+p
    Opis:
    We report on photoluminescence characterization of InGaN based laser structures grown by homoepitaxial radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Owing to Si doped barriers, the structures show a negligible impact of the built-in electric field, which was proved by excitation intensity dependent and quantum well width dependent luminescence experiments. Relatively low variation in band potential due to inhomogeneous distribution of In was quantitatively estimated from the photoluminescence temperature behavior using Monte Carlo simulation of in-plane carrier hopping and optically detected cyclotron resonance experiments. Efficient stimulated emission with a low threshold for optically pumped laser structures was observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 225-229
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
    Autorzy:
    Porowski, S.
    Boćkowski, M.
    Łucznik, B.
    Grzegory, I.
    Wróblewski, M.
    Teisseyre, H.
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Skierbiszewski, C.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Siekacz, M.
    Nevou, L.
    Doyennette, L.
    Julien, F. H.
    Prystawko, P.
    Kryśko, M.
    Grzanka, S.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046911.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.65.Fg
    78.66.-w
    78.67.De
    78.40.Fy
    81.15.Hi
    Opis:
    Crack free GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect for growth of intersubband structures on GaN. Indium contained ternary compounds of barrier and well layers are contrary strained to the substrate material. A series of crack free GaInN/AlInN intersubband structures on (0001) GaN was fabricated and investigated. The assumed composition and layered structure were confirmed by room temperature photoluminescence and X-ray diffraction measurements. The intersubband measurements were done in multipass waveguide geometry by applying direct intersubband absorption and photoinduced intersubband absorption measurements. The optimized structure design contains forty periods of Si-doped GaInN/AlInN quantum wells and exhibits strong intersubband absorption.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 175-181
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Pumped Laser Action on Nitride Based Separate Confinement Heterostructures Grown along the (11¯20) Crystallographic Direction
    Autorzy:
    Teisseyre, H.
    Szymański, M.
    Khachapuridze, A.
    Skierbiszewski, C.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Siekacz, M.
    Łucznik, B.
    Kamler, G.
    Kryśko, M.
    Suski, T.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047728.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    78.45.+h
    78.66.Fd
    Opis:
    The intention of this work is to discuss and report on our research on nonpolar laser structures grown on bulk GaN crystal substrates along the (11¯20) nonpolar direction. The main advantages of such nonpolar structures are related to the elimination of the built-in electric fields present in commonly used systems grown along the polar (0001) axis of nitride crystals. We demonstrated the optically pumped laser action on separate confinement heterostructures. Laser action is clearly shown by spontaneous emission saturation, abrupt line narrowing, and strong transversal electric polarization of output light. The lasing threshold was reached at an excitation power density of 260 kW/cm$\text{}^{2}$ for a 700μm long cavity (at room temperature).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 467-472
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Krukowski, S.
    Łucznik, B.
    Wróblewski, M.
    Weyher, J.
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Czernecki, R.
    Lehnert, J.
    Nowak, G.
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Purgał, W.
    Krupczyński, W.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Litwin-Staszewska, E.
    Skierbiszewski, C.
    Łepkowski, S.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Opis:
    In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-24 z 24

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies