Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grzegory, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Suszenie surowców roślinnych wybranymi sposobami
Plant materials drying by selected methods
Autorzy:
Grzegory, P.
Piotrowski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227578.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Wyższa Szkoła Menedżerska w Warszawie
Tematy:
suszenie
suszenie próżniowe
suszenie kombinowane
suszenie konwekcyjne
surowce roślinne
drying
vacuum drying
combined drying
convection drying
plant materials
Opis:
Struktura surowców roślinnych jest bardzo delikatna i podatna na uszkodzenia w trakcie obróbki technologicznej, co sprawia że nie wszystkie stosowane w technologii żywności metody suszenia gwarantują otrzymanie gotowego produktu o wysokiej jakości. Celem artykułu jest prezentacja wybranych metod suszenia-próżniowe, kombinowane i konwekcyjne, w aspekcie pozytywnych i negatywnych zmian, wynikających z zastosowania wybranych alternatywnych podejść do utrwalania surowców roślinnych.
Structure of the plant material is very delicate and susceptible to damage during a technological process, which causes that not all of drying methods assure high quality of final food product. The purpose of this article is to present some methods of drying: convective, vacuum and combined, in terms of positive and negative changes resulting from the application of the selected alternative approaches to preservation of plant materials.
Źródło:
Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego; 2013, 1; 92-95
0867-793X
2719-3691
Pojawia się w:
Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of freezing treatment, osmotic dehydration and storage time on the rehydration of vacuum dried strawberries
Wpływ obróbki zamrażalniczej, odwadniania osmotycznego i czasu przechowywania na rehydrację próżniowo wysuszonych truskawek
Autorzy:
Grzegory, P.
Piotrowski, D.
Bargiel, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/290849.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
rehydration
vacuum dried
fruits
osmotic dehydration
storage
rehydracja
owoce
suszenie próżniowe
mrożenie
odwodnienie osmotyczne
przechowywanie
Opis:
Dried fruits – strawberries – were rehydrated by dipping them in water at room temperature and their rehydration characteristics were examined. The aim of this study was to analyze the influence of the preparation method (the impact of freezing treatment at -18ºC, osmotic dehydration in sucrose solution 61.5%) of raw material and storage (from 32 days to 399 days) on the rehydration of dried strawberries. Dried strawberries obtained by the vacuum method from frozen fruits have larger relative weight gain with prolongation of rehydration time than dried fruits obtained from raw strawberries. Osmotic dehydration of strawberries before vacuum drying did not cause a significant difference in rehydration of dried strawberries stored for a long period. Vacuum dried strawberries stored for about 360 days longer at ambient temperature obtained slightly lower relative weight gain and higher solids content.
Suszone owoce – truskawki – poddano rehydracji poprzez zanurzenie w wodzie o temperaturze otoczenia i zbadano ich rehydracyjne właściwości. Celem pracy była analiza wpływu metody obróbki wstępnej (wpływ zamrożenia w -18°C, osmotyczne odwodnienie w roztworze sacharozy 61,5%) surowca i przechowywania (od 32 dni do 399 dni) na rehydrację wysuszonych truskawek. Próżniowo wysuszone truskawki z mrożonych owoców uzyskują większy względny przyrost masy wraz z wydłużaniem czasów rehydracji w porównaniu do suszy z truskawek surowych. Osmotyczne odwodnianie truskawek przed suszeniem próżniowym nie spowodowało znaczącej różnicy w rehydracji suszu truskawkowego długo przechowywanego. Wysuszone próżniowo truskawki przechowywane o około 360 dni dłużej w temperaturze otoczenia uzyskały nieznacznie niższy względny przyrost masy i wyższą zawartość suchej substancji.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2013, R. 17, nr 4, t. 2, 4, t. 2; 39-47
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Shrinkage and mechanical properties of defrosted strawberries dried by convective, vacuum and convective-vacuum methods
Skurcz i właściwości mechaniczne rozmrożonych truskawek suszonych metoda konwekcyjną, próżniową i konwekcyjno-próżniową
Autorzy:
Piotrowski, D.
Golos, A.
Grzegory, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/37002.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
shrinkage
mechanical property
defrosted fruit
strawberry
convective drying
vacuum drying
convective-vacuum method
Opis:
The mechanical properties are among the most important indicators of the quality of food. They are the most important criteria for acceptance of the raw material by the consumer. Texture of fruits and vegetables is affected by the drying process – closely related to the composition and structure of cell walls – and its parameters. Research material for the study was strawberries of the variety SengaSengana. Axial shrinkage in the vertical plane was determined by linear measurements for 4 strawberries before drying and for the same strawberries after drying, using an electronic caliper. The mechanical properties of dried strawberries were analysed by compression tests (compression curves and maximum compression force). The test was carried out on texture analyser TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). In this paper three methods of strawberry drying: convection, vacuum, convectionvacuum in various temperatures are presented. It was found that the largest shrinkage appears in convection drying and the lowest in vacuum drying. Increase of vacuum and convection drying temperature caused lower shrinkage. The curves of maximum compression and the compressive force showed that convection dried strawberries and convectionvacuum dried strawberries are more crisp and hard than strawberries dried by the convection method which are characterised by the lowest values of compression force.
Właściwości mechaniczne są istotnym wskaźnikiem jakości żywności. Są uważane za jeden z najważniejszych kryteriów dotyczących akceptacji surowca przez konsumentów. Na teksturę owoców i warzyw ma wpływ proces suszenia – ściśle związany ze składem i strukturą ścian komórkowych – oraz jego parametry. Materiał do badań stanowiły truskawki odmiany Senga Sengana. Osiowy skurcz w płaszczyźnie pionowej oznaczano metodą liniową dla 4 truska-wek przed suszeniem i dla tych samych truskawek po suszeniu, z wykorzystaniem suwmiarki elek-tronicznej. Właściwości mechaniczne suszonych truskawek analizowano metodą ściskania (krzywych ściskania i maksymalną siłą ściskająca).Test przeprowadzono na analizatorze tekstury TA-TX2 2i (Stable Micro Systems). W artykule przedstawiono badania, których zakres pracy obejmował wysuszenie truskawek trzema metodami konwekcyjnie, próżniowo, konwekcyjnie-próżniowo w różnych wariantach temperatur. Stwierdzono, że największy skurcz suszarniczy występuje w suszach konwekcyjnych, a najmniejszy w próżniowych. W przypadku suszenia próżniowego oraz konwekcyjnego wzrost temperatury suszenia spowodował uzyskanie mniejszego skurczu. Z krzywych ściskania oraz wartości maksymalnej siły ściskania wynika, że truskawki suszone metodą konwekcyjna oraz konwekcyjno-próżniową są bardziej chrupkie i twarde niż truskawki suszone konwekcyjnie, które charakteryzują się najniższymi wartościami siły ściskania.
Źródło:
Acta Agrophysica; 2014, 21, 2
1234-4125
Pojawia się w:
Acta Agrophysica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ temperatury na strukturę i barwę truskawek suszonych wybranymi metodami
Influence of the temperature on the structure and colour of strawberries dried by selected methods
Autorzy:
Golos, A.
Piotrowski, D.
Grzegory, P.
Wojnowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/5465.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Wydawnictwo Uniwersytetu Ekonomicznego we Wrocławiu
Tematy:
truskawki
suszenie konwekcyjne
suszenie prozniowe
suszenie konwekcyjno-prozniowe
wplyw temperatury
struktura
mikroskop optyczny
barwa
zmiany barwy
susze owocowe
metody suszenia
Opis:
Celem pracy była analiza wpływu temperatury na strukturę i barwę truskawek suszonych metodą konwekcyjną, próżniową oraz konwekcyjno-próżniową. Zamrożone i rozmrożone truskawki odmiany Senga Sengana poddano suszeniu konwekcyjnemu, próżniowemu i konwekcyjno-próżniowemu (dwuetapowemu, w etapie pierwszym usuwano 50% wody) w temperaturach otoczenia około 45, 55 i 65ºC. Ponadto dla środkowej temperatury (55°C) zaproponowano suszenie dwuetapowe z usunięciem 30, 50 i 70% początkowej zawartości wody w etapie konwekcyjnym. Zmiany struktury oceniano za pomocą pomiarów liniowych wykorzystywanych do wyznaczenia skurczu (osiowego i promieniowego) oraz barwnych fotografii wykonanych za pomocą kamery i optycznego stereoskopowego mikroskopu. Barwę oznaczono za pomocą fotokolorymetru odbiciowego w układzie CIE L*a*b*. Zarówno suszenie próżniowe, jak i dwuetapowe pozwoliło uzyskać skurcz osiowy oraz promieniowy truskawek niższy dla suszenia konwekcyjnego. Struktura truskawek wysuszonych konwekcyjnie w temperaturach 55 oraz 65ºC nie różniła się znacznie, podobnie jak skurcz suszarniczy, a dla suszu uzyskanego w 45ºC struktura uległa największej destrukcji, na co wskazuje największy skurcz osiowy. Susząc dwuetapowo przy 50-procentowym odparowaniu wody w etapie konwekcyjnym, nie zaobserwowano wyraźnych różnic zmian w strukturze suszy otrzymanych przy trzech poziomach temperatury, przy czym pomiary jasności lub nasycenia barwy zostały zaklasyfikowane i do wspólnych, i do różnych grup jednorodnych. Wykorzystanie suszenia łączonego z odpowiednio dobraną długością etapu konwekcyjnego ma walor praktyczny.
The aim of the study was to analyze the effect of temperature on the structure and color of strawberries dried by convection, convection − vacuum and vacuum method. Frozen and thawed strawberries of Senga Sengana variety were dried by convection, vacuum, convective – vacuum (two-stage in the first stage removed 50% of water) at ambient temperatures of about 45, 55 and 65°C. Furthermore, for the central temperature of 55°C a two-stage drying, with the removal of 30, 50 and 70% of the initial water content in stage convection was proposed. Changes in the structure were carried out using linear measurements used to determine shrinkage (axial and radial) and color photographs taken with a camera and an optical stereoscopic microscope. The color was determined by reflective foto − colorimeter in the CIE L* a* b*. Both drying methods: vacuum and two-stage allowed to obtain axial and radial shrinkage of strawberries lower for convective drying. The structure of the convection dried strawberries at temperatures 55 and 65°C did not differ significantly from each other, as well as shrinkage obtained for drying at 45°C had the highest destruction of the structure, as indicated by the largest axial contraction. Drying in two stages with a 50% evaporation of water in the convection stage, there was no apparent difference of changes in the obtained dried structure at three temperature levels, wherein the measured brightness and chroma were classified to a common and uniform as well as different groups. The application of combined drying with suitably chosen length of the convective stage has practical value.
Źródło:
Nauki Inżynierskie i Technologie; 2014, 4(15)
2449-9773
2080-5985
Pojawia się w:
Nauki Inżynierskie i Technologie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
Autorzy:
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Krukowski, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.-h
78.66.Fd
73.61.Ey
82.60.Lf
78.55.Cr
Opis:
Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Band Structure and Refractive Index of Gallium Nitride Under Pressure
Autorzy:
Perlin, P.
Gorczyca, I.
Suski, T.
Teisseyre, H.
Grzegory, I.
Christensen, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891272.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ci
Opis:
The effect of hydrostatic pressure on direct gap and refractive index of GaN is investigated up to 5.5 GPa. Band structure of GaN is calculated by Linear Muffin-Tin Orbitals (LMTO) method for different values of pressure. Resulting pressure coefficient of the main gap and of the refractive index are in a good agreement with the experimental ones.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 421-424
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-Level Defects in MBE-Grown GaN-Based Laser Structure
Autorzy:
Tsarova, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Skierbiszewski, C.
Grzegory, I.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047691.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.20.Hb
61.72.Lk
81.15.Hi
Opis:
We present results of deep-level transient spectroscopy investigations of defects in a GaN-based heterostructure of a blue-violet laser diode, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a bulk GaN substrate. Three majority-carrier traps, T1 at E$\text{}_{C}$ - 0.28 eV, T2 at E$\text{}_{C}$ - 0.60 eV, and T3 at E$\text{}_{V}$ + 0.33 eV, were revealed in deep-level transient spectra measured under reverse-bias conditions. On the other hand, deep-level transient spectroscopy measurements performed under injection conditions, revealed one minority-carrier trap, T4, with the activation energy of 0.20 eV. The three majority-carrier traps were revealed in the spectra measured under different reverse-bias conditions, suggesting that they are present in various parts of the laser-diode heterostructure. In addition, these traps represent different charge-carrier capture behaviours. The T1 trap, which exhibits logarithmic capture kinetics, is tentatively attributed to electron states of dislocations in the n-type wave-guiding layer of the structure. In contrast, the T2, T3, and T4 traps display exponential capture kinetics and are assigned to point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 331-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pressure Freeze-out of Electrons in Undoped GaN Crystal. Proof of Existence of Resonant Donor State (Nitrogen Vacancy)
Autorzy:
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931916.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
Opis:
We investigated free carriers related optical absorption in GaN in hydrostatic pressures up to 30 GPa. The disappearance of this absorption at pressures close to 18 GPa was explained by trapping electrons resulting from the shift of nitrogen vacancy related donor level into the GaN energy gap at high pressure. We estimated the energetic position of this level at atmospheric pressure to be about 0.8 eV above the conduction band minimum.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 141-143
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Korona, K. P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Monemar, B.
Bergman, J. P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
78.47.+p
78.55.Cr
Opis:
Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przełyk olbrzymi u psów i kotów
Megaesophagus in dogs and cats
Autorzy:
Jankowski, M.
Gluszynska, A.
Spuzak, J.
Kubiak, K.
Glinska-Suchocka, K.
Borusewicz, P.
Grzegory, M.
Bakowska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/862314.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
Tematy:
psy
koty
choroby przewodu pokarmowego
przelyk olbrzymi
przyczyny
objawy chorobowe
diagnostyka
badanie kliniczne
badania krwi
badania radiologiczne
ezofagoskopia
leczenie
rokowanie
Źródło:
Życie Weterynaryjne; 2014, 89, 04
0137-6810
Pojawia się w:
Życie Weterynaryjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-V Semiconducting Nitrides Energy Gap under Pressure
Autorzy:
Perlin, P.
Gorczyca, I.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Grzegory, I.
Christensen, N. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921585.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
Opis:
In this paper we present overview of our recent experimental and theoretical results concerning electronic band structure of III-V nitrides under pressure. It is shown here that the pressure coefficients of the direct gap for studied nitrides are surprisingly small. To describe tendency in changes of the gap with pressure we use a simple empirical relation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 674-676
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Layers Versus Bulk Single Crystals of GaN. Temperature Studies of Lattice Parameters and Energy Gap
Autorzy:
Teisseyre, H.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Suski, T.
Dmowski, L.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Jun, J.
Moustakas, T. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873040.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
78.50.Ge
78.66.Fd
Opis:
Gallium nitride epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy and bulk crystal grown at high pressure were examined by using X-ray diffraction methods, and by optical absorption at a wide temperature range. The free electron concentration was 6 × 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ for the layer and about 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for the bulk crystal. The experiments revealed a different position of the absorption edge and its temperature dependence for these two kinds of samples. The structural examinations proved a significantly higher crystallographic quality of the bulk sample. However, the lattice constants of the samples were nearly the same. This indicated that a rather different electron concentration was responsible for the different optical properties via Burstein-Moss effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 403-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
Autorzy:
Wołoś, A.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Kamińska, M.
Gaj, J. A.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.70.Ej
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies