Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grzanka, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-12 z 12
Tytuł:
A novel type of piezoactuated micropositioning system - simulation and experimental tests
Nowy typ piezoelektrycznie napędzanego systemu mikropozycjonującego - badania symulacyjne i eksperymentalne
Autorzy:
Bojko, T.
Grzanka, M.
Rejmer, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/276512.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
mikropozycjoner
napęd piezoelektryczny
elastyczne przeguby złączowe
system pozycjonowania
symulacje MES
micropositioner
piezoactuator
flexures
positioning system
FEA simulations
Opis:
A study of the novel type of piezoelectric actuated micropositioning system for pick-and-place type applications is reported. The objective of this work is to present mechanical design of micropositioning system, simulation test of main mechanical parts and to verify simulation test by real experiment. It also mentions the study of selected aspects of actuation system based on flexible joints and piezostack actuators, FEA simulations of flexible joints, connections and interactions between mechanical parts, and modular design of micropositioning system is also mentioned. Finally experimental results of individual mechanical modules are reported.
W artykule zaprezentowano nowy typ piezoelektrycznie napędzanego urządzenia mikropozycjonującego do zastosowania w operacjach typu pobierz-odłóż (pick-and-place). Celem artykułu jest zaprezentowanie konstrukcji mechanicznej, przedstawienie badań symulacyjnych głównych elementów składowych, a także weryfikacja testów symulacyjnych przez eksperyment. Przedstawione zostały także wybrane aspekty układu napędowego, pracującego w oparciu o napęd piezoelektryczny i elastyczne przeguby złączowe typu flexures, a także wybrane aspekty związane z modelowaniem przy pomocy metody elementów skończonych MES, współpracy pomiędzy elementami mechanicznymi, oraz budowa modułowa urządzenia. W podsumowaniu przedstawiono wyniki testów eksperymentalnych wykonanego prototypu.
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 2; 395-400
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Clinical factors affecting the perception of hypoglycemia in type 1 diabetes patients treated with personal insulin pumps
Autorzy:
Matejko, B.
Grzanka, M.
Kiec-Wilk, B.
Malecki, M.T.
Klupa, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/52037.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Opis:
Introduction and Objective. The ability to perceive the symptoms of hypoglycemia during the early decrease in plasma glucose concentration may be critical for the safety of T1DM patients treated with intensive insulin therapy, including those treated with continuous subcutaneous insulin infusion (CSII). In the presented observational study an attempt was made to asses clinical factors that might affect subjective awareness of hypoglycemia in CSII-treated T1DM patients, with special attention to factors specific for this mode of treatment. Materials and Methods. For the purpose of the study, data of 110 CSII-treated T1DM patients were collected (78 females and 32 males). The records were analyzed from glucose meters (200-300 measurements/download, depending on meter type) and insulin pumps (total insulin dose, basal/bolus ratio, number of boluses/day, bolus calculator and dual wave/square bolus usage, continuous glucose monitoring data) from the last 3 years. Results. It was found that the level of subjective hypoglycemia perception inversely correlated with the number of hypoglycemic episodes per 100 measurements, age, duration of diabetes, time on insulin pump, and positively correlated with mean glycemia (n = 98; r = 0.22; p = 0.0286). With respect to CSII-related factors, hypoglycemia perception inversely correlated with the percentage of basal insulin (n = 106; r = -0.20; p = 0.0354). In stepwise regression analysis, independent predictors for impaired hypoglycemia perception were: age β = -0.29 (p = 0.023), duration of diabetes β = -0.24 (p = 0.029) and number of the hypoglycemia episodes for 100 measurements β = -0.33 (p = 0.0005). Conclusions. Risk factors for impaired hypoglycemia perception in CSII-treated patients include those identified previously for the general population of T1DM individuals. In addition, the presented results suggest that a higher basal/bolus ratio may lead to impairment of the ability to perceive early symptoms of hypoglycemia.
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2013, 20, 1
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Efficacy and safety of insulin pump treatment in adult T1DM patients – influence of age and social environment
Autorzy:
Grzanka, M.
Matejko, B.
Cyganek, K.
Kozek, E.
Malecki, M.T.
Klupa, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/51359.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Opis:
Introduction and objective. Continuous subcutaneous insulin infusion (CSII) via personal insulin pump is a valuable therapeutic tool in T1DM patients. However, adherence to recommended CSII- related behaviours may be of concern to young adults with intensive, variable daily activities (students, young professionals). The aim of this observational study was to estimate treatment outcomes in young adult patients with T1DM, and compare them with older individuals. Materials and methods. Overall, 140 adults with T1DM on CSII were examined, divided into 2 subgroups: 77 patients younger than 26 years of age (mean 20.6 years) and 63 older subjects (mean 39.0). We compared the glycaemic control in both groups of T1DM subjects and analyzed treatment attitudes to identify potentially modifiable behaviours influencing the efficacy of the treatment. Results. The younger individuals were characterized by significantly worse treatment outcomes, compared to the older ones: the mean HbA1c levels were 7.6 ± 1.3% and 6.9±1.3% (p=0.00001), while the mean glucose levels based on glucometer downloads were 161±33.6 mg/dL and 136±21.8 mg/dL (p=0.00001), respectively. The frequency of self-monitoring of blood glucose (SMBG) was lower in younger individuals (5.3±2.1 vs. 7.0±2.8 daily, p=0.0005, respectively); they were also less frequently used advanced pump functions, e.g. the bolus calculator (48% vs. 67% users, p=0.0014, respectively). Conclusions. The efficacy of CSII treatment observed in young T1DM adults was worse than in older patients. The reason for this phenomenon remains unclear, it may be due simply to age-dependend behaviours, to social environment, or both.
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2012, 19, 3
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Partnerstwo publiczno-społeczne we wspólnotach terytorialnych
Public-social partnership interritorial communities
Autorzy:
Baron-Wiaterek, M.
Grzanka, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/946121.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
partnerstwo publiczno-społeczne
współdziałanie
samorząd terytorialny
organizacje pozarządowe
public-social partnership
cooperation
self-government
non-governmental organizations
Opis:
Partnerstwo, będąc nową formą zarządzania w sferze publicznej, ucieleśnia zasady subsydiarności, dobrowolności i bezinteresowności. Jego zaletą jest wzmacnianie poczucia więzi obywatelskiej, wpływające na kształtowanie społeczeństwa obywatelskiego. Partnerstwo publiczno-społeczne powoduje otwartość samorządu dla społeczności. Dzięki temu organizacja działań zbiorowych przez ludność w miejscu zamieszkania może stanowić uzupełnienie dla pewnych braków administracji publicznej, bowiem obywatel może angażować się w działalność lokalną, odciążając samorząd w realizacji spoczywających na nim zadań.
The partnership, as a new form of governance in the public sphere, embodies the principle of subsidiarity, voluntary and selflessness. Its advantage is strengthening the ties in civic sense, that influences the development of civil society. The public-private partnership results with opening of the government for the community. Therefore, the organization of collective action by the people in the place of their residence may support some deficiencies of public administration, because the citizen may be involved in local activities, helping self-government in the implementation of its tasks.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2014, 76; 217-229
1641-3466
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Organizacja rozwiązywania problemów społecznych przez samorząd terytorialny
The organization of solving social problems by the local government
Autorzy:
Baron-Wiaterek, M.
Grzanka, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/321660.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
zarządzanie strategiczne
sektor publiczny
działania społeczne
strategic management
public sector
social activities
Opis:
Wymóg efektywności działania administracji publicznej w sferze rozwiązywania problemów sprawia, że konieczne staje się poszukiwanie właściwych narzędzi dla jej działań. Wśród nich kluczowym instrumentem determinującym poprawę efektywności i skuteczności działania samorządu terytorialnego jest zarządzanie strategiczne.
The requirement of the efficiency of public administration in the sphere of solving problems, makes it necessary to find an appropriate tools for its actions. Among them, a strategic management becomes the key instrument that is determining the improvement of the efficiency and effectiveness of local government.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2015, 80; 9-19
1641-3466
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A new method for identifying outlying subsets of data
Autorzy:
Zalewska, M.
Grzanka, A.
Niemiro, W.
Samoliński, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/970610.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
Tematy:
misclassification error
discriminant analysis
multidimensional homogeneity test
medical data
Opis:
In various branches of science, e.g. medicine, economics, sociology, it is necessary to identify or detect outlying subsets of data. Suppose that the set of data is partitioned into many relatively small subsets and we have some reason to suspect that one or several of these subsets may be atypical or aberrant. We propose applying a new measure of separability, based on the ideas borrowed from the discriminant analysis. In our paper we define two versions of this measure, both using a jacknife, leave-one-out, estimator of classification error. If a suspected subset is significantly well separated from the main bulk of data, then we regard it as outlying. The usefulness of our algorithm is illustrated on a set of medical data collected in a large survey "Epidemiology of Allergic Diseases in Poland" (ECAP). We also tested our method on artificial data sets and on the classical IRIS data set. For a comparison, we report the results of a homogeneity test of Bartoszyński, Pearl and Lawrence, applied to the same data sets.
Źródło:
Control and Cybernetics; 2008, 37, 3; 693-709
0324-8569
Pojawia się w:
Control and Cybernetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Spectroscopy of $LiFePO_4$ and $Li_3V_2(PO_4)_3$ Prepared as Cathode Materials
Autorzy:
Ziółkowska, D.
Korona, K.
Kamińska, M.
Grzanka, E.
Andrzejczuk, M.
Wu, S.
Chen, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493017.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
82.80.Gk
82.47.Aa
Opis:
Structure of samples of lithium iron vanadium phosphates of different compositions were investigated by X-rays, electron microscopy and Raman spectroscopy. The investigated salts were mainly of olivine-like and NASICON-like structures. The X-ray diffraction and the Raman scattering show different crystalline structures, which is probably caused by difference between cores of the crystallites (probed by X-rays) and their shells (probed by the Raman scattering). Most of the Raman spectra were identified with previously published data, however in the samples with high vanadium concentration we have observed new, not reported earlier modes at 835 $cm^{-1}$ and 877 $cm^{-1}$, that we identified as oscillations related to $V_2O_7^{4-}$ or $VO_4^{3-}$ anions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 973-975
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM
Autorzy:
Ivaldi, F.
Kret, S.
Szczepańska, A.
Czernecki, R.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048084.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.bg
68.37.Lp
68.65.Fg
Opis:
Two samples containing InGaN quantum wells have been grown by metal-organic vapor phase epitaxy on high pressure grown monocrystalline GaN (0001). Different growth temperatures have been used to grow the wells and the barriers. In one of the samples, a low temperature GaN layer (730°C) has been grown on every quantum well before rising the temperature to standard values (900°C). The samples have been investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Photoluminescence spectra have been measured as well. The influence of the LT-GaN has been investigated in regard to its influence on the structural and compositional quality of the sample.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 660-662
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Physical Properties of SiC-GaAs Nano-Composites
Autorzy:
Kalisz, G.
Grzanka, E.
Wasik, D.
Świderska-Środa, A.
Gierlotka, S.
Borysiuk, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Pałosz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043724.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.-b
07.35.+k
Opis:
Nano-composites consisting of primary phase of hard nanocrystalline SiC matrix and the secondary nanocrystalline semiconductor (GaAs) phase were obtained by high-pressure zone infiltration. The synthesis process occurs in three stages: (i) at room temperature the nanopowder of SiC is compacted along with GaAs under high pressure up to 8 GPa, (ii) the temperature is increased above the melting point of GaAs up to 1600~K and, the pores are being filled with liquid, (iii) upon cooling GaAs nanocrystallites grow in the pores. Synthesis of nano-composites was performed using a toroid-type high-pressure apparatus (IHPP of the Polish Academy of Sciences, Warsaw) and six-anvil cubic press (MAX-80 at HASYLAB, Hamburg). X-ray diffraction studies were performed using a laboratory D5000 Siemens diffractometer. Phase composition, grain size, and macrostrains present in the synthesized materials were examined. Microstructure of the composites was characterized using scanning electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy. Far-infrared reflectivity measurements were used to determine built-in strain.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 717-721
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm
Autorzy:
Cywiński, G.
Skierbiszewski, C.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Julien, F. H.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046911.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Fg
78.66.-w
78.67.De
78.40.Fy
81.15.Hi
Opis:
Crack free GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect for growth of intersubband structures on GaN. Indium contained ternary compounds of barrier and well layers are contrary strained to the substrate material. A series of crack free GaInN/AlInN intersubband structures on (0001) GaN was fabricated and investigated. The assumed composition and layered structure were confirmed by room temperature photoluminescence and X-ray diffraction measurements. The intersubband measurements were done in multipass waveguide geometry by applying direct intersubband absorption and photoinduced intersubband absorption measurements. The optimized structure design contains forty periods of Si-doped GaInN/AlInN quantum wells and exhibits strong intersubband absorption.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 175-181
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin Film ZnO as Sublayer for Electric Contact for Bulk GaN with Low Electron Concentration
Autorzy:
Grzanka, S.
Łuka, G.
Krajewski, T. A.
Guziewicz, E.
Jachymek, R.
Purgal, W.
Wiśniewska, R.
Sarzyńska, A.
Bering-Staniszewska, A.
Godlewski, M.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048094.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.40.Kp
73.40.Lq
Opis:
Fabrication of low resistivity ohmic contacts to N polarity gallium nitride crystal is an important issue for the construction of the vertical current flow devices like laser diodes and high brightness light emitting diodes. Gallium nitride is a challenging material because of the high metal work function required to form a barrier-free metal-semiconductor interface. In practice, all useful ohmic contacts to GaN are based on the tunneling effect. Efficient tunneling requires high doping of the material. The most challenging task is to fabricate high quality metal ohmic contacts on the substrate because the doping control is here much more difficult that in the case of epitaxial layers. In the present work we propose a method for fabricating low resistivity ohmic contacts on N-side of GaN wafers grown by hydride vapor phase epitaxy. These crystals were characterized by a n-type conductivity and the electron concentration of the order of 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$. The standard Ti/Au contact turned out to be unsatisfactory with respect to its linearity and resistance. Instead we decided to deposit high-n type ZnO layers (thickness 50 nm and 100 nm) prepared by atomic layer deposition at temperature of 200°C. The layers were highly n-type conductive with the electron concentration in the order of 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. Afterwards, the metal contact to ZnO was formed by depositing Ti and Au. The electrical characterization of such a contact showed very good linearity and as low resistance as 1.6 × 10$\text{}^{-3}$ Ω cm$\text{}^{2}$. The results indicate advantageous properties of contacts formed by the combination of the atomic layer deposition and hydride vapor phase epitaxy technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 672-674
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-12 z 12

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies