Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM

Tytuł:
Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM
Autorzy:
Ivaldi, F.
Kret, S.
Szczepańska, A.
Czernecki, R.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048084.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.bg
68.37.Lp
68.65.Fg
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 660-662
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Two samples containing InGaN quantum wells have been grown by metal-organic vapor phase epitaxy on high pressure grown monocrystalline GaN (0001). Different growth temperatures have been used to grow the wells and the barriers. In one of the samples, a low temperature GaN layer (730°C) has been grown on every quantum well before rising the temperature to standard values (900°C). The samples have been investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Photoluminescence spectra have been measured as well. The influence of the LT-GaN has been investigated in regard to its influence on the structural and compositional quality of the sample.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies