Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grasza, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Analiza przydatności darmowego oprogramowania geo-serwerowego z punktu widzenia wymagań INSPIRE
    Analysis of free geo-server software usability from the viewpoint of INSPIRE requirements
    Autorzy:
    Grasza, T.
    Kupidura, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/209336.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    SIP
    INSPIRE
    wolne oprogramowanie
    OGC
    geoportal
    usługi sieciowe
    GeoServer
    degree
    GeoNetwork
    GIS
    free software
    network services
    Opis:
    Artykuł przedstawia wybrane platformy serwerowe oparte na darmowej i otwartej licencji, zgodnej ze standardami Open Geospatial Consortium. Zaprezentowane programy ocenione są w kontekście dyrektywy INSPIRE. W pierwszej części opisane są wymagania stawiane przez dyrektywę, natomiast w dalszej kolejności przedstawiono wady i zalety poszczególnych platform pod kątem tych wymagań. Artykuł daje odpowiedź na pytanie, czy przy użyciu wolnego oprogramowania można świadczyć interoperacyjne usługi sieciowe zgodne z wymogami dyrektywy INSPIRE, przy okazji prezentuje przykłady zastosowań i praktyczne wskazówki dotyczące wykorzystania poszczególnych programów.
    The paper presents selected server platforms based on free and open source license, coherent with the standards of the Open Geospatial Consortium. The presented programs are evaluated in the context of the INSPIRE Directive. The first part describes the requirements of the Directive, and afterwards presented are the pros and cons of each platform, to meet these demands. This article provides an answer to the question whether the use of free software can provide interoperable network services in accordance with the requirements of the INSPIRE Directive, on the occasion of presenting the application examples and practical tips on the use of particular programs.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2014, 63, 2; 71-87
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
    15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
    Autorzy:
    Tymicki, E.
    Raczkiewicz, M.
    Racka, K.
    Grasza, K.
    Kościewicz, K.
    Diduszko, R.
    Mazur, K.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiC
    15R-SiC
    wtrącenie politypowe
    metoda PVT
    polytype inclusion
    PVT method
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
    In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Electrical Characterization of PbS-EuS Ferromagnetic Semiconductor Microstructures
    Autorzy:
    Wrotek, S.
    Morawski, A.
    Tkaczyk, Z.
    Mąkosa, A.
    Wosiński, T.
    Dybko, K.
    Łusakowska, E.
    Story, T.
    Sipatov, A. Yu.
    Pécz, B.
    Grasza, K.
    Szczerbakow, A.
    Wróbel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038135.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Le
    75.30.Et
    75.70.Cn
    Opis:
    Current-voltage characteristics and temperature dependence of differential conductance were studied in lithographically patterned (lateral dimensions from 10 x 10 μm$\text{}^{2}$ to 100 x 100 μm$\text{}^{2}$) ferromagnetic EuS-PbS-EuS microstructures. Below the ferromagnetic transition temperature a 4% decrease in the structure conductance was observed for mutual antiferromagnetic orientation of magnetization vectors of ferromagnetic EuS layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 615-620
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Vertical Electron Transport through PbS-EuS Structures
    Autorzy:
    Wrotek, S.
    Dybko, K.
    Morawski, A.
    Mąkosa, A.
    Wosiński, T.
    Figielski, T.
    Tkaczyk, Z.
    Łusakowska, E.
    Story, T.
    Sipatov, A. Yu.
    Szczerbakow, A.
    Grasza, K.
    Wróbel, J.
    Palosz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036032.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Temperature dependence of current-voltage I-V characteristics and resistivity is studied in ferromagnetic PbS-EuS semiconductor tunnel structures grown on n-PbS (100) substrates. For the structures with a single (2-4 nm thick) ferromagnetic EuS electron barrier we observe strongly non-linear I-V characteristics with an effective tunneling barrier height of 0.3-0.7 eV. The experimentally observed non-monotonic temperature dependence of the (normal to the plane of the structure) electrical resistance of these structures is discussed in terms of the electron tunneling mechanism taking into account the temperature dependent shift of the band offsets at the EuS-PbS heterointerface as well as the exchange splitting of the electronic states at the bottom of the conduction band of EuS.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 629-635
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic and Structural Properties of EuS-PbS Multilayers Grown on n-PbS (100) Substrates
    Autorzy:
    Chernyshova, M.
    Łusakowska, E.
    Domukhovski, V.
    Grasza, K.
    Szczerbakow, A.
    Wrotek, S.
    Kowalczyk, L.
    Story, T.
    Smits, C. J. P.
    Swagten, H. J. M.
    De Jonge, W. J. M.
    Palosz, W.
    Sipatov, A. Yu.
    Volobuev, V. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035589.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Magnetic properties of semiconductor EuS(t)-PbS(d)-EuS(t) ferromagnetic trilayers (t=30÷300Å and d=7.5÷70Å) grown on n-type monocrystalline PbS (100) substrate were studied by SQUID magnetometry and ferromagnetic resonance technique yielding, in particular, the dependence of the ferromagnetic Curie temperature on the thickness of the EuS layer. Structural parameters of layers were examined by X-ray powder diffraction analysis. A high structural quality of the substrate and the multilayer was verified by the measurements of the X-ray rocking curve width indicating the values of the order of 100 arcsec and by atomic force microscopy revealing the presence on the cleft PbS surface regions practically flat in the atomic scale over the area of 1×0.1μm$\text{}^{2}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 609-615
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    (120)-Oriented CdTe/CdMnTe Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Kutrowski, M.
    Karczewski, G.
    Cywiński, G.
    Surma, M.
    Grasza, K.
    Łusakowska, E.
    Kossut, J.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952037.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    78.55.Et
    Opis:
    We report on the MBE growth and magnetooptical studies of (120)-oriented CdTe/CdMnTe quantum well structures. The quality of structures, as evaluated by the photoluminescence line width, was as good as that of the best structures grown in ⟨100⟩ direction. No spin splitting enhancement, expected theoretically, due to the reduction of the antiferromagnetic interaction between Mn ions in CdTe/CdMnTe digital alloy quantum wells grown along ⟨120⟩ direction was observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 879-882
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature Study of Photoluminescence from Deep CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Quantum Wells
    Autorzy:
    Kutrowski, M.
    Wojtowicz, T.
    Karczewski, G.
    Kopalko, K.
    Zakrzewski, A. K.
    Janik, E.
    Grasza, K.
    Łusakowska, E.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876361.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    78.55.Et
    Opis:
    The photoluminescence studies in CdTe/CdMnTe quantum wells are reported in the temperature range 10-300 K. The MnTe concentration in the barriers is x = 0.3, 0.5, 0.63 and 0.68. Thus the potential wells in our samples are very deep, of the order of ≈ 800 meV in the conduction band and ≈ 200 meV in the valence band in the case of the x = 0.68 sample. In spite of the large lattice mismatch (related to high x value) between the wells and the barriers the observed line widths are as narrow as 2 meV in the case of 100 Å. Clear manifestations of internal strain are observed. In particular, the temperature coefficient of the luminescence energies shows strong dependence on the width of wells.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 500-504
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies