Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gotszalk, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-8 z 8
Tytuł:
Analiza obrazów powierzchni w mikroskopii bliskich oddziaływań
Surface Image Analysis in Scanning Probe Microscopy
Autorzy:
Jóźwiak, G.
Gotszalk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155430.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
mikroskopia bliskich oddziaływań
analiza topografii powierzchni
analiza motywów 3D
scanning probe microscopy
surface analysis
3D motif analysis
Opis:
W pracy przedstawiono wybrane metody analizy powierzchni (ISO 25178) wskazując na rodzaj informacji, jaką można za pomocą danej metody uzyskać. Opisywane algorytmy i procedury zostały zaimplementowane w opracowanym w Wydziałowym Zakładzie Metrologii Mikro- i Nanostruktur Politechniki Wrocławskiej programie TOPOGRAF. W pracy zaprezentowano przykładowe wyniki działania zaimplementowanych algorytmów i procedur.
Progress in the scanning probe microscopy makes it become a much more common tool. In the paper the principle of operation of the scanning probe microscope is presented. It is emphasized that the measurement result is an image of the investigated surface. Two groups of parameters connected with lateral properties of the tested surface image are introduced. The first group of parameters is connected with the image autocorrelation function and two dimensional Fourier transform. The texture aspect ratio and surface autocorrelation length (Fig. 1) are given as examples of the autocorrelation parameters. The second group of parameters is related to the so called 3D motif analysis. At the first stage of this analysis the image is segmented by means of the watershed segmentations algorithm. At the second stage the statistics connected with the shape and dimensions of the segments are calculated. The segmentation algorithm as well as the parameters describing shape and dimensions of segments (Fig 2) are presented in the paper. Due to the quantum nature of the micro- and nano-world, the uncertainty of products of the micro and nanotechnology will always be greater than that of products of the conventional technology. For this reason there is strong demand for flexible techniques capable of handling this increased uncertainty. The 3D motif analysis is very well suited to meet this challenge, since it enables the extension of the basic set of the parameters describing segments. Therefore the segment parameters might be adapted to the function of the investigated nanostructures. The images presented in the paper were obtained by means of the TOPOGRAF software that is developed at the Division of Micro- and Nanostructures Metrology.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 46-47
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of scanning shear-force microscope for fabrication of nanostructures
Autorzy:
Sikora, A.
Gotszalk, T.
Sankowska, A.
Rangelow, I. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308832.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
AFM
nanostructures fabrication
shear force microscopy
Opis:
In view of the rapid growth of interest in AFM technique in surface property investigation and local surface modification we describe here an AFM microscope with optical tip oscillation detection. The modular shear-force/tunneling microscope for surface topography measurement and nanoanodisation is described. The measurement instrument presented here is based on the fiber Fabry-Perot interferometer for the measurement of the conductive microtip oscillation that is used as nano e-beam for local surface anodisation. An advantage of this system is that quantitative measurements of tip vibration amplitude are easily performed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 81-84
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Atmospheric Pressure Plasma Jet for Mass Spectrometry
Autorzy:
Babij, M.
Gotszalk, T.
Kowalski, Z.
Nitsch, K.
Silberring, J.
Smoluch, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198872.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.50.Dg
82.80.Ms
Opis:
The atmospheric pressure plasma is much advantageous over low pressure plasmas in various aspects, e.g. vacuum-free operation, relative low cost, flexibility of a continuous process. Among various plasmas generated in atmospheric pressure discharges there are cold plasma jets that represent a technology of great application promise (industry, medicine, biology). To generate low-temperature plasmas at atmospheric pressure the dielectric barrier discharge can be used. It is suitable for the atomization of volatile species and can also be served as a ionization source for ambient mass and ion mobility spectrometry. As the discharge is generated in a restricted electrode structure, a plasma jet (plume) is usually formed outside the electrode region (that provides spatial separation of the plasma generation and surface processing regions). The paper presents a source based on a plasma jet established at the end of a capillary dielectric barrier discharge at atmospheric pressure and its application to mass spectrometry. The structure of the jet generator consists of piezoelectric transformer and two concentric and symmetric electrodes, between which the working gas flows at definite rate. Besides the source description early results of spectroscopic analysis are also given.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1260-1262
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum mechanical aspects in the MEMS/NEMS technology
Autorzy:
Słowik, O.
Orłowska, K.
Kopiec, D.
Janus, P.
Grabiec, P.
Gotszalk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/114220.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
MEMS
NEMS
OBD
FOI
quantum
force
resolution
Opis:
According to the scaling laws for nanomechanical resonators, many of their metrological properties improve when downscaled. This fact encourages for constant miniaturization of MEMS/NEMS based sensors. It is a well known fact, that the laws of classical physics cannot be used to describe the systems which are arbitrarily small. In consequence, the classical description of nanoresonators must break down for sufficiently small and cool systems and then the quantum effects cannot be neglected. One of the fundamental question which arises is, how one may investigate quantum effects in MEMS/NEMS sensors and what is the influence of quantum effects on the performance of such systems. In this paper we would like to raise those issues by presenting the results of our work related to our estimations and calculations of MEMS/NEMS dynamics. The first and second sections are of theoretical character. In the first section (Classical modeling), we describe the classical methods for describing the resonator dynamics and the classical limit on the resolution of MEMS/NEMS based force sensors, which is set by the thermomechanical noise. In the second section (Quantum aspects), we concentrate on the quantum description of micro and nanoresonators and the influence of quantum effects, such as zero-point motion and back-action, on their performance (quantum limits). The third section is devoted to the presentation of our experimental methods of MEMS/NEMS deflection metrology, i.e. Optical Beam Deflection method (OBD) and fibre optics interferometry.
Źródło:
Measurement Automation Monitoring; 2016, 62, 3; 87-91
2450-2855
Pojawia się w:
Measurement Automation Monitoring
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wide-band optical fibre system for investigation of MEMS and NEMS deflection
Autorzy:
Orłowska, K.
Świątkowski, M.
Kunicki, P.
Słupski, P.
Sankowska, A.
Gotszalk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221558.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
fibre optic sensors
amplitude detection
intensity detection
MEMS/NEMS deflection measurement
Opis:
In this work the construction of experimental setup for MEMS/NEMS deflection measurements is presented. The system is based on intensity fibre optic detector for linear displacement sensing. Furthermore the electronic devices: current source for driving the light source and photodetector with wide-band preamplifier are presented.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 381-388
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Adsorption properties of porous silicon
Autorzy:
Domański, K.
Grabiec, P.
Gotszalk, T.
Beck, R.B.
Dębski, T.
Rangelow, I.W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308412.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
porous silicon
cantilever beam
gas sensor
Opis:
Porous silicon shows some interesting features for micromechanical applications. Some applications make use of its high surface-to-volume ratio. A capacitive gas or humidity sensor using the adsorption of gases on the porous surface can be easily fabricated. However an opportunity for more sensitive device is given by micromechanical structure. In this paper we report on the piezoresistive cantilever beam structure with porous silicon adsorbing spot as a gas sensor.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 53-56
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
Autorzy:
Jarzyńska, D.
Staryga, E.
Znamirowski, Z.
Fabisiak, K.
Gotszalk, T.
Woszczyna, M.
Strzelecki, W.
Dłużniewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa diamentowa
domieszkowanie
emisja elektronowa
diamond film
doping
electron emission
Opis:
Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Diagnostics of micro- and nanostructure using the scanning probe microscopy
Autorzy:
Gotszalk, T.
Janusz, P.
Marendziak, A.
Czarnecki, P.
Radojewski, J.
Szeloch, R. F.
Grabiec, P.
Rangelow, I. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308801.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
scannig probe microscopy
microsystem
nanofabrication
Opis:
In this paper we summarize the results of our research concerning the diagnostics of micro- and nanostructure with scanning probe microscopy (SPM). We describe the experiments performed with one of the scanning probe microscopy techniques enabling also insulating surfaces to be investigated, i.e., atomic force microscopy (AFM). We present the results of topography measurements using both contact and non-contact AFM modes, investigations of the friction forces that appear between the microtip and the surface, and experiments connected with the thermal behaviour of integrated circuits, carried out with the local resolution of 20 nm.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 41-46
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-8 z 8

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies