Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gnidzińska, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
The aberrations of the AC thermal characteristics in the presence of solder defects in mltilayer microelectronic structures
Autorzy:
Gnidzińska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397696.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie termiczne prądu przemiennego
badania nieniszczące
opór cieplny
wymiana ciepła
AC thermal modeling
nondestructive testing
thermal impedance
heat transfer
Opis:
In this paper, the multilayer microelectronic structures have been modeled using AC thermal modeling approach. The influence of defects in solder layers on the thermal parameters of the structures has been investigated. It has been presented how an aberration in a solder layer that may result e.g. from the manufacturing flaw, can significantly affect the thermal characteristics of the structure thus aggravating the conditions of the heat transfer. The phenomena have been described in the qualitative and quantitative way. Furthermore, the applicability of the proposed modeling method for the purpose of determining the optimal frequency range in non-destructive device testing technique - lock-in thermography - has been demonstrated.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 4; 156-159
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Heat dissipation and temperature distribution in long interconnect lines
Autorzy:
Gnidzińska, K.
Mey, G.
Napieralski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/199909.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
interconnect lines
heat dissipation
delay
temperature distribution
Opis:
Thermal and time delay aspects of long interconnect lines have been investigated. To design a modern integrated circuit we need to focus on very long global interconnects in order to achieve the desired frequency and signal synchronization. The long interconnection lines introduce significant time delays and heat generation in the driver transistors. Introducing buffers helps to spread the heat production more homogenously along the line but consumes extra power and chip area. To ensure the functionality of the circuit, it is compulsory to give priority to the time delay aspect and then the optimized solution is found by making the power dissipation as homogenous as possible and consequently the temperature distribution T (relative to ambient) as low as possible. The technology used for simulations is 65 nm node. The occurring phenomena have been described in a quantitative and qualitative way.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 1; 119-124
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Heat transfer simulations in the frequency domain with the application of thermal influence coefficients method
Autorzy:
Gnidzińska, K.
Jabłoński, G.
Napieralski, A.
De Mey, G
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397746.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
thermal modelling
thermal simulation
AC
alternating current
modelowanie cieplne
symulacja termiczna
prąd przemienny
Opis:
In this paper an extension of thermal influence coefficients method to frequency domain has been presented. The method allowed the steady-state analysis of three-dimensional heat flow in multilayered structures. The presented modelling is based on Fourier and Hankel transforms, two-port network theory and correction coefficients for close-area distances, allowing emulation of finite heat sources by infinitesimal ones.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2013, 4, 4; 164-169
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies