Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gebhardt, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Photoelectron Spectroscopy of II-VI Semiconductor Heterostructures
Autorzy:
Wörz, M.
Hampel, M.
Flierl, R.
Gebhardt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952740.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Jv
Opis:
We are growing ZnSe, ZnS and CdSe layers epitaxially on GaAs(001) substrates by atomic layer epitaxy and molecular beam epitaxy. The substrates are prepared by a H-plasma method in order to obtain a sharp interface between substrate and layer. The quality of our samples is controlled by reflection high energy diffraction and X-ray diffraction. Furthermore, the samples are characterized in situ by photoelectron spectroscopy. We observe resonant Zn 3d$\text{}^{8}$ and Cd 4d$\text{}^{8}$ satellites, which are used to check the layer quality. As a result, the valence band offsets of CdSe/ZnSe and ZnSe/CdSe were obtained. The values are ΔE$\text{}_{v}$(ZnSe/CdSe) = -(0.13 ± 0.07) eV and ΔE$\text{}_{v}$(CdSe/ZnSe) = -(0.13 ± 0.07) eV, which confirm the commutativity rule.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1113-1117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorption and Photoluminescence of ZnSe/Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Se Superlattices and Quantum Wells under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Griebl, E.
Kerner, W.
Haserer, B.
Reisinger, T.
Hahn, B.
Gebhardt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952528.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.50.+p
68.65.+g
42.50.-p
Opis:
We present absorption measurements of a pseudomorphic Zn$\text{}_{0.75}$Cd$\text{}_{0.25}$Se/ZnSe superlattice and a Zn$\text{}_{0.91}$Cd$\text{}_{0.09}$ Se/ZnSe single quantum well under high hydrostatic pressure applied by a diamond anvil cell. Excitonic transitions as 1s-heavy hole and 1s-light hole between the first bound states or minibands as well as transitions in the buffer material are visible. Transition energies are well understood by calculations of the band structure near Γ. The observed energy distance between photoluminescence and hh-absorption signal gives information on exciton localization. Whereas this distance is nearly pressure independent in the buffer, there is a significant increase at pressures P > 5 GPa for quantum structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1017-1021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorption of Thin ZnSe, ZnS and ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$ Films under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Griebl, E.
Schőtz, G.
Birzer, Ch.
Kerner, W.
Reisinger, T.
Hahn, B.
Gebhardt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934060.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
71.35.+z
Opis:
We present absorption measurements on free-standing ZnSe, ZnS and ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$ films (d = 0.4...2 μm) under hydrostatic pressure up to 15 GPa. The refraction index n(λ,P) of ZnS and ZnSe in the transparent region up to 800 nm and the pressure shift of the E0 absorption edge of ZnSe and some ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$-compositions was investigated at 293 K. At 2 K free exciton states near the E$\text{}_{0-}$ and E$\text{}_{0}$ + Δ$\text{}_{0}$-gap are visible in absorption. Increase in the Rydberg energy under pressure was found, which is explained with k • p-theory in the framework of the hydrogen model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 995-999
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies