Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gao, Sheng" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Remaining useful life prediction of bearings with different failure types based on multi-feature and deep convolution transfer learning
Autorzy:
Wu, Chenchen
Sun, Hongchun
Lin, Senmiao
Gao, Sheng
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038032.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:
rolling bearings
remaining useful life
RUL
convolutional neural networks
CNN
transfer learning
TL
Opis:
The accurate prediction of the remaining useful life (RUL) of rolling bearings is of immense importance in ensuring the safe and smooth operation of machinery and equipment. Although the prediction accuracy has been improved by a predictive model based on deep learning, it is still limited in engineering because lots of models use single-scale features to predict and assume that the degradation data of each bearing has a consistent distribution. In this paper, A deep convolutional migration network based on spatial pyramid pooling (SPP-CNNTL) is proposed to obtain higher prediction accuracy with self-extraction of multi-feature from the original vibrating signal. And to consider the differences of the data distribution in different failure types, transfer learning (TL) added with maximum mean difference (MMD) measurement function is used in the RUL prediction part. Finally, the data of IEEE PHM 2012 Challenge is used for verification, and the results show that the method in this paper has high prediction accuracy.
Źródło:
Eksploatacja i Niezawodność; 2021, 23, 4; 685-694
1507-2711
Pojawia się w:
Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterized Microstructure and Electrical Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films by Raman and Electrical Conductivity Spectra
Autorzy:
Xiao-Yong, Gao
Jian-Tao, Zhao
Yu-Fen, Liu
Qing-Geng, Lin
Yong-Sheng, Chen
Jin-Hua, Gu
Shi-E, Yang
Jing-Xiao, Lu
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808127.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.23.Cq
73.61.-r
Opis:
Microstructure and electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) film deposited on glass substrate at low temperature were characterized by average grain size, crystallinity, and dark electrical conductivity data obtained from the Raman and electrical conductivity spectroscopy, respectively. The average grain size, crystallinity and electrical conductivity have a similar change with substrate temperature. A threshold substrate temperature determined by silane concentration appears in their corresponding spectroscopy vs. substrate temperature. The dependence of crystallinity, average grain size and electrical conductivity on substrate temperature were accounted for by surface diffusion model and heterojunction quantum dot model, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 738-741
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies