Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gładysiewicz, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Calculation of Exciton and Trion Absorption Spectra in High Magnetic Fields
Autorzy:
Gładysiewicz, A.
Wójs, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046912.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Pq
71.35.Ji
71.10.Pm
Opis:
Density of states and absorption spectrum of narrow quantum wells containing a small number of free electrons and subject to a high magnetic field are calculated numerically. The effect of an additional, second electron on the photoexcited electron-hole pair is analyzed. In density of states, the exciton-electron interaction fills the gaps between the Landau levels and yields additional discrete peaks corresponding to bound trions. In absorption, interaction with the additional free electron has no effect on the position or intensity of the main sequence of excitonic peaks. However, it gives rise to additional weaker trion peaks, both in the lowest and higher Landau levels.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 183-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fractional Quasiexcitons in Photoluminescence of Quantum Hall Liquids
Autorzy:
Wójs, A.
Gładysiewicz, A.
Quinn, J. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044555.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Pq
71.35.Ji
73.43.-f
71.10.Pm
Opis:
Realistic calculations of photoluminescence spectra for a 20 nm quantum well at a filling factorν=1/3 are presented. The new states formed from charged excitons (trions) by correlation with the surrounding electrons are identified. These "quasiexcitons" differ from usual excitons and trions by having fractionally charged constituents. Their binding energies and emission intensities depend on the involved trion, leading to discontinuity in photoluminescence.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 923-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Trion Binding Energies and Wave Functions in Doped Quantum Wells
Autorzy:
Gładysiewicz, A.
Wójcik, K.
Wójs, A.
Quinn, J. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043713.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Pq
71.35.Ji
Opis:
The energy spectra of negative trions (X$\text{}^{-}$=2e+h) in one-sided doped GaAs quantum wells are calculated. The maps of the trion binding energyΔ as a function of well width w, electron concentration n, and the magnetic field B are obtained. The dependence of the trion ground state ("bright singlet" versus "dark triplet") on those parameters is established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 669-674
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental and Theoretical Studies of Free and Acceptor-Bound Positive Magneto-Trions
Autorzy:
Bryja, L.
Wójs, A.
Płochocka-Polack, P.
Gładysiewicz, A.
Misiewicz, J.
Potemski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047714.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Cn
71.35.Ji
73.21.Fg
Opis:
By combination of polarization-resolved photoluminescence, transport, and realistic numerics we study energy and recombination spectra of free and acceptor-bound positive trions in a quasi-two-dimensional hole gas. The singlet-triplet crossing in the trion ground state is found at B≈12 T, and a slight reduction of all trion binding energies coincident with the formation of a Laughlin hole fluid is observed at B≈14.2 T.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 415-418
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Enhancement of Intersubband Absorption in GaInN/AlInN Quantum Wells
Autorzy:
Cywiński, G.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Kryśko, M.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Gladysiewicz, M.
Kudrawiec, R.
Misiewicz, J.
Nevou, L.
Kheirodin, N.
Julien, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811923.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.67.De
68.65.Fg
73.21.Fg
81.15.Hi
Opis:
GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect and to improve optical parameters of intersubband structures grown on GaN substrates. The high quality intersubband structures were fabricated and investigated as an active region for applications in high-speed devices at telecommunication wavelengths. We observed the significant enhancement of intersubband absorption with an increase in the barrier thickness. We attribute this effect to the better localization of the second electron level in the quantum well. The strong absorption is very important on the way to intersubband devices designed for high-speed operation. The experimental results were compared with theoretical calculations which were performed within the electron effective mass approximation. A good agreement between experimental data and theoretical calculations was observed for the investigated samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1093-1099
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies