Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Flierl, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Photoelectron Spectroscopy of II-VI Semiconductor Heterostructures
Autorzy:
Wörz, M.
Hampel, M.
Flierl, R.
Gebhardt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952740.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Jv
Opis:
We are growing ZnSe, ZnS and CdSe layers epitaxially on GaAs(001) substrates by atomic layer epitaxy and molecular beam epitaxy. The substrates are prepared by a H-plasma method in order to obtain a sharp interface between substrate and layer. The quality of our samples is controlled by reflection high energy diffraction and X-ray diffraction. Furthermore, the samples are characterized in situ by photoelectron spectroscopy. We observe resonant Zn 3d$\text{}^{8}$ and Cd 4d$\text{}^{8}$ satellites, which are used to check the layer quality. As a result, the valence band offsets of CdSe/ZnSe and ZnSe/CdSe were obtained. The values are ΔE$\text{}_{v}$(ZnSe/CdSe) = -(0.13 ± 0.07) eV and ΔE$\text{}_{v}$(CdSe/ZnSe) = -(0.13 ± 0.07) eV, which confirm the commutativity rule.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1113-1117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies