Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dziarski, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu
    Temperature measurement of diode junction during their operation based on thermogram
    Autorzy:
    Dziarski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266564.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szacowanie wartości temperatury
    dioda krzemowa
    półprzewodniki
    termowizja
    measurement of temperature
    semiconductor diode
    thermovision
    Opis:
    W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.
    When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 47-50
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
    Estimate of semiconductor diode junction temperature based on diode PIN
    Autorzy:
    Dziarski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376274.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    dioda półprzewodnikowa
    wartość temperatury złącza
    wyprowadzenie
    termowizja
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
    Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 243-254
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
    Thermovision measurement of semiconductor diode junction temperature
    Autorzy:
    Dziarski, K.
    Wiczyński, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377736.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    termowizja
    dioda półprzewodnikowa
    metrologia
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
    Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 295-305
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Układ optyczny w długofalowych kamerach termowizyjnych przeznaczonych do obserwacji mikroelementów
    Optical system in long wave infrared cameras for microelements observation
    Autorzy:
    Dziarski, K.
    Parzych, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378355.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    termowizja
    metrologia
    obudowy SMD
    detektory podczerwieni
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono dostępne na rynku rozwiązania zastosowane w długofalowych kamerach termowizyjnych pozwalających na obserwacje elementów zamkniętych w obudowach przeznaczonych do montażu powierzchniowego SMD (Surface Mounted Device). Omówiono podstawowe parametry zastosowanych matryc detektorów promieniowania podczerwonego oraz ich wpływ na wykonywany pomiar. Zestawiono omawiane matryce pod względem wykorzystywanych zjawisk oraz omówiono wykorzystywane zjawiska. Przedstawiono również układ optyczny stosowany we współczesnych długofalowych kamerach termowizyjnych. Zaproponowano takie ustawienia układu optycznego, które pozwolą na uzyskanie wystarczającej ostrości obrazu.
    This article presents solutions available on the market used in long-wave infrared cameras that allow observation of elements enclosed in housings designed for SMD (Surface Mounted Device). The basic parameters of the applied infrared radiation detector matrices and their influence on the measurement are discussed. The matrices and the phenomena used by them are written. The optical system used in modern long-wave thermovision cameras is also presented. The settings of optical system that will allow obtain a sufficient image sharpness have been proposed.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 96; 83-94
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies