Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dubois, D." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Quasicrystal-Polymer Composites for Additive Manufacturing Technology
    Autorzy:
    Kenzari, S.
    Bonina, D.
    Degiovanni, A.
    Dubois, J.
    Fournée, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1202916.pdf
    Data publikacji:
    2014-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Bx
    81.05.Qk
    81.05.Zx
    81.20.Ev
    83.80.Ab
    89.20.Bb
    Opis:
    We present a new niche application of quasicrystalline powders that leads to a commercially successful development of polymer-matrix composites. The process is based upon selective laser sintering, which is one of the current most powerful additive manufacturing technologies in use in the mechanical industries. Characteristics of the materials produced, such as porosity, friction and wear against hard steel, are evaluated and compared to the state of the art. Insight into the production of metal-matrix composites, using a variant of the technology, is also given.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 2; 449-452
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Superconducting Transition in Boron Doped Silicon Films
    Autorzy:
    Kociniewski, T.
    Débarre, D.
    Grockowiak, A.
    Kačmarčík, J.
    Marcenat, C.
    Bustarret, E.
    Ortega, L.
    Klein, T.
    Prudon, G.
    Dubois, C.
    Gautier, B.
    Dupuy, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1535297.pdf
    Data publikacji:
    2010-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Dh
    73.61.Cw
    74.70.Ad
    Opis:
    We report on a detailed analysis of the superconducting properties of boron-doped silicon films grown along the 001 direction by gas immersion laser doping. This technique is proved to be a powerful technique to dope silicon in the alloying range 2-10 at.% where superconductivity occurs. The superconducting transitions are sharp and well defined both in resistivity and magnetic susceptibility. The variation of $T_{c}$ on the boron concentration is in contradiction with a classical exponential dependence on superconducting parameters. Electrical measurements were performed in magnetic field on the sample with $c_{B}$ = 8 at.% (400 laser shots) which has the highest $T_{c}$ (0.6 K). No hysteresis was found for the transitions in magnetic field, which is characteristic of a type-II superconductor. The corresponding upper critical field was on the order of 1000 G at low temperatures, much smaller than the value previously reported. The temperature dependence of $H_{c2}$ is very well reproduced by the linearized Gorkov equations neglecting spin effects in the very dirty limit. These measurements in magnetic field allow an estimation of the electronic mean-free path, the coherence length, and the London penetration depth within a simple two-band free electron model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 5; 1026-1027
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    TEM Characterization of Polysilicon and Silicide Fin Fabrication Processes of FinFETs
    Autorzy:
    Ratajczak, J.
    Łaszcz, A.
    Czerwinski, A.
    Kątcki, J.
    Tang, X.
    Reckinger, N.
    Yarekha, D.
    Larrieu, G.
    Dubois, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807511.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.40.-e
    68.37.Lp
    Opis:
    The transmission electron microscopy characterization of various silicon and silicide fin structures intended for application in FinFET devices has been performed. The results showed that transmission electron microscopy is a very useful tool for optimization of manufacturing processes of fin nanostructures in FinFETs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-89-S-91
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Polymorphism of Chiral Thioester Studied by Dielectric Spectroscopy
    Autorzy:
    Wawrzyniak, A.
    Chruściel, J.
    Douali, R.
    Dubois, F.
    Leblond, J.
    Legrand, Ch.
    Ossowska-Chruściel, D.
    Marzec, M.
    Ropa, P.
    Czerwiec, J.
    Wróbel, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399012.pdf
    Data publikacji:
    2013-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.84.Nh
    64.70.M-
    77.22.Gm
    77.22.Ej
    Opis:
    (S)-(+)-4'-[(4-(1-methylheptyloxycarbonylphenyl) thiocarbonylphenyl]-decyloxybenzoate (in short 10.OPOSMH) was studied by complementary methods. The substance shows rich polymorphism. In addition to ferroelectric and antiferroelectric smectic C* phases it possesses three ferrielectric sub-phases. Phase transitions between the phases were revealed by differential scanning calorimetry and static dielectric permittivity measurements. The aim of this paper was to study phase transitions and differences in dielectric spectra shown by different phases. Collective and molecular dynamics of all phases shown by 10.OPOSMH will be discussed in terms of theoretical models. Dielectric spectra of antiferroelectric phase show two characteristic dielectric relaxation modes: one connected with the molecular process (reorientation around the short axis) and the other originating from fluctuations of antiferroelectric order parameters.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 6; 933-936
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies