TEM Characterization of Polysilicon and Silicide Fin Fabrication Processes of FinFETs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: TEM Characterization of Polysilicon and Silicide Fin Fabrication Processes of FinFETs
Autorzy:: Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Czerwinski, A.
Kątcki, J.
Tang, X.
Reckinger, N.
Yarekha, D.
Larrieu, G.
Dubois, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807511.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.40.-e
68.37.Lp
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-89-S-91
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The transmission electron microscopy characterization of various silicon and silicide fin structures intended for application in FinFET devices has been performed. The results showed that transmission electron microscopy is a very useful tool for optimization of manufacturing processes of fin nanostructures in FinFETs.

Informacja

Powiązane pozycje