Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Cywiński, Ł." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Projektowanie linii kablowych niskiego napięcia wykonanych z żył układanych równolegle
    Design of Parallel Single-Core Cable Lines of Low Voltage
    Autorzy:
    Borowik, L.
    Cywiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159088.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    linie kablowe z żył równoległych
    obciążalność prądowa dopuszczalna długotrwale
    zjawisko zbliżenia
    parallel single-core cables
    current carrying capacities
    proximity effect
    Opis:
    W układach zasilania niskiego napięcia kiedy zachodzi konieczności wyprowadzenia dużej mocy, powszechnie praktykowanym sposobem wykonania instalacji elektrycznej jest stosowanie wielowiązkowych linii kablowych złożonych z kabli jednożyłowych połączonych równolegle. Podstawowym dokumentem regulującym kwestię doboru przewodów w aspekcie obciążalności prądowej długotrwałej, na którym opierają się projektanci to norma PN-IEC 60364-5-523:2001. Sposób ułożenia linii niejednokrotnie skutkuje wystąpieniem asymetrii obciążenia poszczególnych żył. Fakt ten nie został w normie opisany, nie zostały również zaproponowane sposoby ułożenia linii minimalizujące efekt wzajemnego oddziaływania żył, które skutkuje wystąpieniem zjawiska nierównomiernego obciążenia poszczególnych przewodów, dochodzącego czasem nawet do 100%. W artykule przedstawiono pomiary wykonane w rzeczywistych obiektach, podjęto próbę opisania zjawiska, a także zamodelowania rzeczywistych układów sieciowych oraz zaproponowano rozwiązania budowy linii wykonanych z żył równoległych.
    In low-voltage power systems, when it is necessary to lead out high power, the most common method to design the electrical installation is to use multi-cable lines consisting of single-core cables in parallel connection. The primary document used by designers that regulates the issue of the cable selection in terms of long-term current-carrying capacity is the PN-IEC 60364-5-523:2001 standard. The cable layout frequently results in asymmetry of the load of particular cores. The standard neither describes this fact nor suggests any methods for the cable layouts that might minimize the effect of the interaction of the wires that leads to the uneven load of particular cables. In the extreme case, this uneven load may reach up to 100%. The article presents measurements conducted in real objects and tries to describe the considered phenomenon to model the existing network systems and to suggest a solution for designing of the parallel-cable lines.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2016, 272; 189-204
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Topographical, Magnetic and Optical Studies of (II,Mn)VI Quantum Structures Grown on (Ga,Mn)As
    Autorzy:
    Butkutė, R.
    Aleszkiewicz, M.
    Janik, E.
    Cywiński, G.
    Wojnar, P.
    Däweritz, L.
    Primus, J.
    De Boeck, J.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036853.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    07.79.Pk
    78.55.-m
    Opis:
    We report on an overgrowth of quantum structures consisting of diluted magnetic semiconductor CdMnTe quantum wells with non-magnetic barriers made of CdMgTe or ZnTe on ferromagnetic MnAs and GaMnAs films by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy images of the quantum structures grown on MnAs demonstrated the existence of two types of regions on the surface: protruded islands with micrometric sizes, surrounded by areas of small-scale roughness. Magnetic force microscopy study of these samples revealed a magnetic domain structure only on the above mentioned islands. The (II,Mn)VI quantum wells grown on GaMnAs films exhibited relatively smooth surface, but no magnetic force microscopy signal was measurable either before or after magnetizing the sample. In the luminescence spectra of all our quantum structures the emission attributed to CdMnTe quantum wells was observed. The influence of magnetization on the luminescence line position was investigated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 649-657
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Skierbiszewski, C.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Siekacz, M.
    Nevou, L.
    Doyennette, L.
    Julien, F. H.
    Prystawko, P.
    Kryśko, M.
    Grzanka, S.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046911.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.65.Fg
    78.66.-w
    78.67.De
    78.40.Fy
    81.15.Hi
    Opis:
    Crack free GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect for growth of intersubband structures on GaN. Indium contained ternary compounds of barrier and well layers are contrary strained to the substrate material. A series of crack free GaInN/AlInN intersubband structures on (0001) GaN was fabricated and investigated. The assumed composition and layered structure were confirmed by room temperature photoluminescence and X-ray diffraction measurements. The intersubband measurements were done in multipass waveguide geometry by applying direct intersubband absorption and photoinduced intersubband absorption measurements. The optimized structure design contains forty periods of Si-doped GaInN/AlInN quantum wells and exhibits strong intersubband absorption.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 175-181
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Enhancement of Intersubband Absorption in GaInN/AlInN Quantum Wells
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Kryśko, M.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Gladysiewicz, M.
    Kudrawiec, R.
    Misiewicz, J.
    Nevou, L.
    Kheirodin, N.
    Julien, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811923.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.67.De
    68.65.Fg
    73.21.Fg
    81.15.Hi
    Opis:
    GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect and to improve optical parameters of intersubband structures grown on GaN substrates. The high quality intersubband structures were fabricated and investigated as an active region for applications in high-speed devices at telecommunication wavelengths. We observed the significant enhancement of intersubband absorption with an increase in the barrier thickness. We attribute this effect to the better localization of the second electron level in the quantum well. The strong absorption is very important on the way to intersubband devices designed for high-speed operation. The experimental results were compared with theoretical calculations which were performed within the electron effective mass approximation. A good agreement between experimental data and theoretical calculations was observed for the investigated samples.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1093-1099
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dephasing of Electron Spin Qubits due to their Interaction with Nuclei in Quantum Dots
    Autorzy:
    Cywiński, Ł.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047915.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    03.65.Yz
    76.30.-v
    76.60.Lz
    02.60.Cb
    Opis:
    Coherence of spins of electrons confined in III-V quantum dots is strongly affected by their hyperfine interaction with the nuclei. In this paper an introduction to this subject is presented. Some theoretical approaches to the problem will be outlined. Most attention will be given to the quasi-static bath approximation, to the cluster expansion theories of dephasing due to the nuclear dynamics induced by the dipolar interactions (spectral diffusion), and to the effective Hamiltonian based theory of dephasing due to hyperfine-mediated interactions. The connections between the theoretical results and various experiments will be emphasized.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 576-587
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies