Autor: Chwalisz, M. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wlasciwosci bialek preparatow czesci bialkowej jaja w procesie utleniania
Autorzy:: Worobiej, E
Wolosiak, R.
Chwalisz, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/827965.pdf
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
Tematy:: zelowanie
dodatki do zywnosci
wlasciwosci funkcjonalne
koagulacja
bialko jaja
przeciwutleniacze
stabilizowanie piany
jaja kurze
Źródło:: Żywność Nauka Technologia Jakość; 2006, 13, 4; 136-144
1425-6959
Pojawia się w:: Żywność Nauka Technologia Jakość
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Spatially Resolved Micro-Luminescence from GaN/AlGaN Quantum Dots
Autorzy:: Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Pakuła, K.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Baranowski, J. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2038084.pdf
Data publikacji:: 2004-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
75.75.+a
68.65.Hb
Opis:: We report on the optical experiments performed on low density GaN/AlGaN quantum dots grown on sapphire substrate using SiN during the growth process. The existence of quantum dots in the investigated structures was confirmed by atomic force microscopy. Although macro-luminescence of the investigated structures consist of broad emission lines the micro-photoluminescence experiments performed with the spatial resolution of 0.25 μm revealed sharp emission lines from the individual quantum dot in the energy range of 3.20-3.55 eV. It is shown that the magnetic fields up to 7 T do not influence significantly the electronic states of the dots.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 517-521
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
Autorzy:: Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Korona, K. P.
Stępniewski, R.
Knap, W.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Grandjean, N.
Massies, J.
Prystawko, P.
Grzegory, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Opis:: Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Emission from Mesoscopic-Size Islands Formed in a GaAs/AlAs Double Layer Structure
Autorzy:: Wysmołek, A.
Chwalisz, B.
Potemski, M.
Stępniewski, R.
Babiński, A.
Raymond, S.
Thierry-Mieg, V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2038338.pdf
Data publikacji:: 2004-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.67.De
78.20.Ls
71.35.Lk
73.20.-r
78.47.+p
Opis:: The nature of sharp emission lines which are present in macro-luminescence experiments on a type-II GaAs/AlAs double quantum well structure is discussed. The experiments, which also include micro-lumines- cence measurements, allowed us to conclude that the sharp emission lines observed originate from lateral GaAlAs islands of a fewμm in diameter. They serve as efficient type-I recombination centers for indirect excitons and/or carriers which diffuse in the GaAs/AlAs QW structure and strongly affect the emission processes observed in macro-luminescence experiments. These traps can easily be filled with electron-hole pairs, giving rise to the formation of neutral excitons as well as more complex excitonic molecules. Magneto-luminescence spectra from single islands resemble those observed for natural quantum dots formed in narrow GaAs quantum wells.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 3; 367-381
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Carriers Diffusion in GaAs/AlAs Type II Quantum Well
Autorzy:: Lesiak, A.
Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Potemski, M.
Stępniewski, R.
Thierry-Mieg, V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2044497.pdf
Data publikacji:: 2005-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
75.75.+a
Opis:: The micro-photoluminescence of GaAs/AlAs type II double quantum well structure is presented. The specific band alignment of the investigated system allows obtaining high concentration of long lived carriers. This enables us to study diffusion of carriers and/or indirect excitons. It was found that the carrier flow does not follow the classical diffusion equation and is driven by the potential modification due to the presence of photo created carriers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 755-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja