Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bugajski, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 26
Tytuł:
Water supply network expansion in the commune of Mściwojów as relates to the pilot project vital landscapes
Autorzy:
Bergel, T.
Bugajski, P.
Pawełek, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/100663.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Uniwersytet Rolniczy im. Hugona Kołłątaja w Krakowie
Tematy:
rural water supply
expansion
concept
zaopatrzenie wsi w wodę
rozwój
koncepcja
Opis:
This article presents the analysis of the water supply system expandability in the commune of Mściwojów. Such necessity of the expansion resulted from the locations of the new investments covered by the pilot program VITAL LANDSCAPES. Hydraulic calculations, covering two possible solutions, have proven that the existing water supply network is sufficient now and will be sufficient in the near future (after expansion), in supplying all the consumers with water.
Źródło:
Geomatics, Landmanagement and Landscape; 2013, 2; 15-24
2300-1496
Pojawia się w:
Geomatics, Landmanagement and Landscape
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Visible Light Emission from Porous Silicon
Autorzy:
Bugajski, M.
Wesołowski, M.
Lewandowski, W.
Ornoch, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924257.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.-s
Opis:
The aim of this paper is the study of porous Si prepared by preferential anodic dissolution in concentrated HF acid solutions. Porous silicon layers exhibited extremely efficient luminescence in the 700-900 nm range at room temperature. Basic characteristics of this luminescence strongly suggest the intrinsic origin of the process, directly related to quantum confinement. The additional transmission-electron-microscopy and electron-diffraction studies - were performed to support hypothesis that luminescence originates from silicon nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 914-918
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of indomethacin on the ACTH secretion induced by central stimulation of adrenergic receptors
Autorzy:
Glod, R.
Gadek-Michalska, A.
Bugajski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/70828.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
corticosterone secretion
prostaglandin
adrenergic receptor
indomethacin
rat
secretion
hypothalamic-pituitary-adrenal axis
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 2000, 51, 2
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Cavity Enhanced Photonic Devices
Autorzy:
Bugajski, M.
Muszalski, J.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Mroziewicz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030303.pdf
Data publikacji:
2002-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.66.Fd
78.55.-m
78.67.De
78.45.+h
78.47.+p
Opis:
In the present paper we review our recent works on technology, basic physics, and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As/GaAs planar microcavities with distributed Bragg reflectors. In general, observed trends are in agreement with theoretical predictions. We also demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes and optically pumped vertical cavity light emitting diodes developed recently at the Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 1; 105-118
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoreflectance Studies of InGaAs/GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser Structures
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992051.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We report on photoreflectance investigations of strained-layer In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs/Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As single quantum well laser structures grown by molecular beam epitaxy. All the observed photoreflectance spectral features were assigned to the e-hh transitions with Δn=0. The transition energies were determined and compared to their values calculated within the envelope function approximation. Assuming that one third of the total strain in the central In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As layer is relaxed by biaxial deformation of surrounding thin GaAs layers, it is possible to explain reasonably the results of our photoreflectance experiment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 463-467
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ograniczenie strat energii w elektroenergetycznych sieciach przemysłowych w aspekcie pozyskiwania środków publicznych na ich modernizację („białe certyfikaty”)
Reduction of energy losses in power industrial networks with respect to raising public funds for their modernization (energy efficiency certificates)
Autorzy:
Wojtas, P.
Miedziński, B.
Kozłowski, A.
Wosik, J.
Bugajski, W.
Raczyński, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/186385.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technik Innowacyjnych EMAG
Tematy:
elektroenergetyczne sieci przemysłowe
modernizacja
straty energii
Białe Certyfikaty
power industrial networks
modernization
energy losses
energy efficiency certificates
Opis:
W artykule omówiono cele Unii Europejskiej i jej podejście do kwestii prowadzenia efektywniejszej gospodarki elektroenergetycznej. Przedstawiono podstawowe unijne akty prawne dotyczące poprawy efektywności energetycznej oraz ich krajową implementację. Ukazano sposób funkcjonowania „białych certyfikatów” w zakresie działań dotyczących poprawy efektywności gospodarki elektroenergetycznej oraz doświadczenia krajowe z pierwszej edycji przetargu na „białe certyfikaty”.
The article features the objectives of the European Union and its approach to the issue of more efficient power engineering economy. The basic UE legal regulations on the improvement of energy efficiency were presented, along with their implementation in Poland. The system of energy efficiency certificates was described in the range of operations aimed at better efficiency of the power engineering sector. Then Polish experiences from the first tenders for energy efficiency certificates were discussed.
Źródło:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa; 2014, R. 52, nr 6, 6; 12-17
0208-7448
Pojawia się w:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monte Carlo Studies of Quantum Cascade Lasers
Autorzy:
Borowik, P.
Thobel, J.
Bugajski, M.
Adamowicz, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807675.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.-d
72.20.Jv
73.63.-b
78.67.-n
Opis:
Results of multi particle Monte Carlo studies of a mid-infrared QCL structure, for the first time fabricated by Page et al., are presented. It has been demonstrated that for the considered structure design at least 9 electron energy levels per laser segment should be used to correctly describe the electric current properties. Mechanisms responsible for electron population on higher laser level are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-49-S-51
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
Autorzy:
Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Karbownik, P.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
81.15.Hi
85.60.-q
85.35.Be
73.63.-b
63.22.-m
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:
The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
Autorzy:
Szerling, A.
Karbownik, P.
Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.60.-q
85.35.Be
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:
The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Opis:
Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Involvement of nitric oxide in central histaminergic stimulation of the hypothalamic-pituitary-adrenal axis
Autorzy:
Bugajski, A.J.
Koprowska, B.
Thor, P.
Glod, R.
Bugajski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/69131.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
corticosterone secretion
histamine
amthamine
brain
nitric oxide
signal transduction
neuroendocrine regulation
central histaminergic stimulation
neurotransmitter
central nervous system
hypothalamic-pituitary-adrenal axis
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 2000, 51, 4,2
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inter-Island Energy Transfer in AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Godlewski, M.
Holz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952469.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.47.+p
73.20.Jc
Opis:
The results of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation and photoluminescence kinetics studies are presented for a Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/GaAs quantum well system grown without growth interruptions at the interfaces. The time-resolved photoluminescence measurements show drift of excitons towards lower energy states induced in a quantum well by potential fluctuations. We present also a first direct evidence for migration of free excitons from the 24 to 25 ML regions of the quantum well and interpret these results within a linear rate model, deriving the transition rate of 290 ps$\text{}^{-1}$. Such inter-island migration processes have been observed till now only in growth interrupted structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1007-1011
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of the central histaminergic systems on the pituitary-adrenocortical response to met-enkephalinamide
Autorzy:
Bugajski, J
Turon, M.
Gadek-Michalska, A.
Olowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/70580.pdf
Data publikacji:
1995
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
hypothalamic histamine
central histaminergic system
brain
endorphin
dopamine
noradrenaline
endogenous enkephalin
histamine receptor
met-enkephalinamide
pituitary-adrenocortical response
opioid receptor
corticosterone
alpha-Fluoromethylhistidine
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1995, 46, 3
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Growth Conditions on Exciton Properties in Thin Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Bugajski, M.
Regiński, K.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933743.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.Fz
71.35.+z
Opis:
Exciton properties in growth interrupted quantum wells of GaAs/AlGaAs are compared with those observed for structures grown without growth interruption during the molecular beam epitaxy process. We report observation of quasi-localized excitons in quantum well structures grown without growth interruptions. Quasi-localized excitons drift towards the states of a lower potential energy in the quantum well. For growth interrupted MBE structures islands with a constant quantum well thickness become large compared to the exciton radius. Free or lightly localized excitons are observed in that case.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 719-722
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:
The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 26

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies