Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bieniek, T." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Pneumatic muscle - measurement results and simulation models
Mięsień pneumatyczny - wyniki pomiarów oraz modele symulacyjne
Autorzy:
Pilch, Z.
Bieniek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159198.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
mięsień pneumatyczny
model symulacyjny
biomechanika
pneumatic muscle
simulation models
biomechanics
Opis:
In the paper the advantages of pneumatic muscle are described. In the article are also presented: Measurement stand for determine the static and dynamic characteristic pneumatic muscle MAS-10-88N (Festo manufacture). Mathematical model of pneumatic muscle for static and dynamic simulations. Results of the simulations for differents conditions pressures supply.
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów dla stanu statycznego i dynamicznego mięśnia pneumatycznego. Mięsień pneumatyczny zaliczany jest do klasy aktuatorów jednostronnego działania (tzn. o jednym ruchu roboczym). W rozdziale 1 omówiono krótko budowę mięśnia. W dużym uproszczeniu można powiedzieć, że jest to element o konstrukcji membranowej. Ściślej jest to giętki, podatny przewód opleciony podatnym, rozciągliwym materiałem o strukturze romboidalnej. W rezultacie daje o strukturę trójwymiarowej siatki. Elementy wykonawcze cechują się szeregiem zalet. Najważniejsze z nich to: odporność na zanieczyszczenia zewnętrzne i wewnętrzne (jakość zasilającego czynnika), duża dynamika odkształcenia, możliwość przenoszenia dużych obciążeń. W rozdziale 2 przedstawiono zbudowane stanowisko pomiarowe, na którym przeprowadzono badania pomiarowe. Do pomiaru skrócenia mięśnia oraz zmiany jego średnicy wykorzystano czujniki zegarowe o dokładności pomiaru 0,01 mm. Jako obciążenie dla badanego mięśnia zastosowano sprężyny o różnych stałych (c1 = 10 N/mm; c2 = 18 N/mm; c3 = 35,8 N/mm oraz c4 = 66,22 N/mm). Stanowisko zaprojektowano w programie Inventor. W rozdziale 3 przedstawiono i omówiono wyniki przeprowadzonych pomiarów. Pierwsza część dotyczy pomiarów statycznych. Na rys. 3a zamieszczono rodzinę charakterystyk (dla ciśnienia zasilania 1, 2, ..., 6 bar) przyrostu promienia zewnętrznego mięśnia w funkcji jego długości. Na rysunku widoczne są punkty pomiarowe oaz linią ciągłą oznaczone funkcje aproksymujące te wartości. Rysunek 3b przedstawia procentową kontrakcję - daną zależnością (1) - w funkcji różnych wartości ciśnienia zasilania mięśnia. Kolejne krzywe odnoszą się do różnych wartości obciążenia mięśnia. Na podstawie przeprowadzonych badań pomiarowych oraz uzyskanych z nich wyników opracowano modele służące do wyznaczania charakterystycznych dla mięśnia pneumatycznego wielkości (wymiary - średnica, skrócenie oraz siła) w funkcji wielkości wejściowych (siła obciążenia, ciśnienie zasilania mięśnia). Pierwszy z przedstawionych modeli (rys. 5b) to model pozwalający wyznaczyć skrócenie wyrażone w procentach oraz w milimetrach, wartość siły, z jaką działa mięsień. Wielkościami zadanymi jest ciśnienie powietrza oraz stała sprężyny. W dalszej części przedstawiono model dynamiczny mięśnia pneumatycznego zaimplementowany w środowisku Matlab/Simulink bazujący na wyprowadzonym równaniu ruchu oraz charakterystyce izobarycznej mięśnia (model na rys. 8). W dalszej części przedstawiono wyniki symulacji - czasowe charakterystyki skrócenia, prędkości i przyspieszenia mięśnia. Artykuł podsumowano wnioskami w punkcie 5.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2009, 240; 179-193
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design, Modeling and Simulation of MEMS Devices on Si, SiC, and Diamond for Harsh Environment Applications
Autorzy:
Kociubiński, A.
Bieniek, T.
Janczyk, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1199152.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.05.Tp
07.07.Df
62.20.-x
62.25.Fg
Opis:
Set of micromechanical (MEMS) test structures designed for fabrication on silicon, silicon carbide and diamond substrates has been successfully designed. A dedicated mask-set development has been carried along with numerical simulations performed with assistance of a dedicated design and modelling CoventorWare™ - toolset by Coventor. A set of sample simulations presented in this paper has been performed for specific simulation domains focused on silicon-alternative material reality to proof the usefulness of proposed substrates. The aim was to verify its applicability for MEMS design and confirm an outstanding performance of the resulting device which effectively opens a new area of interest for subsequent research and development efforts.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1374-1376
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching
Autorzy:
Kociubiński, A.
Duk, M.
Bieniek, T.
Janus, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308233.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
anisotropic wet etching
KOH
silicon technology
Opis:
The methods of parameter optimization in Etch3DTM simulator and the results of the comparison of simulations of silicon etching in KOH with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by Institute of Electron Technology (ITE). The Taguchi approach was used to analyze the influence of every remove probability function (RPF) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to the results of real etching performed in ITE.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 65-70
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308830.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage
Opis:
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 3-8
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308689.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 9-15
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
Autorzy:
Mroczyński, R.
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308687.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra-thin dielectrics
oxynitride
SIMS
XPS
PECVD
Opis:
In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of Spin-Orbit Coupling Effect on Bismuth (111) Bilayer
Autorzy:
Bieniek, M.
Woźniak, T.
Potasz, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398639.pdf
Data publikacji:
2016-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.Dj
74.20.Pq
Opis:
Band inversion process in Bi(111) bilayer is studied using many-orbital tight-binding model, supported by the density-functional theory calculations, with a controllable spin-orbit coupling constant in tight-binding model. This effect is important in order to verify a topological nature of this material. We show that after closing of the energy gap leading to crossing of the valence and conduction bands, the second band inversion occurs within a valence band. We analyze orbital composition and spin textures of bands within different regimes. Around a Γ point, all spins align in one direction before the first band inversion. Moreover, a change of signs for some spin components after a band inversion is noticed. After the second band inversion, a significant change of orbital contribution of the top of the valence band is observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 2; 609-612
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zagrożenie drzewostanów dębowych przez Cryphonectria parasitica
Threat to the oak stands caused by Cryphonectria parasitica
Autorzy:
Bieniek, P.
Oszako, T.
Pusz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/979289.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
cryphonectria parasitica
oak stands
identification
detection
pathogen control
Opis:
Cryphonectria parasitica is a pathogen that causes chestnut blight – a disease that has decimated chestnut trees Castanea dentata in North America and C. sativa in Europe. C. parasitica also infects other tree species, including oaks. Although the disease on oaks progresses and develops in a milder way, it can pose a threat to them. The main purpose of the work is to investigate the risk of C. parasitica occurring in oak stands. The work is based on a review of the available literature taking into account an analysis of pathogen detection and identification methods, current distribution of disease in Europe, distribution of potential host plants, favourable climatic conditions, and ways of spreading (pathways).
Źródło:
Sylwan; 2020, 164, 07; 576-582
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wykorzystanie programu "RSPmech" do oceny stopnia eksploatacji ciągników w RSP Rostkowice
Employing the "RSPmech" application to assess the level of use for tractors in RSP Rostkowice
Autorzy:
Falińska, K.
Faliński, T.
Bieniek, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/289397.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
eksploatacja
baza ciągników rolniczych
spółdzielnia rolnicza
program komputerowy
operation
stock of farm tractors
agricultural co-operative
computer application
Opis:
W celu kontroli bazy ciągnikowej utworzono program o nazwie "RSPmech", który został przetestowany w Rolniczej Spółdzielni Produkcyjnej Rostkowice. Dane gromadzone przy pomocy programu pozwoliły na prowadzenie bieżącej analizy m.in. stopnia zużycia paliwa czy też ilości przepracowanych motogodzin przez poszczególne ciągniki. Do bazy danych dostęp mają wszyscy pracownicy, ale za wprowadzanie nowych i korygowanie dotychczasowych informacji odpowiedzialna jest jedna osoba, która dokonuje ich z poziomu administratora, po zalogowaniu do programu.
In order to provide monitoring for stock of tractors, the researchers developed an application named "RSPmech", tested in Rolnicza Spółdzielnia Produkcyjna Rostkowice [Rostkowice Agricultural Production Co-operative]. Data acquired using the application allowed to carry out current analysis including fuel consumption degree or number of machine-hours worked by individual tractors. All employees have access to the database, but only one person is responsible for entering new and correcting previously entered information. That person makes all entries from administrator's level, after having logged in the application.
Źródło:
Inżynieria Rolnicza; 2011, R. 15, nr 4, 4; 49-58
1429-7264
Pojawia się w:
Inżynieria Rolnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies