Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Baranowski, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Content of certain macro- and microelements in orchard soils in relation to agronomic categories and reaction of these soils
Autorzy:
Tkaczyk, P.
Bednarek, W.
Dresler, S.
Kryszczak, J.
Baranowski, P.
Brodowska, S.M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/14827.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Źródło:
Journal of Elementology; 2018, 23, 4
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Deposition Layers on GaN Single Crystals
Autorzy:
Pakula, K.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Wysmołek, A.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Sawicki, M.
Starowieyski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933937.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
The homoepitaxial growth of GaN layers has been achieved for the first time. Bulk GaN single crystals which have been used as a substrate have been grown from diluted solution of atomic nitrogen in the liquid gallium at 1600°C and at nitrogen pressure of about 15-20 kbar. It is shown that a terrace growth of GaN epitaxial layer has been realized. The high quality of the GaN film has been confirmed by luminescence measurements. The analysis of donor-acceptor and exciton luminescence is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 861-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crystallographic Properties of Bulk GaN Crystals Grown at High Pressure
Autorzy:
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Bockowski, M.
Jun, J.
Porowski, S.
Jasiński, J.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933847.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Dd
61.50.Cj
Opis:
Gallium nitride bulk crystals grown at about 15 kbar and 1500 K have been examined by using the high resolution X-ray diffractometry. An analysis of a set of the rocking curves of various Bragg reflections enabled us to estimate a dislocation density. For the crystals of dimensions lower than about 1 mm it is lower than 10$\text{}^{-5}$ cm$\text{}^{-2}$. For bigger samples the crystallographic quality worsens. With an application of the reciprocal lattice mapping we could distinguish between internal strains and mosaicity which are both present in these crystals The results for the bulk crystals are compared with those for epitaxial layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 799-802
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Jun, J.
Pałosz, B.
Porowski, S.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Barski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.72.Vv
Opis:
Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Study of the Impact of Surface Preparation Methods of Inconel 625 and 718 Nickel-Base Alloys on Wettability by BNi-2 and BNi-3 Brazing Filler Metals
Badanie wpływu przygotowania powierzchni stopów niklu Inconel 625 i 718 na zwilżalność powierzchni lutami BNi-2 i BNi-3
Autorzy:
Lankiewicz, K.
Baranowski, M.
Babul, T.
Kowalski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351286.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
vacuum brazing
surface wetting
Inconel 625 and 718
BNi-2 and BNi-3 brazing filler metals
lutowanie próżniowe
zwilżalność powierzchni
Inconel 625 i 718
BNi-2 i BNi-3 spoiwa do lutowania twardego
Opis:
The article discusses the impact of surface preparation method of Inconel 625 and 718 nickel-base alloys in the form of sheets on wettability of the surface. The results of the investigations of surface preparation method (such as nicro-blasting, nickel plating, etching, degreasing, abrasive blasting with grit 120 and 220 and manually grinding with grit 120 and 240) on spreading of BNi-2 and BNi-3 brazing filler metals, widely used in the aerospace industry in high temperature vacuum brazing processes, are presented. Technological parameters of vacuum brazing process are shown. The macro- and microscopic analysis have shown that nicro-blasting does not bring any benefits of wettability of the alloys investigated.
artykule omówiono wpływ metody przygotowania powierzchni na zwilżalność blach ze stopów niklu Inconel 625 oraz 718. Przedstawiono wyniki badań wpływu metod przygotowania powierzchni (technologii nicro-blasting, niklowania galwanicznego, trawienia, odtłuszczania, obróbki strumieniowo ściernej ścierniwem o granulacji 120 oraz 220, a także ręcznego szlifowania papierem ściernym o ziarnistości 120 oraz 240) na rozpływność dwóch gatunków lutu BNi-2 oraz BNi-3, które są powszechnie stosowane w przemyśle lotniczym podczas procesów wysokotemperaturowego lutowania w próżni. Podano parametry technologiczne procesu lutowania próżniowego. Wyniki badań makro- i mikroskopowych wykazały, że nicro-blasting nie wpływa korzystnie na zwilżalność badanych stopów.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 159-165
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Study Of The Impact Of Surface Preparation Methods Of Inconel 625 And 718 Nickel-Base Alloys On Wettability By BNi-2 And BNi-3 Brazing Filler Metals
Badanie wpływu przygotowania powierzchni stopów niklu Inconel 625 i 718 na zwilżalność powierzchni lutami BNi-2 i BNi-3
Autorzy:
Lankiewicz, K.
Baranowski, M.
Babul, T.
Kowalski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353472.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
vacuum brazing
surface wetting
Inconel 625 and 718
BNi-2 and BNi-3 brazing filler metals
lutowanie próżniowe
zwilżalność powierzchni
Inconel 625 i 718
BNi-2 i BNi-3 spoiwa do lutowania twardego
Opis:
The article discusses the impact of surface preparation method of Inconel 625 and 718 nickel-base alloys in the form of sheets on wettability of the surface. The results of the investigations of surface preparation method (such as nicro-blasting, nickel plating, etching, degreasing, abrasive blasting with grit 120 and 220 and manually grinding with grit 120 and 240) on spreading of BNi-2 and BNi-3 brazing filler metals, widely used in the aerospace industry in high temperature vacuum brazing processes, are presented. Technological parameters of vacuum brazing process are shown. The macro- and microscopic analysis have shown that nicro-blasting does not bring any benefits of wettability of the alloys investigated.
W artykule omówiono wpływ metody przygotowania powierzchni na zwilżalność blach ze stopów niklu Inconel 625 oraz 718. Przedstawiono wyniki badań wpływu metod przygotowania powierzchni (technologii nicro-blasting, niklowania galwanicznego, trawienia, odtłuszczania, obróbki strumieniowo ściernej ścierniwem o granulacji 120 oraz 220, a także ręcznego szlifowania papierem ściernym o ziarnistości 120 oraz 240) na rozpływność dwóch gatunków lutu BNi-2 oraz BNi-3, które są powszechnie stosowane w przemyśle lotniczym podczas procesów wysokotemperaturowego lutowania w próżni. Podano parametry technologiczne procesu lutowania próżniowego. Wyniki badań makro- i mikroskopowych wykazały, że nicro-blasting nie wpływa korzystnie na zwilżalność badanych stopów.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 739-745
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of the Impact of Transient Disturbances on Railway Signaling Systems Using an Adapted Time-Frequency Analysis Method
Autorzy:
Kousri, M. R.
Deniau, V.
Heddebaut, M.
Baranowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226198.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
EMC
railways
signaling
transient disturbances
transient detection
cellular radio
bit error rate
Opis:
As many other industrial environments, the railway electromagnetic environment is characterized by a large number of electromagnetic signals and disturbances. Among these, transient signals, with high energy level and wide frequency spectrum, represent an important threat to different signaling subsystems. In this paper, a new methodology dedicated to the detection and the characterization of the transient disturbances is presented. Based on a flexible and adjustable time-frequency analysis, this methodology is used to evaluate the impact of transient disturbances on a ground-to-train radio communication. A test bench was developed in order to validate the results of this evaluation.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2017, 63, 4; 347-354
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Korona, K. P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Monemar, B.
Bergman, J. P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
78.47.+p
78.55.Cr
Opis:
Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure of Aqueous Solutions of Acetonitrile Investigated by Acoustic and Positron Annihilation Measurements
Autorzy:
Jerie, K.
Baranowski, A.
Koziol, S.
Gliński, J.
Burakowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043335.pdf
Data publikacji:
2005-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.25.Em
78.70.Bj
Opis:
We report the results of acoustic and positron annihilation measurements in aqueous solutions of acetonitrile (CH$\text{}_{3}$CN). Hydrophobicity of the solute is discussed, as well as the possibility of describing the title system in terms of hydrophobic solvation. The concept of Levay et al. of calculating the "ideal positronium lifetimes is applied, basing on the mean volume of cavities (holes) in liquid structure available for positronium pseudoatom. The same calculations performed using the Tao model of annihilation yield very different results. It can be concluded that either acetonitrile forms with water clathrate-like hydrates of untypical architecture, or it is too weak hydrophobic agent to form clathrate-like hydrates at all. The former interpretation seems to be more probable.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 826-831
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport Properties of Disordered Graphene Layers
Autorzy:
Gryglas-Borysiewicz, M.
Jouault, B.
Tworzydło, J.
Lewińska, S.
Strupiński, W.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791293.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Ac
72.20.Fr
73.43.Qt
73.63.Bd
Opis:
Samples consisting of a few layers of graphene obtained by thermal decomposition of SiC were studied by means of transport experiments at 4 K and in a magnetic field up to 7 T. Transport data show that the samples have a two-dimensional character. Magnetoresistance has an approximately linear character at high magnetic fields, which has been previously observed in graphite samples, and a negative magnetoresistance, at low magnetic fields. The transverse resistivity $ρ_{xy}$ is nonlinear as a function of B, which can be described using a many-carrier model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 838-840
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Morphological and cytophysiological changes in selected lines of normal and cancer human cells under the influence of a radio-frequency electromagnetic field
Autorzy:
Grski, R.
Nowak-Terpiłowska, A.
Śledziński, P.
Baranowski, M.
Wosiński, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/28762836.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 1; 163-171
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bezszczotkowa wysokomomentowa zakrętarka elektromechaniczna
Brushless electric torque tool
Autorzy:
Gawron, S.
Baranowski, J.
Piątek, P.
Ossa, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1367885.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
zakrętarka elektryczna
napęd elektryczny
silnik bezszczotkowy
electric torque tool
electric drive
brushless motor
Opis:
Paper includes a presentation of research and development activities regarding an electric torque tool driven by brushless motor. Work is realised by two research institutions (KOMEL and AGH-UST) and an industrial partner (ZBM OSSA). The consortium plans to develop a new type of electric torque tool, which will be used for tightening nuts in joints with torque set from 2000 to 15000 Nm. New tool will be able to operate in highly dust-laden environments and also those with heightened safety requirements, where conventional torque tools driven by commonly universal motors can not be used.
W publikacji zawarto opis prac badawczo rozwojowych, jakich podjęły się dwa ośrodki badawcze (KOMEL i AGH) oraz przedsiębiorca (ZBM OSSA), w celu skonstruowania wysokomomentowej zakrętarki elektromechanicznej napędzanej silnikiem bezszczotkowym. Partnerzy konsorcjum planują opracować nowy typ zakrętarki, która ma służyć do dokręcania śrub w połączeniach z zadanym momentem od 2 000 do 15 000 Nm. Nowa zakrętarka będzie mogła pracować w środowiskach wysoko zapylonych i o zwiększonych wymaganiach bezpieczeństwa, gdzie nie można zastosować zakrętarek napędzanych silnikami komutatorowymi, które są obecnie standardem.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2015, 2, 106; 113-116
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Electron Transition in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Fiorek, A.
Baranowski, J. M.
Wysmołek, A.
Pakuła, K.
Wojdak, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968067.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
It is shown that the luminescence mapping is a powerful method to help identify optical transitions. Two-electron transition was identified in the homoepitaxial GaN layer by this technique. It was found that the donor and acceptor bound exciton emissions are spatially displaced and show intensity maxima at different places of the epitaxial layer. It was also found that the 3.45 eV line, suspected as "two-electron transition", follows exactly the donor bound exciton spatial distribution. Donor bound exciton recombines leaving the neutral donor in the excited 2s state. Thus, 1s-2s excitation being equal to 22 meV corresponds to 29 meV hydrogenic donor binding energy. This is the first identification of the two-electron transition in GaN.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 742-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies