Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Andrianov, I. V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Asymptotic study of elastic half-plane with embedded punch
Analiza asymtotyczna zagadnienia kontaktowego stempla i półprzestrzeni sprężystej
Autorzy:
Andrianov, I. V.
Awrejcewicz, J.
Kirichek, Yu. A.
Koblik, S. G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280842.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
mixed boundary value problem
singular asymptotics
complex variable theory
Opis:
A contact problem for an elastic half-plane and an embedded rigid punch is studied. The employed mathematical model describes the behavior of a soil with embedded foundation. The analytical solution geverning the stress field behaviour is derived. Singular perturbation and complex analysis techniques are used.
W pracy rozważono zagadnienie kontaktowe związane z oddziaływaniem sztywnego stempla i półprzestrzeni sprężystej. Analizowany problem może np. modelować fundamenty budowli usytuowane w podatnym gruncie. Sformułowano w postaci analitycznej pole naprężeń przy użyciu metody perturbacji osobliwych i techniki zmiennych zespolonych.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 2007, 45, 1; 5-14
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spontaneous Terahertz Emission under Electrical Breakdown of a Shallow Acceptor in Ge
Autorzy:
Andrianov, A. V.
Zaharin, A. O.
Yassievich, I. N.
Zinovev, N. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041653.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.De
78.60.Fi
07.57.Hm
Opis:
The spectra of spontaneous terahertz (THz) electroluminescence at the breakdown of shallow Ga acceptor in Ge were observed for the first time and investigated. We found and characterized the emission lines corresponding to the hole transitions between the excited states and the ground state of the impurity center as well as the transitions of the hot holes from the valence band to the impurity and within the valence band. A high quantum yield of the radiative transitions will become an important factor in designing electrically pumped THz emitters for the≈2 THz spectral range.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 142-146
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies