The spectra of spontaneous terahertz (THz) electroluminescence at the breakdown of shallow Ga acceptor in Ge were observed for the first time and investigated. We found and characterized the emission lines corresponding to the hole transitions between the excited states and the ground state of the impurity center as well as the transitions of the hot holes from the valence band to the impurity and within the valence band. A high quantum yield of the radiative transitions will become an important factor in designing electrically pumped THz emitters for the≈2 THz spectral range.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00