Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Andreev, B." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Optically Active Si:Er Layers Grown by the Sublimation MBE Method
    Autorzy:
    Stepikhova, M.
    Andreev, A.
    Andreev, B.
    Krasil'nik, Z.
    Shmagin, V.
    Kuznetsov, V.
    Rubtsova, R.
    Jantsch, W.
    Ellmer, H.
    Palmetshofer, L.
    Preier, H.
    Karpov, Yu.
    Piplits, K.
    Hutter, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992203.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    Opis:
    We report the first application of sublimation molecular beam epitaxy to grow uniformly and selectively doped Si:Er layers with Er concentration up to 5×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. The Hall concentration of electrons is about 10% of total Er contents. The mobility is 300-400 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at 300 K. All samples exhibit photoluminescence at 1.537 μm up to 100-140 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 549-554
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Properties of GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb Double Heterostructure with Low Diameter
    Autorzy:
    Kucur, B.
    Ahmetoglu, M.
    Andreev, I.
    Kunitsyna, E.
    Mikhailova, M.
    Yakovlev, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1194577.pdf
    Data publikacji:
    2014-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.-c
    78.66.-w
    85.60.Dw
    Opis:
    GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb double heterostructures are attractive for optoelectronic devices working in the 1.5-4.8 μm wavelength region. In this paper, the current mechanisms of liquid phase epitaxy grown GaInAsSb based double heterostructures with 100 μm diameter were investigated in the temperature range 77-350 K. It was found that diffusion current dominates at the high temperature (> 240 K) and small forward bias region, while generation-recombination current dominates at intermediate temperatures (242-171 K). At low temperature region (< 171 K), the tunneling mechanism of the current flow dominates in both forward and reverse biases.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 2; 411-413
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Characteristics and Temperature Dependence of Photovoltaic Parameters of GaInAsSb Based TPV Diode
    Autorzy:
    Kucur, B.
    Ahmetoglu, M.
    Andreev, I.
    Kunitsyna, E.
    Mikhailova, M.
    Yakovlev, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398767.pdf
    Data publikacji:
    2016-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Lq
    72.40.+w
    85.60.-q
    Opis:
    In this paper, electrical characterization of low bandgap GaInAsSb based thermophotovoltaic (TPV) diodes were investigated, as well as the temperature dependence of photovoltaic parameters such as short circuit current $(I_{sc})$ and open circuit voltage $(V_{oc})$. Investigation of the dark current mechanisms of the structure was carried out at several temperatures. The effect of light intensity on current-voltage characteristics was also investigated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 767-769
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical and Optical Characteristics of $n-GaSb//n-GaIn_{0.24}AsSb//p-GaAl_{0.34}AsSb$ Heterostructure Photodiode
    Autorzy:
    Ahmetoglu, M.
    Kucur, B.
    Andreev, I.
    Kunitsyna, E.
    Mikhailova, M.
    Yakovlev, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1401231.pdf
    Data publikacji:
    2015-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.-i
    73.40.Kp
    72.40.+w
    Opis:
    In the present paper, electrical and optical properties of $n-GaSb//n-GaIn_{0.24}AsSb//p-GaAl_{0.34}AsSb$ double heterostructure (DH) with a diameter of 0.3 mm are reported. The current-voltage (I-V) characteristics of the structure were investigated at several temperatures in both, dark and under the illumination conditions. The effect of illumination was studied at different intensity values. Short circuit current and open circuit voltage as a function of intensity of incident light in photovoltaic mode are investigated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 4; 1007-1009
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure and Properties of Multilayer Nanostructured Coatings TiN/MoN Depending on Deposition Conditions
    Autorzy:
    Pogrebnjak, A.
    Abadias, G.
    Bondar, O.
    Postolnyi, B.
    Lisovenko, M.
    Kyrychenko, O.
    Andreev, A.
    Beresnev, V.
    Kolesnikov, D.
    Opielak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1365941.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.-w
    62.20.Qp
    62.25.-g
    Opis:
    This work presents the results of TiN/MoN coatings studying. These multilayer nanostructured coatings demonstrate dependence on depositions conditions on nanometer level. The influence of nanosized monolayer thickness on structure changing and properties of nanocomposite multilayer coatings TiN/MoN was found. Multilayer TiN/MoN coatings of the total thickness from 6.8 to 8.2 μm were obtained using C-PVD method. Thicknesses of monolayers were 2, 10, 20, 40 nm. The structure of samples was studied using X-ray diffraction (Bruker D-8 Advance) in Cu $K_{α}$ radiation, high resolution transmission electron microscopy with diffraction CFEI EO Techai F200, scanning electron microscopy with energy dispersive X-ray spectroscopy (JEOL-7001F), and microhardness measurements in dependence on indenter load. Scratch tests (friction, wear, etc.) were also provided using Rockwell-C diamond indenter (CSM Revetest Instruments) with a tip radius of 200 μm. Friction and wear behavior were evaluated using ball-on-plate sliding test on a UMT-3MT tribometer (CETR, USA). With decreasing monolayer thickness the hardness value increases, and the size of nanograins reduces. The values obtained for the friction coefficient of the multilayer system is much smaller than in nanostructured coatings of TiN (nc) or MoN (nc). Annealing showed formation of a (Ti,Mo)N solid solution and small growth of nanocrystals.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1280-1283
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies