We report the first application of sublimation molecular beam epitaxy to grow uniformly and selectively doped Si:Er layers with Er concentration up to 5×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. The Hall concentration of electrons is about 10% of total Er contents. The mobility is 300-400 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at 300 K. All samples exhibit photoluminescence at 1.537 μm up to 100-140 K.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00