Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Łukasik, Ł." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Wykorzystanie technologii RFID z zastosowaniem Big Data w procesach logistycznych
The usage of RFID technology using Big Data in logistics processes
Autorzy:
Łukasik, Z.
Ulatowski, B.
Łukasik, Ł.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/312377.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
RFID
logistyka
big data
bazy danych
logistics
databases
Opis:
Identyfikacja radiowa (RFID) została szeroko zastosowana we wspieraniu zarządzania logistyką w zakładach produkcyjnych w których zasoby produkcyjne związane z urządzeniami RFID. Są one przekształcane w inteligentne obiekty produkcyjne (z ang. smart manufacturing objects - SMO), które są zdolne do wykrywania, współdziałania i rozumowania w celu stworzenia wszechobecnego środowiska technologicznego. W takim środowisku można gromadzić ogromne ilości danych i wykorzystywać je do wspierania dalszych decyzji, takich jak planowanie i harmonogramowanie logistyki. Poniższy artykuł przedstawia sposób wykorzystania dużych zbiorów danych z wykorzystaniem danych logistycznych z zastosowaniem technologii identyfikacji radiowej (RFID). Po pierwsze, tzw. procesory RFID-Cuboids są wprowadzane w celu utworzenia hurtowni danych, aby dane logistyczne zarządzane za pośrednictwem technologii RFID mogły być wysoce zintegrowane pod względem określonej logiki i operacji. Po drugie, tabele są używane do łączenia danych w celu zwiększenia jakości informacji i zmniejszenia objętości zbioru danych.
The following article shows how to use large data sets using logistic data using radio frequency identification (RFID) technology. First of all, the so-called RFID-Cuboids processors are introduced to create a data warehouse so that logistics data managed via RFID technology can be highly integrated in terms of specific logic and operations. Second, the tables are used to combine r data to increase information quality and reduce the data set volume.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2018, 19, 12; 780-782
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Łukasik, L.
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309325.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI MOSFET
small-signal models
non-quasi-static analysis
admittances
Opis:
A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 67-71
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Symulator uszkodzeń urządzeń sterowania ruchem kolejowym
Failures simulator of railway traffic control devices
Autorzy:
Nowakowski, W.
Ciszewski, T.
Bukalski, W.
Łukasik, Ł.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/311044.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
symulacja
uszkodzenia
systemy srk
simulation
failures
railway traffic control devices
Opis:
Urządzenia sterowania ruchem kolejowym mogą przebywać w różnych stanach eksploatacyjnych. Wynika to z procesu ich destrukcji, który związany jest z czasem istnienia urządzeń, intensywnością użytkowania, czy jakością obsługi technicznej [5, 7, 8]. Badania eksploatacyjne są źródłem cennej wiedzy, która pozwala nie tylko na doskonalenie konstrukcji urządzeń srk, ale również na sterowanie procesem eksploatacji [1, 3, 4]. W tym celu opracowywane są narzędzia informatyczne wspomagające proces diagnostyczny [2, 6, 9, 10, 11]. Pomocnym w testowaniu tych narzędzi może być, zaproponowany przez autorów artykułu, symulator uszkodzeń dedykowany urządzeniom srk.
Railway traffic control systems may have different working conditions. It results from their destruction process, which is related to the age of the devices, intensity of their operation or technical service quality. Operating tests are the source of valuable knowledge that allows not only to perfect the construction of railway traffic control devices, but also to control the operating process. In order to do that IT tools are developed, supporting the diagnostic process. What can be helpful in testing these tools can be, proposed by the authors of the article, a failures simulator dedicated to railway traffic control devices.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2018, 19, 12; 575-578
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
Autorzy:
Gibki, J.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łukasik, L.
Jakubowski, A.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
SOI technology
characterization
Opis:
SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies