Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Čechavičius, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Photoreflectance of Epitaxial InGaAs Quantum Rods
Autorzy:
Nedzinskas, R.
Karpus, V.
Čechavičius, B.
Kavaliauskas, J.
Valušis, G.
Li, L.
Khanna, S.
Linfield, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505523.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
78.55.Cr
81.05.Ea
Opis:
Photoreflectance spectroscopy and photoluminescence have been used to study the optical properties and electronic structure of InGaAs quantum rods grown by molecular beam epitaxy. Spectral features associated with interband optical transitions localized in the quantum rod and the surrounding quantum well regions are examined. Experimental results are compared with calculations performed within the envelope function approximation. A red shift of the quantum rod- and a blue shift of the quantum well-related optical transitions, along with a significant increase in PL intensity have been observed if an $As_4$ source is used instead of an $As_2$ source during the molecular beam epitaxial growth.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 164-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Energy Spectrum of InAs Quantum Dots in GaAs/AlAs Superlattices
Autorzy:
Nedzinskas, R.
Čechavičius, B.
Kavaliauskas, J.
Karpus, V.
Krivaitė, G.
Tamošiūnas, V.
Valušis, G.
Schrey, F.
Unterrainer, K.
Strasser, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813385.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
Opis:
Photo- and contactless electroreflectance spectroscopies were applied to study optical properties and electronic structure of GaAs/AlAs superlattice systems with embedded InAs quantum dots. The observed interband transitions related to the quantum dot ground and excited states, as well as optical transitions in the combined system formed by the InAs wetting layer and GaAs/AlAs superlattice are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 975-978
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Terahertz Characterization of Be-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
Autorzy:
Čechavičius, B.
Kavaliauskas, J.
Krivaitė, G.
Seliuta, D.
Širmulis, E.
Devenson, J.
Valušis, G.
Sherliker, B.
Halsall, M.
Steer, M.
Harrison, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041764.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
85.30.De
Opis:
We report on optical, photoreflectance and surface photovoltage, as well as terahertz photocurrent investigation of Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells at room and liquid helium temperatures, respectively. From the Franz-Keldysh oscillations observed in photoreflectance spectra we determine built-in electric fields within the structure. Interband transition energies calculated by the transfer matrix method are in qualitative agreement with experimentally determined values for the samples having various, from 2×10$\text{}^{10}$ up to 2.5×10$\text{}^{12}$ cm$\text{}^{-2}$, Be doping densities. The photocurrent observed in the range of 5.4-7.3 THz we associate with photoionization of Be-acceptor states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 328-332
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Detection with δ-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
Autorzy:
Seliuta, D.
Čechavičius, B.
Kavaliauskas, J.
Krivaitė, G.
Grigelionis, I.
Balakauskas, S.
Valušis, G.
Sherliker, B.
Halsall, M.
Lachab, M.
Khanna, S.
Harrison, P.
Linfield, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813214.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
85.30.De
Opis:
The authors demonstrate selective detection of terahertz radiation employing berylliumδ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells. The sensitivity up to 1 V/W within 4.2-7.3 THz range at liquid helium temperatures is reached. The Franz-Keldysh oscillations observed in photo- and electroreflectance spectra allowed one to estimate built-in electric fields in the structures studied. It was found that the electric field strength in the cap layer region could vary from 10 kV/cm up to 26 kV/cm, depending on the structure design and temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 909-912
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies