Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "semiconductor detectors" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Symulacje komputerowe efektu podziału ładunku w detektorach półprzewodnikowych z wykorzystaniem układu FPGA
Computer simulations of charge sharing effect in semiconductor detectors using FPGA
Autorzy:
Maj, P.
Drozd, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151594.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
efekt podziału ładunku
FPGA
metoda Monte Carlo
charge sharing
Monte Carlo method
Opis:
Artykuł prezentuje wykorzystanie metody Monte Carlo do analizy efektu podziału ładunku w detektorach półprzewodnikowych. Są one niezbędne do podnoszenia jakości obrazowania medycznego, gdyż ze względu na pojawiające się na krawędziach pikseli rozmycie obniża dokładność pomiaru zarówno pozycji jak i energii. Wykonanie symulacji jest niezwykle istotne w pierwszym etapie projektowania dedykowanych układów scalonych, wymaga jednak dużych nakładów obliczeniowych, gdyż symulacje należy wielokrotnie powtarzać dla różnych wartości parametrów wejściowych. Zaproponowano zatem implementację przedstawionych algorytmów w układzie FPGA (Field Programmable Gate Array), pozwalającym na zrównoleglenie dużej ilości obliczeń i przez to na znaczące ich przyspieszenie.
In recent years, there have been a lot of improvements in application of specific integrated circuits. New ideas have been also implemented in 2D X-Ray detectors which can be used in medical imaging. To understand the structure and the functionality of biological systems, there are required imaging systems of high spatial resolution. The aim is to improve the image quality but also to reduce the time of tissue exposure to the radiation. One of the major problems that needs to be solved while designing a detector with pixel dimensions less than 200 μm x 200 μm is compensation of charge sharing effect, presented schematically in Fig. 1. When a photon hits a detector close to the border between pixels, the resultant charge cloud is divided between up to four neighbor readout channels. Introduction of the compensation algorithm C8P1 [1] leads to a proper measurement of the spatial hit position as well as photon energy despite the fact that charge sharing occurred. Since the algorithm should be verified before hardware implementation, simulation using the Monte Carlo method was implemented. The simulation step is a crucial part in a design process, although it often takes much time to perform the simulations, as there are multiple parameters in the model that vary in specific ranges (Tab. 1). Taking the execution time into account, a new solution using the FPGA (Field Programmable Gate Array) was proposed (Fig. 4). Measurements of the operation execution time (Tab. 2) show that implementing simulations in an FPGA chip can accelerate calculations about 1000 times in comparison with the standard PC implementation (with Intel Core i7 processor), which is a significant improvement considering the integrated circuit design process.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 3, 3; 262-265
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rozszerzona diagnostyka półprzewodnikowych detektorów UV
Extended diagnostics of semiconductor UV detectors
Autorzy:
Ćwirko, J.
Ćwirko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210354.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
optoelektronika
półprzewodnikowe detektory UV
charakterystyki widmowe
optoelectronic
semiconductors UV detectors
spectral characteristics
Opis:
Artykuł przedstawia wybrane zagadnienia diagnostyki detektorów UV. Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji. Najczęstszymi źródłami tych procesów jest długoczasowe narażenie struktury półprzewodnikowej detektora UV na wpływ silnego promie¬niowania termicznego lub/i optycznego. Na podstawie przeprowadzonych eksperymentalnych badań różnych typów detektorów półprzewodnikowych opracowano metodykę ich diagnostyki. Pierwszym etapem jest pomiar charakterystyk widmowych i szumowych detektorów w temperaturze otoczenia. Pomiary mają na celu sprawdzenie i ewentualne odrzucenie detektorów, które nie spełniają wymagań danej aplikacji. Kolejnym etapem jest pomiar charakterystyk widmowych w szerokim zakresie temperatur dodatnich, a następnie w zakresie kriogenicznych zmian temperatury. Detektory, które są przewidywane do zastosowań w sprzęcie eksploatowanym w ekstremalnych warunkach (np. wysoka temperatura, duże natężenie naturalnego promieniowania ultrafioletowego), powinny podlegać w ramach diagnostyki badaniom długoczasowym. Badania te obejmują wygrzewanie w podwyższonej temperaturze oraz badanie wpływu długotrwałych pobudzeń optycznych. Opracowane procedury diagnostyki umożliwiają uzyskanie dodatkowych, pozakatalogowych informacji w aspekcie eksploatacji detektorów UV w ekstremalnych warunkach.
The article presents selected issues of UV detectors’ diagnostics. When choosing the UV detector to a specific application, one should take into account that their optical and electrical parameters can vary significantly during operation. The most common sources of these processes are long term exposure of semiconductor structure of UV detector to the impact of thermal and/ or optical radiation. On the basis of experimental studies of different types of semiconductor UV detectors, the methodology of their characterization has been developed. The first step is to measure spectral characteristics of the noise detector at ambient temperature. Measurements are aimed at checking and possible rejection of detectors that do not meet the requirements of the application. The next step is to measure spectral characteristics in a wide temperature range of positive and cryogenic temperatures’ changes. Detectors that are expected to be used in equipment operated in extreme conditions (eg. high temperature, high levels of natural ultraviolet), should be examined in the context of long-time diagnostics. These tests include annealing at elevated temperatures and long-term study of the effects of optical excitation. The developed diagnostic procedures allow us to obtain additional data, beyond the catalogue data, in terms of UV detectors operating in extreme conditions. On the other hand, studies on long term forecast ensure long-term reliability of detectors.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2016, 65, 2; 53-65
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Prototyp układu scalonego z dwustopniowym przetwarzaniem impulsu dla potrzeb niskomocowego pomiaru czasu wystąpienia zdarzenia i amplitudy ładunku wejściowego
Low power prototype of the integrated circuit with dual-stage pulse processing for time and amplitude measurement
Autorzy:
Kasiński, K.
Kłeczek, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408856.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
specjalizowane układy scalone
detektory półprzewodnikowe
wzmacniacz ładunkowy
application specific integrated circuits
semiconductor detectors
charge-sensitive amplifiers
Opis:
Artykuł prezentuje prototyp układu scalonego ASIC przeznaczonego do współpracy z krzemowymi detektorami o dużej pojemności. Mierzonymi wartościami są czas wystąpienia zdarzenia jak i ilość zdeponowanego ładunku. Celem zaprojektowanego układu jest obserwacja wpływu pojemności detektora (do kilkudziesięciu pF) na pracę i parametry dwustopniowego układu elektroniki front-end opartego koncepcyjnie o metodę przetwarzania typu Time-over-Threshold.
This paper presents the prototype of the application specific integrated circuit designed for a silicon detector with large capacitance. The measured quantities are: the interaction time and the deposited charge. The aim of this project is to observe the influence of increasing sensor capacitance (up to tens of pF) on operation and performance of the dual-stage analog front-end electronics based on the concept of the Time-over-Threshold processing method.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 1; 72-75
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Projekt układu elektroniki odczytu front-end do pomiaru czasu i energii dla półprzewodnikowych detektorów paskowych
The design of readout front-end electronics for time and energy measurement for semiconductor strip detectors
Autorzy:
Kłeczek, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408444.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
detekcja promieniowania X
elektronika niskoszumna
układ CMOS elektroniki odczytu front-end
pomiar czasu i energii
X-ray detection application
low noise electronics
CMOS readout front-end electronics
time and energy measurements
Opis:
W niniejszym artykule został przedstawiony opis elektroniki front-end do pomiaru czasu interakcji i energii fotonu dedykowanej do odczytu dwustronnych detektorów paskowych, zaimplementowanej w technologii submikronowej UMC 180 nm CMOS. Jednoczesny i dokładny pomiar czasu interakcji oraz energii zdeponowanej w detektorze wymaga zastosowania w torze odczytowym dwóch różnych, równoległych ścieżek przetwarzania sygnału: „szybkiej” i „wolnej”. Parametry zaprojektowanego układu: niskim poziom rozpraszanej mocy P=3,2 mW, niski poziom szumów własnych ENC=586 e- rms (dla „wolnej” ścieżki i Cdet=30 pF), a powierzchnia krzemu zajmowana przez pojedynczy kanał wynosi 50 μm × 1100 μm.
This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and accurate measurements of time and energy deposited in the detector by a photon requires the use of two different parallel processing paths in the single channel: fast and slow. The designed front-end electronics is characterized by low power dissipation level P=3.2 mW, low noise performance ENC=586 e- rms (for “slow” path and at Cdet=30 pF). The single channel occupies silicon chip area of 50 μm × 1100 μm.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2013, 4; 18-21
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HgCdTe energy gap determination from photoluminescence and spectral response measurements
Autorzy:
Murawski, Krzysztof
Kopytko, Małgorzata
Madejczyk, Paweł
Majkowycz, Kinga
Martyniuk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204344.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
infrared detectors
HgCdTe
photoluminescence
spectral responsivity
semiconductor energy gap
Opis:
The temperature dependence of photoluminescence spectra has been studied for the HgCdTe epilayer. At low temperatures, the signal has plenty of band-tail states and shallow/deep defects which makes it difficult to evaluate the material bandgap. In most of the published reports, the photoluminescence spectrum containing multiple peaks is analyzed using a Gaussian fit to a particular peak. However, the determination of the peak position deviates from the energy gap value. Consequently, it may seem that a blue shift with increasing temperature becomes apparent. In our approach, the main peak was fitted with the expression proportional to the product of the joint density of states and the Boltzmann distribution function. The energy gap determined on this basis coincides in the entire temperature range with the theoretical Hansen dependence for the assumed Cd molar composition of the active layer. In addition, the result coincides well with the bandgap energy determined on the basis of the cut-off wavelength at which the detector response drops to 50% of the peak value.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2023, 30, 1; 183--194
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors
Autorzy:
Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204216.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor
Opis:
Short-period 10 monolayers InAs/10ML GaSb type-II superlattices have been deposited on a highly lattice-mismatched GaAs (001), 2° offcut towards <110> substrates by molecular beam epitaxy. This superlattice was designed for detection in the mid-wave infrared spectral region (cut-off wavelength, λcut-off = 5.4 μm at 300 K). The growth was performed at relatively low temperatures. The InAs/GaSb superlattices were grown on a GaSb buffer layer by an interfacial misfit array in order to relieve the strain due to the ~7.6% lattice-mismatch between the GaAs substrate and type-II superlattices. The X-ray characterisation reveals a good crystalline quality exhibiting full width at half maximum ~100 arcsec of the zero-order peak. Besides, the grown samples have been found to exhibit a change in the conductivity.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144557
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparative study on the performance of radiation detectors from the HgI2 crystals grown by different techniques
Autorzy:
Martins, J. F. T.
Costa, F. E.
dos Santos, R. A.
de Mesquita, C. H.
Hamada, M. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146916.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
crystal growth
iodide mercury crystal
physical vapor transport (PVT)
radiation detector
semiconductor crystal
Opis:
In this work, the establishment of a technology for HgI2 purification and crystal growth is described, aiming at a future application of this crystal as a room temperature radiation semiconductor detector. Two methods of crystal growth were studied in the development of this work: (1) physical vapor transport (PVT) and (2) saturated solution from dimethylsulphoxide (DMSO) complexes. In order to evaluate the crystals obtained using each of these methods, systematic measurements were carried out for determining the stoichiometry, structure, orientation, surface morphology and impurity of the crystal. The influence of these physicochemical properties of the crystals developed was evaluated in terms of their performance as a radiation detector. The best response to radiation was found for the crystals grown by the PVT technique. Significant improvement in the performance of HgI2 radiation detector was found, purifying the crystal by means of two successive growths by the PVT technique.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 4; 555-562
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies