In this work, the establishment of a technology for HgI2 purification and crystal growth is described, aiming at a future application of this crystal as a room temperature radiation semiconductor detector. Two methods of crystal growth were studied in the development of this work: (1) physical vapor transport (PVT) and (2) saturated solution from dimethylsulphoxide (DMSO) complexes. In order to evaluate the crystals obtained using each of these methods, systematic measurements were carried out for determining the stoichiometry, structure, orientation, surface morphology and impurity of the crystal. The influence of these physicochemical properties of the crystals developed was evaluated in terms of their performance as a radiation detector. The best response to radiation was found for the crystals grown by the PVT technique. Significant improvement in the performance of HgI2 radiation detector was found, purifying the crystal by means of two successive growths by the PVT technique.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00