Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "polycrystalline diamond" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Lattice Parameter of Polycrystalline Diamond in the Low-Temperature Range
    Autorzy:
    Paszkowicz, W.
    Piszora, P.
    Łasocha, W.
    Margiolaki, I.
    Brunelli, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538949.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    65.40.De
    Opis:
    The lattice parameter for polycrystalline diamond is determined as a function of temperature in the 4-300 K temperature range. In the range studied, the lattice parameter, expressed in angstrom units, of the studied sample increases according to the equation a = 3.566810(12) + 6.37(41) × $10^{-14} T^{4}$ (approximately, from 3.5668 to 3.5673 Å). This increase is larger than that earlier reported for pure single crystals. The observed dependence and the resulting thermal expansion coefficient are discussed on the basis of literature data reported for diamond single crystals and polycrystals.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 323-327
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of Argon on the Deposition and Structure of Polycrystalline Diamond Films
    Autorzy:
    Benzhour, K.
    Szatkowski, J.
    Rozpłoch, F.
    Stec, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1535896.pdf
    Data publikacji:
    2010-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.A-
    Opis:
    Thin polycrystalline diamond films were deposited on prepared (100) Si substrate by hot filament chemical vapor deposition using a mixture of hydrogen, propane-butane and argon. During investigations the gas flow of argon was varied from 100 sccm to 400 sccm. Scanning electron microscopy analysis revealed that the addition of argon to the gas phase influenced the growth rate and film structure. An increase of argon concentration provokes an increase in film porosity and decrease in crystalline facetting. The quality of these films was investigated with the use of the Raman spectroscopy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 3; 447-449
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Polycrystalline diamond tools wear during machining of cemented carbides produced by laser cladding
    Zużycie ostrzy z polikrystalicznego diamentu podczas skrawania węglików spiekanych napawanych laserowo
    Autorzy:
    Kieruj, P.
    Przestacki, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/175681.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    cemented carbide
    machinability
    tool wear
    węgliki spiekane
    skrawalność
    zużycie ostrza
    Opis:
    This paper presents the analysis of tool’s flank wear, and surface roughness generated during turning of chromium-carbides based on chrome-nickel alloy. The influence of cutting speed and feed per revolution on the investigated quantities was presented. The TPGN110304F cutting inserts made of polycrystalline diamond (KD100) were applied in the research. Tool’s flank wear VBc was measured on the microscope. The surface profiler Hommel Tester T500 was applied to the measurements of surface roughness (Ra parameter). The machinability valuation of sintered carbide was the primary objective of the research. It was proved, that the chromium-carbides are difficult to cut materials, therefore, the application of polycrystalline diamond (PCD) tool is justified.
    W pracy przedstawiono analizę wyników badań procesu toczenia wałka z węglika chromu o osnowie niklowo-chromowej. Określono wpływ posuwu oraz prędkości skrawania na zużycia ostrza i chropowatość powierzchni. Stosowano płytki wymienne TPGN110304F z narożem z polikrystalicznego diamentu (KD100). Pomiar szerokości powierzchni starcia na powierzchni przyłożenia VBc prowadzono za pomocą mikroskopu świetlnego. Do pomiaru chropowatości powierzchni – parametru Ra użyto profilografometru Hommel Tester T500 z oprogramowaniem TURBO DATAWIN. Celem prowadzonych badań procesu toczenia wałka z warstwą wierzchnią z węglików spiekanych napawanych laserowo było ustalenie ich skrawalności, w zależności od przyjętego kryterium. Stwierdzono, że węglik chromu jest materiałem trudno skrawalnym. Zastosowanie ostrzy z polikrystalicznego diamentu jest uzasadnione.
    Źródło:
    Advances in Manufacturing Science and Technology; 2014, 38, 4; 61-70
    0137-4478
    Pojawia się w:
    Advances in Manufacturing Science and Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza sił skrawania podczas toczenia węglików spiekanych WC-Co narzędziami z PCD
    Analysis of cutting forces during sintered carbides turning by tools with PCD edges
    Autorzy:
    Kowalczyk, R.
    Zębala, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/269443.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Wrocławska Rada Federacji Stowarzyszeń Naukowo-Technicznych
    Tematy:
    toczenie
    węgliki spiekane
    polikrystaliczny diament
    siła skrawania
    turning
    sintered carbides
    polycrystalline diamond
    cutting force
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań składowych całkowitej siły skrawania podczas procesu toczenia węglików spiekanych WC-Co (25%Co i 15%Co) narzędziami z polikrystalicznego diamentu PCD. W czasie obróbki wykorzystano płytki o trzech promieniach zaokrąglenia rε W badaniach skupiono się nad wpływem rε, vc, f oraz zawartości kobaltu Co dla stałej głębokości skrawania ap równej 0.2 mm na wartość składowych całkowitej siły skrawania (Ff, Fp, Fc). Plan badań opracowany został według metody Taguchi'ego. Stwierdzono, że największy wpływ na siły skrawania ma promień zaokrąglenia rε. Największe wartości zarejestrowano dla składowej posuwowej siły Ff, mniejsze dla siły skrawania Fc, najmniejsze dla siły obwodowej Fp. Dla poszczególnych składowych sił skrawania przedstawiona została analiza wariancji ANOVA. Dzięki analizie ANOVA zauważono istotny wpływ dodatkowego czynnika na wartości powstających sił ze względu na dużą wartość wariancji błędu MSe.
    The paper presents results of cutting force components research during sintered carbides turning (25 and 15 %Co) by tools with edge made of polycrystalline diamond PCD. The inserts with three different nose radii rε were used to machining. The main focus of the investigation are the rε, vc, f and Co content influence at the constant depth of cut equals 0.2 mm on the cutting force components (Ff, Fp, Fc). The plan of research was made according to the Taguchi method. Based on the analysis of the mean factor effects on the cutting force components an indication the greatest influence for the nose radius rε from the research factors was possible. During sintered carbides turning, the highest values of the cutting forces were recorded for the feed force Ff, smaller for the main cutting force Fc and the lowest for the passive force Fp due to the high hardness of work piece materials. For particular components of the cutting force also ANOVA variance analyses were performed. The analyses allowed to notice another factor influence on the cutting forces regarding the big value of the error variance MSe.
    Źródło:
    Inżynieria Maszyn; 2013, R. 18, z. 4; 7-18
    1426-708X
    Pojawia się w:
    Inżynieria Maszyn
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of Polycrystalline CVD Diamond Seeding with the Use of sp³/sp² Raman Band Ratio
    Autorzy:
    Golunski, L.
    Sobaszek, M.
    Gardas, M.
    Gnyba, M.
    Bogdanowicz, R.
    Ficek, M.
    Plotka, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402345.pdf
    Data publikacji:
    2015-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    81.05.ug
    82.80.Gk
    68.55.A-
    Opis:
    The influence of various nanodiamond colloids used for seeding nondiamond substrates in microwave plasma enhanced chemical vapour deposition diamond process was investigated. Colloids based on deionized water, isopropanol alcohol and dimethyl sulfoxide (DMSO) were used with different grain size dispersion: 150, 400 and 35 nm, respectively. The influence of growth time was also taken into consideration and bias enhanced nucleation. Microcrystalline diamond films were deposited on the seeded substrates in microwave plasma chemical vapour deposition using hydrogen-methane gas mixture. Seeding efficiency was investigated by means of scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. Authors defined the new factor called as diamond ideality factor (di) which can give a quick estimation of quality of film and relative sp³ content. Few main peaks were identified at the following wave numbers: diamond sp³ peak 1332 $cm^{-1}$, D band peak 1355 $cm^{-1}$, C-H bending peak 1440-1480 $cm^{-1}$ and G band peak 1560 $cm^{-1}$. The best di was achieved for DMSO based colloid in all cases. The application of bias enhanced nucleation increases the diamond crystals size and the sp³/sp² ratio.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 1; 136-140
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies