Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "monokryształy" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 27
Tytuł:
Jan Czochralski – pionier światowej elektroniki i inżynierii materiałowej
Autorzy:
Jakubiak, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/608282.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Historii im. Tadeusza Manteuffla PAN w Warszawie
Tematy:
biography
discovery
electronics
materials engineering
single crystals
collaboration
biografia
odkrycia naukowe
elektronika
inżynieria materiałowa
monokryształy
kolaboracja
Opis:
The purpose of this paper is to present a biography of Jan Czochralski – one of the world famous scientist of the twentieth century. His main discovery was a method of obtaining single crystals or monocrystalline; the method is nowadays used for production of VLSI/ ULSI circuits. After the Second World War, Czochralski was accused of collaboration with the Germans. The accusation was groundless. In 2019, the Czochralski Method received the IEEE Milestone Award.
Artykuł ma na celu przedstawienie sylwetki Jana Czochralskiego, światowej sławy naukowca XX w. Jego głównym osiągnięciem było wynalezienie metody uzyskiwania monokryształów, do dziś stosowanej w produkcji układów scalonych wielkiej skali integracji. Po zakończeniu II wojny światowej Czochralski całkowicie bezpostawnie został oskarżony o kolaborację z Niemcami. W 2019 r. the Institute of Electrical and Electronics Engineers przyznał metodzie Czochralskiego najwyższej rangi miano Milestone (Kamień Milowy).
Źródło:
Dzieje Najnowsze; 2020, 52, 2
0419-8824
Pojawia się w:
Dzieje Najnowsze
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical Simulation of Directional Solidification Process of Single Crystal Ni- Based Superalloy Casting
Autorzy:
Szeliga, D.
Kubiak, K.
Sieniawski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/383046.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
single crystal
superalloys
nickel based superalloys
ProCAST
casting defects
numerical simulation
monokryształy
superstopy
nikiel
wady odlewu
symulacja numeryczna
Opis:
The analysis of influence of mould withdrawal rate on the solidification process of CMSX-4 single crystal castings produced by Bridgman method was presented in this paper. The predicted values of temperature gradient, solidification and cooling rate, were determined at the longitudinal section of casting blade withdrawn at rate from 1 to 6mm/min using ProCAST software. It was found that the increase of withdrawal rate of ceramic mould results in the decrease of temperature gradient and the growth of cooling rate, along blade height. Based on results of solidification parameter G/R (temperature gradient/solidification rate), maximum withdrawal rate of ceramic mould (3.5 mm/min), which ensures lower susceptibility to formation process of new grain defects in single crystal, was established. It was proved that these defects can be formed in the bottom part of casting at withdrawal rate of 4 mm/min. The increase of withdrawal rate to 5 and 6 mm/min results in additional growth of susceptibility of defects formation along the whole height of airfoil.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2017, 17, 2; 111-118
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Szczerba, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
shape memory alloys
martensite
Ni-Mn-Ga single crystals
interface
stopy z pamięcią kształtu
martenzyt
monokryształy Ni-Mn-Ga
interfejs
Opis:
The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.
W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoinduced Optical Properties Of Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals
Indukowane światłem właściwości optyczne monokryształów Tl1-xIn1-xSixSe2
Autorzy:
Myronchuk, G. L.
Zamurueva, O. V.
Oźga, K.
Szota, M.
El-Naggar, N. S.
Alzayed, N. S.
Piskach, L. V.
Parasyuk, O. V.
Albassam, A. A.
Fedorchuk, A. O.
Kityk, I. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352746.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Tl1-xIn1-xSixSe2 single crystal
chalcogenide crystals
optical properties
photoinduced absorption
dark electroconductivity
electroconductivity mechanisms
monokryształy Tl1-xIn1-xSixSe2
kryształy soli tlenowców
właściwości optyczne
absorpcja fotoindukowana
ciemna przewodność elektryczna
mechanizmy przewodności elektrycznej
Opis:
The influence of temperature on electroconductivity and photoinduced changes of the absorption at 0.15 eV under influence of the second harmonic generation of CO2 laser for the two type of single crystals were investigated. The single crystals Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 and 0.2) have been grown by the two-zone Bridgaman-Stockbarger method. The temperature studies of electroconductivity were done in cryostat with thermoregulation in the temperature 77 - 300 K, with stabilization ±0.1 K. Photoinduced treatment of the investigated single crystals were performed using the 180 ns pulses second harmonic generation of the CO2 laser operating at 5.3 μm. Experimental studies have shown that for the Tl1−xIn1−xSixSe2 single crystals with decreasing temperature from 300 up to 240 K and from 315 up to 270 K the conductivity is realized by thermally excited impurities with activation energies equal to about 0.24 eV and 0.22 eV for x= 0.1 and 0.2, respectively. Photoinduced absorption achieves its maximum at a power density below 100 mJ/cm2. Has been shown that the samples with x=0.2 demonstrated higher changes of the photoinduced absorption with respect to the x=0.1. With further decreasing temperature is observed monotonic decrease in the activation energy of conductivity. The origin of these effects is caused by the excitations of both the electronic as well as phonon subsystem. At some power densities the anharmonic excitations become dominant and as a consequence the photoinduced absorption dependence is saturated what were observed. Additionally, we were evaluated at given temperature the average jump length of R for localized states near Fermi level.
W pracy badano wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne oraz indukowane światłem zmiany absorpcji optycznej przy 0.15 eV, pod działaniem drugiej harmonicznej lasera CO2 dla dwóch typów monokryształów. Monokryształy Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 i 0.2) otrzymano w pionowym dwustrefowym piecu metodą Bridgamana-Stockbargera. Badania temperaturowe przewodności elektrycznej przeprowadzono w kriostacie z termoregulacją, w temperaturze 77-300 K, przy stabilizacji ±0,1 K. Fotoindukowaną obróbkę laserową monokryształów wykonano przy użyciu 180 ns impulsów drugiej harmonicznej lasera CO2 o długości fali 5,3 μm. Eksperymentalnie wykazano, że z obniżaniem temperatury od 300 do 240 K i od 315 do 270 K przewodnictwo elektryczne monokryształów Tl1−xIn1−xSixSe2 jest wywołane przez wzbudzenia termicznie domieszek z energią aktywacji równą około 0,24 eV i 0,22 eV dla ő = 0,1 i 0,2, odpowiednio. Indukowana optycznie absorpcja osiąga maksimum przy gęstości mocy poniżej 100 mJ/cm2. Stwierdzono, że próbka z x = 0,2 wykazuje większe zmiany absorpcji indukowanej światłem w porównaniu do próbki z x = 0.1. Z dalszym spadkiem temperatury obserwowano monotoniczny spadek energii aktywacji przewodnictwa. Pochodzenie tych efektów jest spowodowane przez wzbudzanie zarówno podsystemu elektronowego jak i fonononowego. Przy niektórych gęstościach mocy wzbudzenia anharmoniczne zaczynają dominować, co w konsekwencji prowadzi do nasycenia indukowanej światłem zależności absorpcji optycznej. Dodatkowo w pracy wyznaczono dla danej temperatury średnią długość skoku R dla stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1051-1055
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
Zjawiska transportu w monokryształach Tl1-XIn1-XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
Autorzy:
Zamurueva, O. V.
Myronchuk, G. I.
Oźga, K.
Szota, M.
El-Naggar, A. M.
Albassam, A. A.
Parasyuk, O. V.
Piskach, L. V.
Kityk, I. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/357004.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Tl1−xIn1−xGexSe2 single crystal
chalcogenide crystals
transport features
photoinduced birefringence
electroconductivity mechanisms
Urbach rule
monokryształy TL1-xIn1-xGax Se2
zdelokalizowane nośniki
stany zlokalizowane
funkcje komunikacyjne w monokryształach
fotoindukowanie
przewodzenie elektryczne
zasada Urbacha
Opis:
Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.
Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2025-2028
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
Autorzy:
Kamiński, P.
Kwestarz, M.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
wysokorezystywne monokryształy krzemu
FZ
domieszkowanie azotem
high-resistivity silicon single crystals
nitrogen doping
Opis:
W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Portevin –Le Chatelier Effect and Acoustic Emission of Plastic Deformation CuZn30 Monocrystals
Emisja akustyczna w badaniu efektu Portevin-le Chatelier w monokrystalicznym stopie CuZn30
Autorzy:
Ozgowicz, W.
Grzegorczyk, B.
Pawełek, A.
Piątkowski, A.
Ranachowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354939.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
plastic strain
Portevin-Le Chatelier (PLC) effect
monocrystals
copper alloys
compression test
acoustic emission (AE)
odkształcenie plastyczne
efekt Portevina-Le Chateliera
monokryształy
stopy miedzi
test kompresji
emisja akustyczna (EA)
Opis:
The paper presents the investigation of the relation between the acoustic emission (AE) and instability of plastic deformation type Portevin-Le Chatelier (PLC) of single-phase brass CuZn30 monocrystals with crystallographical orientation [13 9]. The monocrystals have been investigated applying the method of free compression at a constant strain rate and the temperature within the range from 200°C to 400°C, simultaneously recording PLC phenomenon by means of acoustic emission. During hot axial compression tests the correlation between work-hardening curves σ - ε, which display PLC effect and characteristic of acoustic emission signals has been found. Moreover, it was proved that in the range of the PLC effect, the acoustic signal is an impulse a character of cyclic repeatability, distinctly correlated qualitatively with the stress oscillations on the curves σ - ε. The analysis of the obtained results leads to the conclusion that in the tested monocrystals the effect PLC is probably controlled by complex processes similar to the phenomenon of dynamic strain ageing (DSA), which are described by diffusion models.
Streszczenie W pracy badano zależność między emisją akustyczną (EA), a niestabilnością odkształcenia plastycznego typu Portevin Le Chatelier monokryształów jednofazowego mosiądzu CuZn30 o orientacji krystalograficznej [13 9]. Monokryształy poddano próbie swobodnego ściskania przy stałej prędkości odkształcenia w zakresie temperatury od 200°C do 400°C stosując jednocześnie pomiar emisji akustycznej. Określono zależność pomiędzy przebiegiem krzywych umocnienia σ - ε wykazujących efekt PLC. a charakterystyką sygnałów emisji akustycznej generowanych w badanej próbie ściskania jednoosiowego. Stwierdzono, że w zakresie występowania efektu PLC podczas próby ściskania, sygnał EA ma charakter impulsu cyklicznego, wyraźnie skorelowany jakościowo z oscylacjami naprężeń na krzywych σ - ε. Analiza uzyskanych wyników pozwala przypuszczać, że w badanych monokryształach efekt PLC jest kontrolowany prawdopodobnie przez złożone procesy podobne do zjawisk starzenia dynamicznego po zgniocie (DSA), które są opisane modelami dyfuzyjnymi.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 1; 183-188
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure and properties of Zn-Ti0.2-Cu0.15 single crystal containing eutectic precipitates
Struktura i własności monokryształów Zn-Ti0.2-Cu0.15 zawierających wydzielenia eutektyczne
Autorzy:
Boczkal, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356973.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
hexagonal single crystals
primary phase
eutectic precipitates
monokryształy
faza podstawowa
własności eutektyczne
Opis:
Some structure observations for the Zn-Ti0.2Cu0.15 single crystal obtained by the Bridgman method are presented. The structure contains (Zn) - phase with inclusions of Zn16Ti inter-metallic compound. The Zn16Ti intermetallic compound is localized within the eutectic precipitates. A morphology of the Zn16Ti compound varies according to the solidification condition imposed during the single crystal growth. The block, great size particles are a characteristic element for the alloy which composition is situated nearly the eutectic point in the phase diagram. These particles were not observed previously in the hypoeutectic Zn-Ti alloys. Mechanical properties of the obtained single crystals are also investigated. Critical resolved shear stress (CRSS) during deformation in a basal slip system (0001)<11-20>is determined. The changes of the CRSS for the Zn-Ti.0.2Cu0.15 single crystals within the range of temperatures from 200K to 370K are presented. The obtained data are compared with previously investigated results for the (Zn) single crystals containing lower (hypoeutectic) titanium addition.
W pracy przedstawiono wyniki badań strukturalnych i mechanicznych monokryształów Zn-Ti0.2Cu0.15 otrzymanych metodą Bridgmana. Struktura badanego stopu składała się z monokrystalicznej osnowy - fazy (Zn) oraz cząstek fazy międzymetalicznej Zni6Ti. Cząstki fazy międzymetalicznej Zn16Ti zlokalizowane były wewnątrz eutektyki Morfologia fazy Znj6H ulegała zmianom w zależności od warunków krystalizacji zastosowanych podczas wzrostu monokryształów. Blokowe cząstki o dużych rozmiarach stanowiły charakteiystyczny element struktury stopu o składzie zbliżonym do punktu eutektycznego na diagramie fazowym, i nie były wcześniej obserwowane dla monokryształów podeutektycznych stopów Zn-Ti oraz Zn-Ti-Cu. Zbadano własności mechaniczne otrzymanych monokryształów. Wyznaczono krytyczne naprężenie ścinające (KNŚ) osiągane podczas deformacji próbek w systemie łatwego poślizgu (0001 )< 11 -20>. KNŚ kiyształów Zn-Ti0.2Cu0.15 wyznaczane w za- kresie temperatury od 200K do 370K osiągało wartości odpowiednio od 12 MPa do 6 MPa. Uzyskane wyniki porównano z rezultatami wcześniejszych badań na monokryształach (Zn) z podeutektyczną zawartością tytanu.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1019-1022
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Second phase morphology in the Zn-Ti0.1-Cu0.1 single crystals obtained at different growth rates
Morfologia drugiej fazy w monokryształach Zn-Ti0.1-Cu0.1 otrzymywanych przy różnych szybkościach wzrostu
Autorzy:
Boczkal, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355011.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
monokryształy
cynk
faza międzymetaliczna
crystal structure
crystal morphology
single crystal growth
zinc compounds
Opis:
The influence of growth rate on a morphology, distribution and crystallographic relationship of the intermetallic phase Zn16Ti in Zn-Ti0.1-Cu0.1 single crystals were investigated. The crystals obtained at rates in range of from 1.8mm/h to 16mm/h were tested. In all cases a strong elongation of the Zn16Ti particles along the [11-20] direction is observed. Moreover, it is found that a lamellar phase existing in the crystals develop in range of the growth rate from 6 to 10 mm/h and grows in the f10-11gplanes. In the case of the growth rate of 16mm/h oval-shaped areas of α phase (solid solution of zinc and 0.1wt.% of copper with trace content of titanium) elongated along [10-10] direction and surrounded by needle shaped precipitations are formed in the structure.
W pracy badano wpływ szybkości wzrostu monokryształów Zn-Ti0.1-Cu0.1 na morfologię, rozkład i zależności krystalograficzne fazy międzymetalicznej Zn16Ti. Do testów użyto kryształów wyhodowanych z prędkościami z zakresu od 1.8mm/h do 16mm/h. We wszystkich przypadkach zaobserwowano istnienie cząstek tylko jednej fazy Zn,sub>16Ti, wydłużonych na kierunku [11-20]. Ponadto stwierdzono, że przy szybkości wzrostu z zakresu 6 do 10mm/h, obserwowana faza międzymetaliczna ma postać płytkowa, preferująca płaszczyzny wzrostu f10-11g. W przypadku szybkości wzrostu 16mm/h zaobserwowano tworzenie się fazy iglastej, która otacza obszary czystej osnowy (roztwór stały cynku z dodatkiem 0.1% miedzi oraz niewielką zawartością tytanu) tworzące owale wydłużone na kierunku [10-10].
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2012, 57, 2; 479-484
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie własności optycznych i spektroskopowych ośrodków aktywnych domieszkowanych jonami Er|3+ i Yb|3+ do mikrolaserów "bezpiecznych dla oka"
Autorzy:
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Mierczyk, Jadwiga.
Majchrowski, Andrzej.
Włodarski, Maksymilian.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2008, nr 1, s. 51-69
Data publikacji:
2008
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery badanie
Optoelektronika
Opis:
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badania generacji impulsowej monokryształów KGW domieszkowanych Er³⁺ i Yb³⁺ do mikrolaserów "bezpiecznych dla wzroku"
Investigation of pulsed generation of Er³⁺ and Yb³⁺ doped KGW single crystals used as active media for eye-safe microlasers
Autorzy:
Mierczyk, Z.
Młyńczak, J.
Kopczyński, K.
Majchrowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210128.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
promieniowanie bezpieczne dla wzroku
technika laserowa
ośrodki aktywne
monokryształy
eye-safe radiation
laser technology
active media
single crystals
Opis:
Przeprowadzono badania generacji impulsowej nowych ośrodków czynnych w układach wzbudzanych laserami półprzewodnikowymi. Badania charakterystyk laserowych opracowanych ośrodków aktywnych i nieliniowych absorberów przeprowadzono w układzie lasera pompowanego wzdłużnie diodą laserową FC 1167 z wyjściem światłowodowym. W układzie tym promieniowanie z diody laserowej kształtowane było przez układ optyczny skupiający wiązkę pompującą w ośrodku aktywnym. Badano akcję laserową w ośrodku aktywnym: GW:Er³⁺, Yb³⁺ (5% Yb³⁺, 1% Er³⁺) z wykorzystaniem ZnSe:Co²⁺ jako modulatora dobroci rezonatora. Uzyskano generację ciągu impulsów promieniowania o długości fali 1,53 μm.
Pulse generation of new active media with the use of laser diode as a pump was carried out. Investigations of laser characteristics of the new active media and nonlinear absorbers were performed. The laser was longitudinally pumped using fiber-coupled laser diode FC 1167. In this system, the pump radiation was shaped by optics focusing it onto the active media. GW:Er³⁺, Yb³⁺ (5% Yb³⁺, 1% Er³⁺) as an active media and ZnSe:Co²⁺ as a modulator were used.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2007, 56, 1; 179-188
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania generacji impulsowej monokryształów KGW domieszkowanych Er|3|+ i Yb|3|+ do mikrolaserów "bezpiecznych dla wzroku"
Autorzy:
Mierczyk, Zygmunt (1956- ).
Młyńczak, Jarosław.
Kopczyński, Krzysztof.
Majchrowski, Andrzej.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2007, nr 1, s. 179-188
Data publikacji:
2007
Tematy:
Monokryształy badanie
Lasery
Opis:
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badania generacyjne monokryształów KGW domieszkowanych Er³⁺ i Y³⁺ do mikrolaserów cw "bezpiecznych dla wzroku"
Investigations of laser generation of Er³⁺ and Y³⁺ doped KGW used as new active materials for eye safe microlasers
Autorzy:
Mierczyk, Z.
Młyńczak, J.
Kopczyński, K.
Majchrowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208942.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
promieniowanie bezpieczne dla wzroku
technika laserowa
ośrodki aktywne
monokryształy
eye-safe radiation
laser technology
active media
monocrystal
Opis:
Przeprowadzono badania generacji cw mikrolaserów z nowymi ośrodkami czynnymi w układach wzbudzanych laserami półprzewodnikowymi. Opracowano technologię powłok cienkowarstwowych, w tym warstw antyrefleksyjnych, zwierciadeł całkowicie odbijających i zwierciadeł transmisyjnych (dichroicznych). Badania charakterystyk laserowych opracowanych ośrodków aktywnych przeprowadzono w układzie lasera pompowanego wzdłużnie diodą laserową FC 1167 z wyjściem światłowodowym. W układzie tym promieniowanie z diody laserowej kształtowane było odpowiednio przez układ optyczny, skupiający wiązkę pompującą w ośrodku aktywnym. Badano akcję laserową w ośrodku aktywnym: KGW:Er³⁺, Y³⁺ (5% Y³, 1% Er³⁺). Uzyskano generację promieniowania cw o długości fali 1,53 µm. W układzie laserowym z ośrodkiem aktywnym KGW:Y³ uzyskano generację promieniowania cw o długości fali 1,03 µm.
Investigations of cw laser generation of microlasers with new active media pumped by laser diode were carried out. The technology of thin films such as antireflecting layers, reflecting mirrors and transmitting mirrors (dichroic) was developed. The laser generation of the developed active media was achieved using fiber coupled laser diode FC 1167 as a pump. The active media were pumped longitudinally. The radiation of the laser diode was shaped by a set of optical elements and focused onto the active medium. Using GW:Er³⁺, Y³⁺; (5% Y³⁺, 1% Er³⁺) as an active medium, cw laser generation at 1.53 µm was obtained and using GW:Y³⁺ as an active medium, cw laser generation at 1.03 µm was obtained.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2006, 55, 4; 7-20
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 27

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies