Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "microelectronics" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-18 z 18
Tytuł:
Zakres spektralny kamery termowizyjnej do badań w mikroelektronice
Spectral Range of IR Camera for Research in Microelectronics
Autorzy:
Błąd, G.
Wałach, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157693.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
termografia
mikroelektronika
niepewność
infrared thermography
microelectronics
uncertainty
Opis:
Omówiono główne czynniki wpływające na wybór zakresu spektralnego kamery termowizyjnej do badań w mikroelektronice: parametry katalogowe kamer, przebiegi krzywych kalibracyjnych oraz własności promienne mikroukładów. Dla oceny kamer opracowano procedurę i obliczono niepewność standardową pomiaru emisyjności i temperatury. Zwykle mniejszą niepewność oferują kamery średniofalowe, lecz inne czynniki mogą zdecydować o wyborze kamery długofalowej.
In microelectronics the accuracy of infrared thermography very often depends strongly on the IR camera spectral range. Cameras with different spectral ranges are usually compared using the uncertainty of temperature measurements. There are several works devoted to calculating this uncertainty. Unfortunately, in these works the uncertainty of emissivity measurements is arbitrarily determined, which makes it difficult to evaluate generally the accuracy of cameras. In the paper procedures for calculation of the relative combined standard uncertainties of emissivity and temperature measurements are proposed. Thanks to knowledge of the definition of some camera parameters it was possible to estimate well the uncertainty components coming from the camera by using statistical relationships and to achieve a high reliability of calculations. The calculation results allow one both to evaluate generally the uncertainties for IR cameras with various spectral ranges and to determine the conditions of obtaining low values of these uncertainties. The camera calibration curve shape influences not only the uncertainty but also the result of averaging temperatures in the camera ground instantaneous field-of-view. The dependence of this result on the spectral range is analysed in the work. In microelectronics the radiative properties of the components may often have the main influence on the choice of camera. Some of these properties and their impact on measurements are also discussed.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 878-881
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie termowizji w badaniach nieniszczących i w mikroelektronice
Application of Thermography in Non Destructive Testing and microelectronics
Autorzy:
Więcek, B. [et al.]
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153907.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
termowizja
badania nieniszczące
mikroelektronika
nondestructive testing
thermography
microelectronics
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono podstawowe zagadnienia jakimi zajmuje się Zespół Termografii Komputerowej Instytutu Elektroniki PŁ. Ponieważ zastosowania termowizji są bardzo ogromne i rosną, dlatego autorzy wybrali następujące zagadnienia, które są obecnie realizowane: projektowanie interfejsów do kamer termowizyjnych i integracja systemów, projektowanie radiatorów układów scalonych VLSI, wykorzystanie własności dynamicznych rur cieplnych w chłodzeniu układów elektronicznych. Przedstawione zostały również nowe zagadnienia, którymi zajmuje się zespół, takie jak badania nieniszczące z wykorzystaniem fali cieplnej jak również chłodzenie układów elektronicznych z wykorzystaniem pompy kapilarnej.
In this article, an overview of thermography applications developed in the Institute of Electronics, Technical University of Lodz are presented. The growing interest of thermography in various field of applications is observed. In the domain of scientific investigations, thermography is successfully applied for modelling cooling systems in microelectronics, including phase change solutions. Additionally, dynamic thermography is widely used in non destructive testing in material science. Thermal wave method and pulse thermography are applied.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2002, R. 48, nr 11, 11; 8-12
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ najnowszych osiągnięć mikroelektroniki oraz nanotechnologii na bezpieczeństwo procesów przemysłowych
The influence of recent microelectronics and nanotechnology research for industrial processes safety
Autorzy:
Nowrot, A.
Joostberens, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/326827.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
nanotechnologia
czujniki
mikroelektronika
nanotechnology
sensors
microelectronics
Opis:
W ciągu ostatnich dziesięciu lat nastąpił silny rozwój nanotechnologii, co w konsekwencji zaowocowało powstaniem nowych materiałów oraz układów elektronicznych, w tym kolejnej generacji sensorów. Zastosowanie nowych rozwiązań już dzisiaj istotnie wpływa na wzrost wydajności procesów przemysłowych oraz ich bezpieczeństwo. W artykule przedstawiono analizę najnowszych osiągnięć m.in. w dziedzinie nanotechnologii w kontekście nowych aplikacji. Znaczna część zaprezentowanych rozwiązań znajduje lub znajdzie zastosowanie m.in. w przemyśle wydobywczym i energetycznym.
In the past ten years there has been a strong development of nanotechnology, which in turn led to the creation of new materials, electronics devices and next sensors generation. The new applied solutions significantly affect on the progress in the performance of industrial processes and their safety. The paper presents an analysis of the latest developments in the field of nanotechnology and their new applications. A large part of the presented technologies are already applied or they will be applied in the future, inter alia, in the mining industry and energy sectors.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2015, 79; 235-243
1641-3466
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strength analysis of solder joints used in microelectronics packaging
Badania wytrzymałości połączeń lutowanych stosowanych w montażu w mikroelektronice
Autorzy:
Wymysłowski, Artur
Jankowski, Krystian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1365194.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:
microelectronics
solder alloys
reliability
damage accumulation
mikroelektronika
stopy lutownicze
niezawodność
kumulacja uszkodzeń
Opis:
The aim of the research was the problem of damage accumulation for solder alloys used in microelectronics packaging due to creep and fatigue as a result of a combined profile of loading conditions. The selected failure modes affect the lifetime of contemporary electronic equipment. So far the research activities are focused on a single failure mode and the problem of their interaction is often omitted. Taking into account the failure modes interaction would allow more precise lifetime prediction of the contemporary electronic equipment and/or would allow for reduction of time required for reliability tests. Within the taken research framework the reliability analysis of solder joints was conducted for the Sn63Pb37 solder alloy using the Hot Bump Pull method. The results of the presented research contain: reliability tests, statistical analysis and the problem of a damage accumulation due to a combined profile of loading conditions.
Celem badań był problem kumulacji uszkodzeń dla stopów lutowniczych stosowanych w montażu w mikroelektronice w wyniku zmęczenia i pełzania na skutek złożonego profilu obciążeń. Wybrane rodzaje uszkodzeń przyczyniają się do ograniczenia czasu życia współczesnych urządzeń elektronicznych. Aktualnie prowadzi się badania z wykorzystaniem jednego rodzaju uszkodzeń i często pomijany jest problem ich wzajemnej interakcji. Uwzględnienie problemu wzajemnej interakcji pozwoliłoby na bardziej precyzyjne prognozowanie bezawaryjnego czasu pracy współczesnych urządzeń elektronicznych i/lub przyspieszenie testów niezawodnościowych. W ramach zrealizowanych badań przeprowadzono analizę wytrzymałości połączeń lutowanych dla stopu lutowniczego Sn63Pb37 z wykorzystaniem metody Hot Bump Pull. Wyniki przedstawionych badań obejmują: analizę wytrzymałości, analizę statystyczną oraz problem kumulacji uszkodzeń w wyniku złożonego profilu obciążeń.
Źródło:
Eksploatacja i Niezawodność; 2020, 22, 2; 297-305
1507-2711
Pojawia się w:
Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Czochralski-Grown Silicon Crystals for Microelectronics
Autorzy:
Bukowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399431.pdf
Data publikacji:
2013-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Fq
85.40.-e
Opis:
The Czochralski method of crystal growth is used since 1950s in scientific and industrial laboratories for growth of single crystals of large size and high quality. The article presents the general characteristics and selected improvements of the Czochralski method, and discusses its meaning and advantages in growth of silicon single crystals playing a key role in microelectronics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 235-238
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading
Autorzy:
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Pióro, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308029.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOSFET
scaling
SiGe
SOI
Opis:
The paper briefly presents the history of microelectronics and the limitations of its further progress, as well as possible solutions. The discussion includes the consequences of the reduction of gate-stack capacitance and difficulties associated with supply-voltage scaling, minimization of parasitic resistance, increased channel doping and small size. Novel device architectures (e.g. SON, double-gate transistor) and the advantages of silicon-germanium are considered, too.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 7-14
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Unstable Inverse Heat Transfer Problems in Microelectronics
Autorzy:
De Mey, G.
Bogusławski, B.
Kos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400120.pdf
Data publikacji:
2013-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
02.30.Zz
44.05.+e
85.40.Qx
Opis:
Inverse heat transfer problems are very important for the thermal testability of integrated circuits. Temperature sensors integrated on the same chip measure in real time the power dissipation in one or more critical heat sources of the circuit in order to prevent overheating. It will be demonstrated that these kinds of problems can give rise to mathematical unstabilities or the ill conditioning of the inverse problem. This statement will be proved with the help of several particular cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 4; 637-641
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Understanding of wet and alternative particle removal processes in microelectronics: theoretical capabilities and limitations
Autorzy:
Tardif, F.
Danel, A.
Raccurt, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308976.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
cleaning
SC1
particle removal
Opis:
A 2 orders of magnitude range of van der Waals interactions is considered here to take the majority of the variety of shapes and materials of actual particles into account. Comparing these interactions with the repulsive forces generated by electrostatic charges, drag, surface tension, shock waves, high accelerations and aerosol particles, the intrinsic capabilities and limitations of the different cleaning processes can be predicted. Three kinds of particle-removal processes have been identified { universal processes capable of removing all particle sizes and types, even from patterned wafers, processes that present the same theoretical ability but are actually limited by the accessibility of the particles, and finally cleanings that are not able to remove all particle sizes.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 11-19
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of Genetic Algorithm to Determine Thermal Properties of Microelectronic Layered Structures
Autorzy:
Arsoba, R.
Suszyński, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/92932.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Uniwersytet Przyrodniczo-Humanistyczny w Siedlcach
Tematy:
genetic algorithm
inverse problem
microelectronics
thermal properties
layered structure
Opis:
In the paper, possibilities of application of genetic algorithms to determine thermal properties depth profile in microelectronic layered structures were presented. A developed computational method was described and results obtained using the method for a thyristor structure were presented.
Źródło:
Studia Informatica : systems and information technology; 2008, 1(10); 15-26
1731-2264
Pojawia się w:
Studia Informatica : systems and information technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Chłodzenie mikroelektroniki z wykorzystaniem mikrostrumieni
Cooling of microelectronics using microjets
Autorzy:
Rusowicz, A.
Baranowski, P. A.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270928.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
chłodzenie
wymiana ciepła
mikrostrumienie
mikroprocesor
cooling
heat transfer
microjets
microprocessor
Opis:
Rozwój elektroniki, którego celem jest wzrost funkcjonalności urządzeń elektronicznych, polega na zwiększaniu upakowania tranzystorów w układach scalonych oraz zwiększaniu szybkości taktowania, czyli liczby elementarnych operacji wykonywanych w ciągu sekundy. Osiągnięciu założonego celu towarzyszy narastający problem o charakterze cieplnym. Każde przełączenie stanu logicznego na elementarnym poziomie układu scalonego jest związane z generacją ciepła. Duża liczba tranzystorów oraz duże szybkości taktowania prowadzą do wzrostu strumienia ciepła wydzielanego w mikroprocesorze do poziomu, przy którym konieczne jest jego intensywne chłodzenie, w przeciwnym razie nastąpi jego przegrzanie. W pracy przedstawiono chłodzenie elementów mikroelektronicznych z wykorzystaniem mikrostrumieni.
The development of electronics, which aims to increase the functionality of electronic devices is increasing the packing of transistors on a chip and increasing clock speed, which is the number of elementary operations per second. To achieve the objective pursued is accompanied by the growing problem of thermal nature. Each switch logic state at the elementary level, the integrated circuit is associated with the generation of heat. A large number of transistors and high clock speeds lead to higher heat flux emitted by the microprocessor to a level where it needs to be intensively cooled, otherwise it will overheat. This paper presents the cooling microelectronic components using microjets.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2014, 19, 2; 135-139
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental investigation of single-phase microjet cooling of microelectronics
Autorzy:
Rusowicz, A.
Leszczyński, M.
Grzebielec, A.
Laskowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/240614.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cooling
heat transfer
microjets
microprocessor
chłodzenie
wymiana ciepła
mikrojety
mikroprocesor
Opis:
Development of electronics, which aims to improve the functionality of electronic devices, aims at increasing the packing of transistors in a chip and boosting clock speed (the number of elementary operations per second). While pursuing this objective, one encounters the growing problem of thermal nature. Each switching of the logic state at the elementary level of an integrated circuit is associated with the generation of heat. Due to a large number of transistors and high clock speeds, higher heat flux is emitted by the microprocessor to a level where the component needs to be intensively cooled, or otherwise it will become overheated. This paper presents the cooling of microelectronic components using microjets.
Źródło:
Archives of Thermodynamics; 2015, 36, 3; 139-147
1231-0956
2083-6023
Pojawia się w:
Archives of Thermodynamics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:
Goffioul, M.
Dambrine, G.
Vanhoenacker, D.
Raskin, J.P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309323.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
microwave devices
SOI MOSFET
Opis:
The high frequency performances including microwave noise parameters for sub-quarter micron fully- (FD and partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) n-MOSFETs are described and compared. Direct extraction techniques based on the physical meaning of each small-signal and noise model element are used to extract the microwave characteristics of various FD and PD SOI n-MOSFETs with different channel lenghts and widths. TiSi2 silicidation process has been demonstrated very efficient to reduce the sheet and contact resistances of gate, source and drain transistor regions. 0.25 žm FD SOI n-MOSFETs with a total gate width of 100 žm present a state-of-the-art minimum noise figure of 0.8 dB and high associated gain of 13 dB at 6 GHz for V(ds) = 0.75 V and P(dc) < 3 mW. A maximum extrapolated oscillation frequency of about 70 GHz has been obtained at V(ds) = 1 V and J(ds) = 100 mA/mm. This new generation of MOSFETs presents very good analogical and digital high speed performances with a low power consumption which make them extremely attractive for high frequency portable applications such as the wireless communications.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 72-80
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
Autorzy:
Gibki, J.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łukasik, L.
Jakubowski, A.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
SOI technology
characterization
Opis:
SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs
Autorzy:
Goffioul, M.
Vanhoenacker, D.
Raskin, J.P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309316.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
microwave devices
SOI MOSFET
Opis:
Original extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for SOI MOSFETs are presented. The characterization method combines careful design of probing and calibration structures, rigorous in situ calibration and a powerful direct extraction method. The proposed characterization procedure is directly based on the physical meaning of each small-signal behavior of each model parameter versus bias conditions, the high frequency equivalent circuit can be simplified for extraction purposes. Biasing MOSFETs under depletion, strong inversion and saturation conditions, certain technological parameters and microwave small-signal elements can be extracted directly from the measured S-parameters. These new extraction techniques allow us to understand deeply the behavior of the sub-quarter micron SOI MOSFETs in microwave domain and to control their fabrication process.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 59-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular modeling as a novel and promising numerical tool in microelectronics packaging
Autorzy:
Matkowski, P.
Wymysłowski, A.
Felba, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378423.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
modelowanie molekularne
upakowanie
kompozyty polimerowe
cienka warstwa
microelectronic packaging
molecular modelling
polymer composites
thin films
Opis:
Numerical modeling is a widespread tool in microelectronics, which is used generally for support of the prototyping stage. One of the novel numerical tools that are currently emerging is technique based on molecular modeling. Molecular modeling is well known and utilized method in chemistry, biology, medicine, biotechnology, pharmacy and physics. Scientists and researchers have been using molecular modeling to simulate reactions at the molecular levels for many years. Additionally molecular modeling is used in e.g. material modeling. Scientists are interested in material modeling and simulations because of complexity of novel materials. Many novel materials include fillers or particular structure that ensures its mechanical or electrical properties. Molecular modeling and simulations enables to control structure and properties of the materials in the nano-scale. By conducting molecular modeling researchers can obtain proposals of materials that vary in properties by low costs. Molecular modeling also ensures control of processes and prediction possibility. The current paper is focused on possible areas of application of molecular modeling in microelectronic packaging. The paper describes the current state-of-the-art and benefits of molecular modeling to selected problems common in microelectronic packages. Our goal in the future is to apply molecular modeling, as a support tool, to resolve problems that occur in microelectronic packaging as e.g. problem of surface phenomena, thin films, viscoelasticity or mechanical and thermal properties of novel materials and compounds.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 14; 1-6
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Performance Comparison of Stacked Dual-Metal Gate Engineered Cylindrical Surrounding Double-Gate MOSFET
Autorzy:
Dargar, Abha
Srivastava, Viranjay M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1844602.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
short-channel effects
metal oxide semiconductor
transistor
cylindrical surrounding double-gate
dual-material gate
microelectronics
nanotechnology
Opis:
In this research work, a Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFET design in a stacked-Dual Metal Gate (DMG) architecture has been proposed to incorporate the ability of gate metal variation in channel field formation. Further, the internal gate's threshold voltage (VTH1) could be reduced compared to the external gate (VTH2) by arranging the gate metal work-function in Double Gate devices. Therefore, a device design of CSDG MOSFET has been realized to instigate the effect of Dual Metal Gate (DMG) stack architecture in the CSDG device. The comparison of device simulation shown optimized electric field and surface potential profile. The gradual decrease of metal work function towards the drain also improves the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and subthreshold characteristics. The physics-based analysis of gate stack CSDG MOSFET that operates in saturation involving the analogy of cylindrical dual metal gates has been considered to evaluate the performance improvements. The insights obtained from the results using the gate-stack dual metal structure of CSDG are quite promising, which can serve as a guide to further reduce the threshold voltage roll-off, suppress the Hot Carrier Effects (HCEs) and Short Channel Effects (SCEs).
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 1; 29-34
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Komparator do generacji znaczników czasowych w układach odczytowych dla detektorów paskowych
Discrininator for timestamping in strip detector readout integrated circuits
Autorzy:
Kasiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
komparator
wielokanałowe układy scalone
detektory paskowe
mikroelektronika
discriminator
multichannel integrated circuits
strip detectors
microelectronics
Opis:
Artykuł prezentuje projekt niskomocowego komparatora przygotowanego dla potrzeb nadawania znaczników czasowych w wielokanałowym scalonym układzie odczytowym do detektorów paskowych. Przedstawione zostały: zarys analogowego układu front-end z dwutorowym przetwarzaniem, czynniki ograniczające dokładność wyznaczania znacznika czasowego oraz dokładny projekt 3-stopniowego komparatora zoptymalizowanego dla docelowej aplikacji.
This paper presents the design of a low-power comparator for timestamping purposes in multichannel integrated circuit for silicon strip detectors’ readout. A brief introduction to an analog front-end electronics with two signal paths is presented. Moreover, issues regarding accuracy of timestamp determination and details of 3-stage comparator architecture are included.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2013, 1; 25-28
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-18 z 18

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies