Czochralski-Grown Silicon Crystals for Microelectronics

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Czochralski-Grown Silicon Crystals for Microelectronics
Autorzy:: Bukowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1399431.pdf
Data publikacji:: 2013-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.10.Fq
85.40.-e
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 235-238
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The Czochralski method of crystal growth is used since 1950s in scientific and industrial laboratories for growth of single crystals of large size and high quality. The article presents the general characteristics and selected improvements of the Czochralski method, and discusses its meaning and advantages in growth of silicon single crystals playing a key role in microelectronics.

Informacja

Powiązane pozycje