Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zdunek, K." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 31
Tytuł:
Acoustic emission as a method for the detection of fractures in the plant tissue caused by the external forces
Autorzy:
Zdunek, A.
Konstankiewicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25704.pdf
Data publikacji:
1997
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
potato tissue
deformation
stress level
acoustic emission
mechanical parameter
cell structure
plant tissue
Źródło:
International Agrophysics; 1997, 11, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Plasma Dynamics on Material Synthesis Product of IPD Process
Autorzy:
Rabiński, M.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011041.pdf
Data publikacji:
1999-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.05.Tp
52.30.-q
52.35.Py
52.75.Rx
Opis:
In the present work we discuss recent studies concerning plasma dynamics influence on the material synthesis product of the impulse plasma deposition process. Conditions favourable for evaluation of the Rayleigh-Taylor instability on the current sheet surface were found during the computational studies of plasma movement in the coaxial accelerator. Appearance of this phenomenon explains non-uniform phase composition and morphology of coatings. By modifying the design of the plasma accelerator, we succeeded in reducing substantially Rayleigh-Taylor instability and in obtaining α-Al$\text{}_{2}$ O$\text{}_{3}$ coatings instead of common γ-Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 319-324
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of water potential on the failure of potato tissue
Autorzy:
Haman, J.
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25420.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
failure
production process
water potential
acoustic emission
mechanical parameter
quality
potato
tissue
plant material
Źródło:
International Agrophysics; 2000, 14, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of structural parameters of potato tuber cells on their mechanical properties
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25366.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
food product
cell
cell structure
potato
vegetable
mechanical property
structural parameter
fruit
tuber
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 4
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of turgor and cell size on the cracking of potato tissue
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25276.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
cell size
failure
cracking
potato tuber
cell structure
plant tissue
potato
mechanical property
tissue
plant material
intracellular pressure
turgor
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantitative method for determining cell structural parameters of plant tissues
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24956.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
quantitative method
plant tissue
cell structure
potato
parenchyma
tuber
image analysis
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
Autorzy:
Szmidt, J.
Werbowy, A.
Dusiński, E.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MIS transistor
reliability
Al2O3 films
RPP method
Opis:
The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cell structural parameter of potato tuber tissue
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Czachor, H.
Gancarz, M.
Krol, A.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24511.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
physical property
cell structure
potato
tissue
image analysis
tuber
Źródło:
International Agrophysics; 2002, 16, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Physical Phenomena in Z-pinch Plasma of Impulse Plasma Deposition Process
Autorzy:
Rabiński, M.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035475.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.05.Tp
52.30.-q
52.35.Py
52.77.Dq
Opis:
In the present paper we propose a model of physical phenomena behind the front face of the electrodes in an impulse plasma accelerator. The model is based on the results of recent experimental observations and measurements. It correlates plasma dynamics with mechanism of phenomena in a column of pinching plasma. On the contrary to the previous model the current one suggests the series of relatively short pulses of metallic ions from the erosion of electrode material. Till now the pinch was treated rather as a nearly continuous source of metallic plasma, feeding the process with ions from the erosion of electrode material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 193-197
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of plant tissue images obtained by confocal tandem scanning reflected light microscope
Autorzy:
Gancarz, M.
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25430.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
plant cell
confocal microscopy
plant tissue
structural parameter
image analysis
Źródło:
International Agrophysics; 2007, 21, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New nondestructive method based on spatial-temporal speckle correlation technique for evaluation of apples quality during shelf-life
Autorzy:
Zdunek, A.
Muravsky, L.I.
Frankevych, L.
Konstankiewicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24712.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Źródło:
International Agrophysics; 2007, 21, 3; 305-310
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Turgor and temperature effect on fracture properties of potato tuber [Solanum tuberosum cv. Irga]
Autorzy:
Zdunek, A.
Gancarz, M.
Cybulska, J.
Ranachowski, Z.
Zgorska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/26406.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Źródło:
International Agrophysics; 2008, 22, 1; 89-97
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanostructure of natural and model cell wall materials
Autorzy:
Cybulska, J.
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Skrzypiec, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25202.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
plant tissue
cell wall
nanostructure
apple
natural material
model material
cell wall material
parenchyma cell
mechanical property
polysaccharide network
Źródło:
International Agrophysics; 2010, 24, 2; 107-114
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 31

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies