Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sochacki, M." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 21
Tytuł:
Trzydzieści lat ratownictwa wysokościowego w ochronie przeciwpożarowej
Autorzy:
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/373508.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Centrum Naukowo-Badawcze Ochrony Przeciwpożarowej im. Józefa Tuliszkowskiego
Tematy:
ośrodek szkoleniowy
ratownictwo wysokościowe
rope-rescue
training center
Opis:
Artykuł zawiera przemyślenia autora na temat ratownictwa wysokościowego w związku ze zbliżającą się trzydziestą rocznicą jego funkcjonowania w strukturach Państwowej Straży Pożarnej.
The article contains the author.s consideration on subject of rope-rescue, in relationship with approaching thirtieth anniversary of his functioning in structures of State Fire Service.
Źródło:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza; 2009, 4; 21-34
1895-8443
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ratownictwo wysokościowe w krajowym systemie ratowniczo–gaśniczym
Autorzy:
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/373754.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Centrum Naukowo-Badawcze Ochrony Przeciwpożarowej im. Józefa Tuliszkowskiego
Tematy:
ratownictwo wysokościowe
Krajowy System Ratowniczo-Gaśniczy
KSRG
ratownik
organizacja
National Firefighting and Rescue System
rescue at heights
rescuer
organization
Opis:
Autor opisuje organizację, działanie oraz miejsce ratownictwa wysokościowego w Krajowym Systemie Ratowniczo- Gaśniczym (KSR-G).
The author describes organization, working and place of rope rescue in National Firefighting and Rescue System (KSRG).
Źródło:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza; 2008, 2; 47-55
1895-8443
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Propulsion system modeling for multi-satellite missions performer by nanosatellites
Modelowanie systemów napędowych dla wielosatelitarnych misji nanosatelitów
Autorzy:
Sochacki, M.
Narkiewicz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/36393248.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Lotnictwa
Tematy:
propulsion
nanosatellite
formation flying
constellations
fractionated satellite
federated satellite systems
napędy
nanosatelity
lot w formacji
konstelacje
frakcjonowanie satelitów
federacyjne systemy satelitarne
Opis:
Progress in miniaturization of satellite components allows complex missions to be performed by small spacecraft. Growing interest in the small satellite sector has led to development of standards such as CubeSat, contributing to lower costs of satellite development and increasing their service competitiveness. Small satellites are seen now as a prospective replacement for conventional sized satellites in the future, providing also services for demanding users. New paradigms of multi-satellite missions such as fractionation and federalization also open up new prospects for applications of small platforms. To perform a comprehensive simulation and analysis of future nanosatellite missions, an adequate propulsion system model must be used. Such model should account for propulsion solutions which can be implemented on nanosatellites and used in multisatellite missions. In the paper, concepts of distributed satellite systems (constellations, formations, fractionated and federated) are described with a survey of past, on-going and planned multi-satellite nanosatellites missions. Currently developed propulsion systems are discussed and the models of propulsion systems embedded in the WUT satellite simulation model are presented.
Postępująca miniaturyzacja podzespołów satelitarnych pozwala na realizację skomplikowanych misji przez małe satelity. Wzrost zainteresowania małymi satelitami przyczynił się do powstania standardów takich jak CubeSat, umożliwiając zmniejszenie kosztów budowy oraz wzrost konkurencyjności usług oferowanych przez małe satelity. Istnieje przekonanie, że w najbliższym czasie małe satelity zastąpią satelity duże oferując usługi także wymagającym użytkownikom. Nowe architektury misji wielosatelitarnych jak federacyjne systemy satelitarne czy frakcjonowanie satelitów wskazują nowe możliwości wykorzystania małych satelitów. Aby umożliwić zaawansowaną symulację i analizę nowych misji realizowanych przez nanosatelity konieczne jest wykorzystanie odpowiedniego modelu zespołu napędowego. Taki model powinien obejmować rozwiązania, które mogą zostać użyte na nanosatelitach do realizacji misji wielosatelitarnych. W artykule opisano architektury misji (konstelacje, formacje, federacje i frakcjonowanie), a także przedstawiono przegląd zakończonych, trwających i planowanych misji wielosatelitarnych wykorzystujących nanosatelity. Omówione są obecnie wykorzystywane systemy napędowe oraz zaprezentowany jest model systemu napędowego wykorzystanego w modelu symulacyjnym satelity opracowanym przez zespół autorów.
Źródło:
Transactions on Aerospace Research; 2018, 4 (253); 71-82
0509-6669
2545-2835
Pojawia się w:
Transactions on Aerospace Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
Autorzy:
Taube, A.
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/199922.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE
Opis:
In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 367-375
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation on the Mechanisms of Nitrogen Shallow Implantation Influence on Trap Properties of $SiO_2$/n-Type 4H-SiC Interface
Autorzy:
Król, K.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1363825.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
68.55.ag
72.20.-i
72.25.-b
Opis:
Silicon carbide (SiC) is the only wide-bandgap semiconductor capable of forming native dielectric layer of $SiO_2$ by thermal oxidation. This unique property of SiC combined with its high thermal conductivity and high critical field makes this semiconductor material suitable for high power electronic devices. Unfortunately, the state-of-the art technology does not use the full benefits of the material, especially in the case of MOSFET transistors. This is caused by insufficient electrical parameters of $SiO_2$/SiC interface. Two-component structure of the material and its high density result in high level of interface traps reducing the surface mobility and thus increasing series resistance of the device. One of the proposed methods of reducing the trap density in SiC MOS structure is a shallow nitrogen implantation prior to oxidation. This technique is based on the observation that introducing nitrogen into the $SiO_2$/SiC system results in significant reduction of trap states density and increase of the channel effective mobility. The shallow implantation technique has been reported to be as much effective as nitric oxide annealing which is one of the most effective techniques for oxide quality improvement in case of SiC. Unlike the diffusion based techniques, like postoxidation annealing, implantation of the nitrogen prior oxidation has the possibility of nitrogen concentration control near the oxide interface during oxidation process itself. This property is important since it was shown that the improvement degree is directly proportional to amount of nitrogen built in the vicinity of $SiO_2$/SiC interface during oxidation. However, previous investigations about this technique were inconclusive about the influence of implantation parameters and process conditions on observed effects. Both improvement and deterioration of interface quality was observed by different researchers. This behavior was never explained clearly. The primary objective of this research is to analyze the impact of implantation conditions on electrical properties of $SiO_2$/SiC MOS structure. This analysis is used to evaluate a hypothetical description of physical phenomena during oxidation of shallowly implanted substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1033-1037
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Geoportale regionalne wybranych krajów europy - studium porównawcze
Regional geoportals of selected european countries – a comparative study
Autorzy:
Dukaczewski, D.
Ciołkosz-Styk, A.
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/346554.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Informacji Przestrzennej
Tematy:
geoportale regionalne
INSPIRE
regional geoportals
Opis:
Wzrost zapotrzebowania na informację przestrzenną i jej szybkie upowszechnienie, rozwój technologii informatycznych, jak również uwarunkowania prawne związane z wprowadzeniem dyrektywy INSPIRE przyczyniły się na przestrzeni ostatnich 5 lat do znacznej intensyfikacji prac koncepcyjnych i implementacyjnych w zakresie geoportali regionalnych na terenie krajów Unii Europejskiej i Europejskiego Obszaru Gospodarczego. Rozwój ten implikuje potrzebę prowadzenia stałych badań, dotyczących stanu zaawansowania prac w zakresie geoportali regionalnych, możliwości i ograniczeń ich rozwoju, jak również ich relacji z INSPIRE. Jak wynika z kwerendy przeprowadzonej w maju 2012 r. w krajach tych istniały 143 geoportale regionalnych jednostek podziału terytorialnego najwyższego szczebla. Ponadto zbiory danych przestrzennych były również udostępniane (w ograniczonym zakresie) za pośrednictwem 151 portali regionalnych administracji publicznej jednostek tego szczebla. Dwa sposoby udostępniania zbiorów danych przestrzennych były stosowane w przypadku 87,23 % jednostek podziału terytorialnego najwyższego szczebla (odpowiednio 42,43 % i 44,80 %) krajów UE i EOG. Przeprowadzone badanie 130 geoportali regionalnych działających w maju 2012 r. objęło analizę zakresu tematycznego udostępnianych zbiorów danych przestrzennych, jak również stosowanych metod prezentacji kartograficznej (i ich poprawności). Wykorzystanie bertinowskiej metody porządkowania danych pozwoliło na zaproponowanie typologii geoportali regionalnych w oparciu o kryterium podobieństwa zakresu tematycznego. Autorzy zaproponowali również typologię opartą o kryterium liczby grup tematycznych i dostępnych funkcji. Wyniki badań zostały wykorzystane do aktualizacji i rozbudowy usługi GEMS – Geoportals in Europe Metadata Service, utrzymywanej przez Instytut Geodezji i Kartografii.
The growing need for spatial information, technical progress, as well as legal requirements of the INSPIRE Directive has resulted in a considerable intensification of the development of regional geoportals in European Union and the countries of the European Economic Area. This implies the need for monitoring the state of art of regional geoportals, taking into consideration the opportunities and limitations of their development and relations with INSPIRE. According to the survey of May 2012, in EU and EEA countries 143 geoportals of first – level public administration units existed. The spatial data were also distributed (in limited extent) by 151 public administration portals at this level. The research carried on 130 regional geoportals (working in May 2012) included analysis of the thematic scope of spatial data accessible with these geoportals, their functionalities, as well as employed methods of cartographic presentation (and its semiotic correctness). The application of Bertin’s method of data order allowed to propose a typology of thematic scope of spatial data accessible with geoportals. The authors also proposed a typology of geoportals, employing the criterion of thematic scope and functionalities. The results of the research carried out were used to update and to extend the GEMS – Geoportals in Europe Metadata Service, maintained by the Institute of Geodesy and Cartography.
Źródło:
Roczniki Geomatyki; 2012, 10, 4; 77-93
1731-5522
2449-8963
Pojawia się w:
Roczniki Geomatyki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaN-based soft-switched active power buffer operating at ZCS – problems of start-up and shut-down
Autorzy:
Rąbkowski, J.
Król, K.
Zdanowski, M.
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201868.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
GaN
power inverter
active buffer
Opis:
This paper describes practical issues related to control of the active power buffer (APB) developed for a 2 kVA single-phase inverter. The buffer is designed using the latest GaN HEMTs controlled with triangular current mode to reduce switching losses, however, the switching frequency should be limited to 1 MHz. In the case of the presented analogue-digital controller, frequency is influenced by a reference current of the APB and circuit. Therefore, the operation at start-up and shut-down is especially challenging. A modified control algorithm that also includes pre-charging and discharging process of the energy buffer is presented and experimentally verified by series of tests of the 2 kVA GaN based inverter with the APB.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 4; 785-792
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of Stacked ZrO₂ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
Autorzy:
Król, K.
Kwietniewski, N.
Gierałtowska, S.
Wachnicki, Ł.
Sochacki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033217.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.16.Pr
77.84.Bw
77.55.dj
Opis:
The electronic properties of ZrO₂/SiO₂ stacked dielectric layers are reported as a function for temperature of the atomic layer deposition process. A dielectric layer has been characterized by C-V and I-V measurements of MIS structures. A strong dependence of κ value of ZrO₂ layer has been observed as a function of deposition temperature T. The values within the range of κ≈16-26 have been obtained. All measured stacked dielectric layers show an increase in dielectric breakdown voltage compared to simple SiO₂ dielectric by average factor of 1.7 and factor of 2 (21 MV/cm) for high-κ oxides deposited at low temperature (85°C).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 329-331
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of Phosphorus Incorporation into $SiO_2$/4H-SiC (0001) Interface on Electrophysical Properties of MOS Structure
Autorzy:
Król, K.
Konarski, P.
Miśnik, M.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376053.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.16.Pr
77.84.Bw
77.55.Dj
Opis:
This paper describes the influence of phosphorus incorporation into $SiO_2$/4H-SiC system. The main scope is an analysis of the slow responding trap states (near interface traps) since the influence of phosphorus technology on fast traps has already been investigated by numerous research groups. Two different phosphorus incorporation methods were incorporated - the diffusion-based process of $POCl_3$ annealing and ion implantation. We have shown that regardless of method used a new distinct near interface trap center can be found located approximately at $E_{V}$ + 3.0 eV. This trap can be related to the incorporated phosphorus amount as shown through secondary ion mass spectroscopy measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1100-1103
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:
Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation
Opis:
The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies